美光科技啟動高帶寬存儲芯片生產(chǎn) 為英偉達(dá)最新AI芯片提供支持
美光科技已啟動量產(chǎn)適用于英偉達(dá)最新AI芯片的高速內(nèi)存半導(dǎo)體，周一（26 日）盤前股價漲幅達(dá)4%以上。該司宣稱，新款HBM3E存儲芯片的性能較其他競品能降低30%能耗，助力滿足日益增加的AI生成型應(yīng)用需求。
英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片，預(yù)計于今年第2季交付，有望超越現(xiàn)有的H100芯片，為美光科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績。此外，龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM（高寬帶存儲器）芯片市場需求持續(xù)升溫，令投資者對美光將穩(wěn)健應(yīng)對市場逐步回暖抱有期待。
值得注意的是，HBM可謂是美光科技盈利最多的業(yè)務(wù)之一，這與其先進(jìn)復(fù)雜的制造工藝密不可分。據(jù)企業(yè)此前透露，預(yù)期2024財年HBM部門銷售額將累計超過“數(shù)億”美元，且在2025年保持穩(wěn)速遞增。
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jf_15747056
發(fā)布于 :2026年01月14日 18:39:59
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