電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士副總裁李圭（音譯）近日在學(xué)術(shù)會(huì)議上表示，SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應(yīng)用。目前正處于研發(fā)階段，預(yù)計(jì)最早將應(yīng)用于HBM4E。
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據(jù)介紹，目前客戶對(duì)HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?；旌湘I合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。
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混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，然后使用混合鍵合將它們結(jié)合在一起，采用3D結(jié)構(gòu)，將有可能克服當(dāng)前2D形式DRAM的電路小型化限制。NAND也可以通過類似的結(jié)構(gòu)來增加層數(shù)。”
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今年SK海力士將成功實(shí)現(xiàn) HBM4 12 層量產(chǎn)，并根據(jù)客戶需求及時(shí)供應(yīng) HBM4E，從而進(jìn)一步鞏固 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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SK海力士此前表示，1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖?jìng)爭(zhēng)力，公司將其應(yīng)用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn) DRAM 主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價(jià)值。據(jù)悉，SK 海力士的 HBM4E內(nèi)存有望采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片。
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據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士的1c nmDRAM內(nèi)存工藝近期良率約為80%，較去年下半年的六成有明顯提升。一般而言DRAM內(nèi)存工藝在良率達(dá)到80%~90%時(shí)就可進(jìn)入正式量產(chǎn)，SK 海力士的1c nm制程即將達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)所需的水平。
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混合鍵合通過兩個(gè)芯片覆蓋介電材料如二氧化硅，介電材料嵌入與芯片相連的銅接點(diǎn)，接著將兩芯片接點(diǎn)面對(duì)合，再透過熱處理讓兩芯片銅接點(diǎn)受熱膨脹對(duì)接。與已廣泛使用的微凸塊堆疊技術(shù)相比，混合鍵合由于不配置凸塊，可容納較多堆疊層數(shù)，也能容納較厚的晶粒厚度，以改善翹曲問題。此外，使用混合鍵合的芯片傳輸速度較快，散熱效果也較好。
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分析機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢表示，三大 HBM 內(nèi)存巨頭在對(duì)堆疊高度限制、I/O 密度、散熱等要求的考量下，已確定于 HBM5 20hi（20 層堆疊）世代全面應(yīng)用混合鍵合技術(shù)。
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在混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于閃存方面，長江存儲(chǔ)憑借 “晶棧（Xtacking）” 混合鍵合技術(shù)，在全球 NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升。長江存儲(chǔ)目前已經(jīng)開始供應(yīng)其第五代 3D TLC NAND 閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品有 294 層結(jié)構(gòu)，其中包含 232 個(gè)有源層，是目前已經(jīng)商用的 3D NAND 產(chǎn)品當(dāng)中堆疊層數(shù)最高、存儲(chǔ)密度最高的，采用了 “晶棧（Xtacking）” 混合鍵合技術(shù)。
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今年2月韓媒報(bào)道稱，三星電子近日與中國存儲(chǔ)芯片廠商長江存儲(chǔ)簽署了專利許可協(xié)議，將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利，該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。
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三星此次獲取長江存儲(chǔ)專利授權(quán)，將主要用于下一代（V10）閃存芯片開發(fā)上，將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長江存儲(chǔ)的專利技術(shù)混合鍵合以實(shí)現(xiàn)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。這代芯片計(jì)劃于今年下半年量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)到420層-430層。由于工藝流程問題，三星難以規(guī)避中國企業(yè)的專利，獲取授權(quán)是必然。此外，SK海力士也正在開發(fā)適用于400層以上NAND產(chǎn)品的混合鍵合技術(shù)，未來他們也可能需要與長江存儲(chǔ)簽訂專利授權(quán)協(xié)議。
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