電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)臺媒消息，傳聞英偉達已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預計英偉達的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計劃在2027年下半年進行小批量試產(chǎn)。并且這一時間點大致對應"Rubin"后的下一代AI GPU "Feynman"。

有分析指出，英偉達此舉或是將部分GPU功能集成到基礎(chǔ)裸片中，旨在提高HBM和GPU的整體性能。英偉達會將UCIe接口集成到HBM4中，以實現(xiàn)GPU和CPU直接連接。

英偉達可能會在2027年上半年首先采用SK海力士供應的標準HBM4E，然后從2027年下半年至2028年期間過渡到自己的定制HBM4E設(shè)計。

英偉達未來的 HBM 內(nèi)存供應鏈將采用內(nèi)存原廠DRAM Die + 英偉達 Base Die 的組合模式。
英偉達自研 Base Die 有助于加強其對 HBM 內(nèi)存的議價能力，利于向 Base Die 導入一系列高級功能，且能為采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模塊化組合。

2025年1月初，三星DS部門存儲業(yè)務(wù)部宣布已成功設(shè)計出第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的邏輯芯片。邏輯芯片位于芯片堆棧的底部，是控制HBM芯片的核心組件。三星電子計劃采用先進的4nm工藝進行技術(shù)升級，計劃從邏輯芯片的設(shè)計階段開始尋求優(yōu)化，以通過其無晶圓廠系統(tǒng)LSI部門最大限度地提高HBM4芯片的性能。

今年4月，SK海力士宣布與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術(shù)密切合作。雙合作開發(fā)第六代HBM產(chǎn)品，也就是HBM4，其中臺積電負責生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片（Base Die）。

日前，美光高管表示，定制 HBM 內(nèi)存將在 HBM4 后的 HBM4E 時代正式落地。從 HBM4 開始 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)芯片 Base Die 采用邏輯 CMOS 制程，現(xiàn)階段該芯片主要包含內(nèi)存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客戶希望將 AI xPU 的特定功能電路卸載到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面積利用率，因此需要定制 HBM 內(nèi)存。

韓國SK海力士高管近日表示，受益于人工智能需求爆發(fā)，公司預測到2030年HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片市場將以每年30%的速度增長，定制化HBM市場規(guī)模有望達到數(shù)百億美元?？蛻魧Χㄖ苹枨笕找嬖鲩L，部分客戶要求特定性能或功耗特性。目前，英偉達等大客戶已接受深度定制，而小客戶仍采用標準化產(chǎn)品。這種差異化策略成為SK海力士保持市場競爭力的重要因素。

而亞馬遜、微軟、Alphabet等云計算公司已提出數(shù)十億美元的AI資本支出計劃，且未來可能進一步上調(diào)，這對HBM市場形成直接利好。Counterpoint分析指出，包括英偉達、亞馬遜、微軟、博通和美滿電子在內(nèi)，已有七到八家IT廠商在推動HBM定制，預計到2026年HBM4亮相時，定制HBM市場將大幅擴張。例如美滿電子與美光、三星和SK海力士合作，為下一代XPU定制HBM方案。