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天睿半導(dǎo)體項目將新建8英寸碳化硅SiC和氮化鎵GaN晶圓廠

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) ? 2024-02-23 10:44 ? 次閱讀
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2月20日,福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會召開,大會進行了重大項目集中簽約儀式,長樂區(qū)簽約落地16個重大項目,其中之一為天睿半導(dǎo)體項目。

據(jù)悉,天睿半導(dǎo)體項目將新建8英寸碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)晶圓廠,并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。項目落地后將為福州帶來先進的SiC、GaN等領(lǐng)域生產(chǎn)研發(fā)經(jīng)驗,打造千億級第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

福建天睿半導(dǎo)體有限公司成立于2023年2月14日,由福州新投天睿投資有限公司與福州昊盛天睿投資有限公司共同出資成立。

此外,今年1月,福州還引入2個GaN項目,投資總金額超10億元。

·芯睿半導(dǎo)體GaN晶圓廠項目:由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè),具體項目細節(jié)未公布。

·福州鎵谷GaN外延片項目:由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè),主營第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn),預(yù)計投入10億元,達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。

近年來,以碳化硅和氮化鎵為代表第三代半導(dǎo)體材料,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能,是支撐新能源汽車、光伏儲能、高速軌交、智慧電網(wǎng)、新一代移動通信等產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的重點核心材料。

各地政府陸續(xù)出臺政策支持第三代半導(dǎo)體發(fā)展,鼓勵企業(yè)深入布局。在福州已簽約的第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目基礎(chǔ)上,此次天睿半導(dǎo)體項目簽約落地,有助于福州進一步完善第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

來源:福州新聞網(wǎng)、集邦化合物半導(dǎo)體





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:8英寸SiC和GaN晶圓廠項目簽約福建

文章出處:【微信號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),微信公眾號:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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