圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結構方案,充分利用了碳化硅器件優(yōu)勢簡化結構復雜性,提高了設備的可靠性和效率.提出了適用于碳化硅功率器件的驅動方法,解決了驅動電平選取、隔離方式選取、橋臂串擾等技術問題.利用研究的相關技術成果,成功研制了30kW全碳化硅充電模塊產(chǎn)品.



轉載:SIC碳化硅MOS管及功率模塊的應用
文章來源:機械工程與自動化
作者:黎耀華(中國電子科技集團公司 第二研究所)
審核編輯:劉清
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
新能源汽車
+關注
關注
141文章
11401瀏覽量
105293 -
功率器件
+關注
關注
43文章
2124瀏覽量
95178 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3472瀏覽量
52395 -
直流充電
+關注
關注
0文章
40瀏覽量
9228
原文標題:全碳化硅直流充電設備技術研究
文章出處:【微信號:芯長征科技,微信公眾號:芯長征科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術研究報告
碳化硅(SiC)功率模塊替代IGBT模塊的工程技術研究報告:基于“三個必然”戰(zhàn)略論斷的物理機制與應用實踐驗證 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商
MCS兆瓦級充電系統(tǒng)拓撲架構演進與SiC碳化硅模塊升級替代IGBT模塊技術研究報告
MCS兆瓦級充電系統(tǒng)拓撲架構演進與SiC碳化硅模塊升級替代IGBT模塊技術研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源
簡單認識博世碳化硅功率半導體產(chǎn)品
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅動特性與保護機制深度研究報告
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅動特性與保護機制深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎設施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領先半導體
Wolfspeed碳化硅技術實現(xiàn)大規(guī)模商用
碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中
碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究
一、引言
化學機械拋光(CMP)工藝是實現(xiàn)碳化硅(SiC)襯底全局平坦化的關鍵技術,對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關重要??偤穸绕睿═TV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標之一,其精確控制
碳化硅在電機驅動中的應用
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
碳化硅晶圓特性及切割要點
01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化
發(fā)表于 06-25 09:13
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
發(fā)表于 04-02 11:40
?0次下載
全碳化硅直流充電設備技術研究案例
評論