存儲(chǔ)器巨頭美光公司于今年MWC盛會(huì)上推出多款新品，包括UFS 4.0和HBM3E。公司副總裁兼行動(dòng)業(yè)務(wù)部門首席執(zhí)行官蒙提斯在接受本報(bào)專訪時(shí)預(yù)計(jì)，明年將成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的好年景，美光將迎戰(zhàn)新市場(chǎng)機(jī)遇，未來(lái)幾個(gè)季度的業(yè)績(jī)令人期待。

美光展示了豐富的新產(chǎn)品信息，眾多高管拜訪了參展的制造商。對(duì)于今年存儲(chǔ)器行業(yè)的預(yù)測(cè)，蒙提斯表示，由于AI技術(shù)如火如荼地發(fā)展以及硬件規(guī)格的升級(jí)，存儲(chǔ)器行業(yè)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭。特別是邊緣設(shè)備的智慧型手機(jī)應(yīng)用有望增加，進(jìn)而激發(fā)消費(fèi)者換新手機(jī)的欲望。

他指出，無(wú)論是云計(jì)算還是邊緣運(yùn)算，美光均已開發(fā)新的產(chǎn)品，包括LPDDR5x、UFS 4.0及HBM3E，這些產(chǎn)品均能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售。隨著AI新技術(shù)的進(jìn)展，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)料將前景廣闊，美光運(yùn)營(yíng)業(yè)績(jī)值得期待。

美光宣布推出新型相關(guān)產(chǎn)品UFS 4.0和HBM3E，其中UFS 4.0使用232層3D NAND Flash制成，擁有當(dāng)前全球最為精細(xì)的UFS封裝，內(nèi)存最大容量高達(dá)1TB，目前正處于送審階段。

對(duì)于市場(chǎng)主流的UFS規(guī)格，雖然依然保持在UFS 2.3到UFS 3.0之間，但在AI與其它新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，邊緣設(shè)備采用的UFS規(guī)格將會(huì)不斷升級(jí)。而美光作為技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，始終在推進(jìn)市場(chǎng)前沿，即使UFS 5.0規(guī)范尚未問(wèn)世，美光亦已做好提前布局的準(zhǔn)備。

此外，關(guān)于高速存儲(chǔ)器HBM3E，他解釋道，早前公司曾發(fā)布混合存儲(chǔ)器立方體（HMC），對(duì)此類存儲(chǔ)器產(chǎn)品已有超過(guò)十年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，雖然HBM3E生產(chǎn)難度極高，但研制人員已經(jīng)解決該問(wèn)題。