電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過(guò)了初步的質(zhì)量測(cè)試，將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過(guò)英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟，最早可能在11月或12月開(kāi)始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進(jìn)展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競(jìng)爭(zhēng)。

三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報(bào)價(jià)，傳聞向英偉達(dá)提供比SK海力士低20%至30%的報(bào)價(jià)，三星不得不通過(guò)激進(jìn)定價(jià)策略來(lái)提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

近日消息，SK海力士已向英偉達(dá)小批量供應(yīng)HBM4，以支持英偉達(dá)的下一代AI加速器RubinGPU的出樣計(jì)劃。據(jù)悉，英偉達(dá)計(jì)劃在2025年9月推出RubinGPU的樣品，而SK海力士則提前調(diào)整供應(yīng)節(jié)奏，以滿足這一緊迫需求。

除了英偉達(dá)之外，SK海力士7月1日表示，正在與英特爾就GaudiAI加速器相關(guān)的HBM進(jìn)行合作，SK海力士的第6代高帶寬內(nèi)存（HBM4）有可能安裝在英特爾JaguarShoresAI顯卡加速器產(chǎn)品中。

美光已經(jīng)向多家主要客戶提供其最新研發(fā)的12層堆疊36GBHBM4內(nèi)存樣品。美光的12層堆疊36GBHBM4內(nèi)存采用成熟的1β（1-beta）DRAM制程，并結(jié)合先進(jìn)的12層封裝技術(shù)。與之前的產(chǎn)品相比，HBM4每個(gè)內(nèi)存堆疊的傳輸速率超過(guò)2.0TB/s，性能較前一代產(chǎn)品提升超過(guò)60%。美光HBM4內(nèi)存的2048位元接口為AI加速器提供了更廣泛的帶寬，顯著提高AI推理的速度。

美光在發(fā)布會(huì)上透露，HBM4內(nèi)存的生產(chǎn)進(jìn)程已經(jīng)與客戶下一代AI平臺(tái)的準(zhǔn)備進(jìn)度緊密配合，旨在確保無(wú)縫集成，并適時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)量以滿足市場(chǎng)需求。

近日，美光首席商務(wù)官SumitSadana表示，與客戶就2026年HBM供貨量談判取得顯著進(jìn)展。12層HBM3E良率提升速度遠(yuǎn)超8層，12層產(chǎn)品出貨量已超過(guò)8層。預(yù)計(jì)明年供應(yīng)產(chǎn)品大部分為12層的HBM3E，也可能包含HBM4。

另?yè)?jù)韓媒報(bào)道，三星電子正在加緊招聘經(jīng)驗(yàn)豐富的高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)專家。此次招聘的目標(biāo)是招募下一代半導(dǎo)體和芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師，包括混合鍵合，這一工藝被視為提高人工智能和其他計(jì)算應(yīng)用性能的關(guān)鍵。與之相對(duì)應(yīng)的是，三星電子正在縮減其表現(xiàn)不佳的晶圓代工部門的招聘規(guī)模。

具體來(lái)說(shuō)，三星正在尋找能夠?yàn)橄冗M(jìn)HBM設(shè)計(jì)新架構(gòu)的封裝開(kāi)發(fā)專家，而產(chǎn)品規(guī)劃人員則負(fù)責(zé)與對(duì)定制HBM感興趣的客戶進(jìn)行溝通。定制HBM指的是垂直堆疊DRAM產(chǎn)品的一種版本，其底層芯片配備了客戶指定的功能。預(yù)計(jì)三星電子最早將于明年將定制HBM推向市場(chǎng)。