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年產(chǎn)3.96億顆!浙江再添先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目

今日半導(dǎo)體 ? 來源:今日半導(dǎo)體 ? 2024-02-22 10:00 ? 次閱讀
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近日,浙江微鈦先進(jìn)封測(cè)研發(fā)基地項(xiàng)目開工。

據(jù)悉,項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)位于經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)輝埠片區(qū),總投資15億元。項(xiàng)目總用地面積110畝,總建筑面積約10.5萬平方米,建設(shè)內(nèi)容主要包括新建廠房及辦公樓等,購置數(shù)控機(jī)床、臥式加工中心、立式加工中心等設(shè)備。建設(shè)單位為浙江微鈦集成電路有限公司,建設(shè)工期為2024—2026年,計(jì)劃2024年3月開工。

項(xiàng)目投用后,可形成年封裝/測(cè)試3.96億顆FCCSP10x10芯片、0.198億FCBGA33x33芯片及1.342億WBBGA芯片的生產(chǎn)能力,年銷售收入38億元,年可貢獻(xiàn)稅收約為3.5億元以上。本文來源:衢州發(fā)布

FCCSP封裝 是什么?

FC-CSP 是芯片級(jí)尺寸封裝(CSP)形式中的一種。根據(jù)J-STD-012 標(biāo)準(zhǔn)的定義口,CSP 是指封裝體尺寸不超過裸芯片 1.2倍的一種封裝形式,它通過凸塊與基板倒裝焊方式實(shí)現(xiàn)芯片與基板的電氣互連,且芯片面朝下,芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連。相比于 WB 和TAB 鍵合方法,F(xiàn)C-CSP 中的半導(dǎo)體芯片與基板的間距更小,信號(hào)損失減小,I/O密度高,更適合大規(guī)模集成電路 (LSI)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)和專用集成電路(ASIC)芯片使用。FC-CSP 的基本封裝結(jié)構(gòu)如圖所示。

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作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),F(xiàn)C-CSP 主要具有如下技術(shù)特點(diǎn)。

(1)封裝尺寸較?。篎C-CSP 的封裝面積不到 QPP (0.5mm 節(jié)距)的1/10,只有BCA 封裝的 1/3~1/10;特別是運(yùn)用銅杜凸塊封裝,可以進(jìn)一步滅小凸塊間距,從而減小封裝面積。

(2)引腳數(shù)(I0)更多:在相同尺寸的芯片封裝中,相對(duì)于傳統(tǒng)的打線封裝,F(xiàn)C-CSP 可容納更多的引腳數(shù)。

(3) 電性能更優(yōu):由于芯片與封裝外殼布線之間的互連線更短,寄生參數(shù)更小,信號(hào)干擾較小,且信號(hào)傳輸延遲時(shí)問短,因此具有更小的電阻率,以區(qū)更快的信號(hào)傳輸速度。

(4) 實(shí)現(xiàn)多種不同功能芯片及器件的一體式封裝。以單芯片 (Single Die) FC-CSP 產(chǎn)品為例,F(xiàn)C-CSP 封裝工藝流程如圖所示。

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FC-CSP 的關(guān)鍵技術(shù)如下所述、

(1)FC-CSP 對(duì)于封裝的厚度有較高的要求,因此在圓片減薄時(shí),需要嚴(yán)格控制好最終的厚度(在目標(biāo)值士151μm 以內(nèi))。另外,還要控制好工藝參數(shù)避免在切割時(shí)發(fā)生產(chǎn)品芯片破片及裂紋如圖等問題

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(2)由于采用回流焊連接芯片凸塊及基板的線路,所以需要防止回流過程中的斷路,以及過小間距時(shí)的短路問題。特別是當(dāng)芯片與基板的面積比較大時(shí),由于芯片與基板材料的熱收縮比有所不同,可能造成高溫回流焊時(shí)的翹曲不致,從而產(chǎn)生一定的應(yīng)力,導(dǎo)致凸塊與基板連接處發(fā)生斷裂。

(3)必須嚴(yán)格控制回流焊的降溫速率,避免凸塊與基板結(jié)合處及圓片內(nèi)低K材料的斷裂。通常,降溫到 150攝氏度以下時(shí),應(yīng)控制降溫速率在4攝氏度/s以內(nèi),如圖所示。

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(4)當(dāng)凸塊與基板上的線路較窄時(shí),必須嚴(yán)格控制凸塊的錫量及倒裝對(duì)位的精度,防止凸塊與鄰近的基板線路相連而造成短路。

(5)倒裝貼片后,必須用塑封體并加以固化來保護(hù)內(nèi)部的芯片,同時(shí)也起到阻隔外界信號(hào)干擾的作用。必須嚴(yán)格控制塑封過程中的固化時(shí)間及溫度,避免塑封體與芯片分離,以及塑封后產(chǎn)品翹曲問題等的發(fā)生。

結(jié)合工藝和目前各 IC 制造廠 商的研發(fā)情況來看,F(xiàn)C-CSP 的主要結(jié)構(gòu)類型有單芯片 (Single Die) FC-CSP、多芯片平置 ( Muli-Chip Side byside) FC-CSP(見圖1)和疊層芯片混聯(lián) (Stacked-Die Hybid) FC-CSP(見圖2)。疊層封裝是指在一個(gè)芯腔或基片上將多個(gè)芯片堆看起來,芯片與芯片或封裝之問實(shí)現(xiàn)連接。疊層封裝主要應(yīng)用在手機(jī)處理器中,以此來降低功耗、縮小尺寸,提高封裝的集成度和性能。

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隨著 FC-CSP 技術(shù)的迅速推廣,其應(yīng)用也越來越廣泛,主要應(yīng)用領(lǐng)域如下

所述

(1)消費(fèi)類電子產(chǎn)品:手機(jī)、便攜式攝像機(jī)、數(shù)碼電子產(chǎn)品、DVD、無線產(chǎn)品等。

(2)計(jì)算機(jī)類:穩(wěn)壓器、高速存儲(chǔ)器、智能卡、外設(shè)等。

(3)通信類:數(shù)宇傳呼機(jī)、移動(dòng)電話、CPS 等。

(4)因其具有高引腳數(shù)、小型化、微型化、薄型化、多功能等特性,使得FC-CSP 在網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)宇信號(hào)處理、混合信號(hào)和射頻信號(hào)、專用集成電路、微控制器等領(lǐng)域有著更廣泛的應(yīng)用。




審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:總投資15億!年產(chǎn)3.96億顆!浙江再添先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目

文章出處:【微信號(hào):today_semicon,微信公眾號(hào):今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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