近期，武漢新芯向相關(guān)部門提交了三份融資備案申請，即高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化項目、C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)項目以及高容值密度深溝槽電容制造工藝技術(shù)研發(fā)項目。

首先，針對高帶寬存儲器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化項目，武漢新芯計劃運用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)研發(fā)并建立生產(chǎn)線，預(yù)計投入16臺生產(chǎn)設(shè)備以實現(xiàn)每月產(chǎn)量不低于3000片（12英寸）。

其次，在C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)項目方面，該企業(yè)采用三維集成芯粒與晶圓混合鍵合（C2W）工藝平臺，通過整合獨立制造的芯粒和晶圓，實現(xiàn)三維高密度互連，進一步提高集成芯片的性能優(yōu)異性和良品率。

此外，企業(yè)還規(guī)劃了芯粒與晶圓混合鍵合技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化實施，預(yù)計新增27臺設(shè)備以期達到每月產(chǎn)出3000片（12英寸）的預(yù)期目標。

最后，在高容值密度深溝槽電容制造工藝技術(shù)研發(fā)項目上，武漢新芯計劃利用先進光刻、刻蝕、高級介電常數(shù)介質(zhì)沉積和多層重布線等工藝技術(shù)，研發(fā)出具有高電容密度、低漏電流、高擊穿電壓和穩(wěn)定電容值等特性的深溝槽電容產(chǎn)品。旨在推動國產(chǎn)深溝槽電容芯片自給自足，預(yù)計增投14臺設(shè)備可達成每月生產(chǎn)1000片12英寸晶圓的目標。

值得留意的是，2月29日，天眼查顯示武漢新芯發(fā)生多項工商變更，原股東長江存儲科技控股有限責任公司已退出，現(xiàn)新增投資者包括中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金（有限合伙）、中銀金融資產(chǎn)投資有限公司、建信金融資產(chǎn)投資有限公司、農(nóng)銀金融資產(chǎn)投資有限公司等。同時，武漢新芯的注冊資本也由約57.82億元增至約84.79億元，漲幅高達46.64%。此外，該公司多位高層也進行了職務(wù)變動。