全球首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓誕生
業(yè)內傳來最新消息，據湖北九峰山實驗室稱，于20日成功打造全球首款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓。此創(chuàng)新成果采用8英寸SOI硅光晶圓和8英寸鈮酸鋰晶圓進行鍵合，每片晶圓集結了光電收發(fā)功能，成為現有全球頂級硅基化合物光電集成技術的代表之作。
它能夠大批量生產具有超低損耗和超高帶寬的高端光芯片，被譽為全球最優(yōu)秀的光電集成芯片。該研究是由九峰山實驗室攜手行業(yè)關鍵合作伙伴共同完成，即將實現廣泛的商業(yè)應用。
當前，業(yè)界針對薄膜鈮酸鋰的研發(fā)仍主要側重于3英寸、4英寸以及6英寸晶圓的制備及其上面的微納加工工藝。而此次九峰山實驗室成功研制的這款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，首次實現了低損耗的鈮酸鋰波導、高速率電光調制器等多種芯片的集成。
這一突破性的成果無疑為薄膜鈮酸鋰光電芯片的制作和巨大規(guī)模的光子集成開辟了一條充滿希望的產業(yè)化道路，并且為高性能光通信的應用場景提供了解決難題的有效科技途徑。
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