據(jù)4月19日消息，三星半導(dǎo)體近期在韓國官網(wǎng)上發(fā)布兩位高層關(guān)于HBM內(nèi)存的訪問錄。其中，他們透露出三星正計(jì)劃將TC-NCF技術(shù)應(yīng)用于16層HBM4內(nèi)存制造。

TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術(shù)更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會(huì)相應(yīng)增加。

三星透露，近期已成功運(yùn)用TC-NCF鍵合工藝推出12層堆疊的36GB HBM3E內(nèi)存。在此過程中，三星通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化解決了發(fā)熱問題，確保了高堆疊層數(shù)下HBM的穩(wěn)定性。

除了繼續(xù)沿用TC-NCF鍵合技術(shù)，據(jù)IT之家早先報(bào)道，三星在HBM4內(nèi)存生產(chǎn)中還將采用混合鍵合技術(shù)，采取“雙管齊下”策略。

三星高層認(rèn)為，若AI處理器及內(nèi)存制造商各自優(yōu)化產(chǎn)品，難以滿足未來AGI對(duì)算力的需求，故雙方需緊密協(xié)作，為特定AI需求量身打造HBM內(nèi)存便是實(shí)現(xiàn)AGI的關(guān)鍵步驟。

三星電子將充分發(fā)揮其全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，包括邏輯芯片代工、內(nèi)存生產(chǎn)以及先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，構(gòu)建HBM內(nèi)存定制生態(tài)平臺(tái)，以迅速響應(yīng)用戶的個(gè)性化需求。

另外，三星電子已經(jīng)開始與客戶探討未來的3D HBM內(nèi)存（即將HBM與邏輯芯片垂直整合）方案。