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功率器件廠(chǎng)商IGBT收入大比拼:有人大幅備貨擴(kuò)產(chǎn),有人供過(guò)于求暴降

Tanya解說(shuō) ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:劉靜 ? 2024-04-13 00:12 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,國(guó)內(nèi)時(shí)代電氣、士蘭微、蘇州固锝、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電等功率器件上市公司陸續(xù)公布了2023年財(cái)報(bào)。相對(duì)其他半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)績(jī)的普遍下滑,功率器件行業(yè)在SiC、IGBT高景氣產(chǎn)品影響下業(yè)績(jī)表現(xiàn)各家差異化比較大,有人歡喜有人愁。

電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了7家已發(fā)布2023年業(yè)績(jī)的功率器件上市公司。數(shù)據(jù)顯示,2023年國(guó)內(nèi)功率器件的上市公司營(yíng)收總體都實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng),其中銀河微電的營(yíng)收是從去年的負(fù)增長(zhǎng)轉(zhuǎn)向正增長(zhǎng)。

功率器件廠(chǎng)商去年在盈利方面表現(xiàn)不太理想,歸母凈利潤(rùn)普遍負(fù)增長(zhǎng),士蘭微、捷捷微電凈利降幅較去年有所擴(kuò)大,且蘇州固锝、新潔能的凈利由2022年的正增長(zhǎng)轉(zhuǎn)向負(fù)增長(zhǎng)。
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此外,2023年?duì)I收出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的僅有新潔能這一家,而且新潔能也是這七家功率器件企業(yè)中唯一營(yíng)收和凈利雙重負(fù)增長(zhǎng)的,業(yè)績(jī)表現(xiàn)相對(duì)不佳。業(yè)績(jī)表現(xiàn)較亮眼的是時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo),它們營(yíng)收和凈利均實(shí)現(xiàn)了雙重增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體功率器件主要包括二極管晶閘管、MOSFET、IGBT、SiC等。2023年二三極管、晶體管、中低壓MOS出現(xiàn)供需失衡并大幅降價(jià)的現(xiàn)象。

目前市場(chǎng)增長(zhǎng)主要依賴(lài)IGBT和SiC,根據(jù)Omdia、Yole的數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)IGBT(含模塊)2025年市場(chǎng)規(guī)模將快速增至136億美元,同期SiC功率器件有望突破43億美元,2021年至2025年SiC市場(chǎng)表現(xiàn)高達(dá)42%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。下面我們重點(diǎn)分析下,國(guó)內(nèi)以IGBT或SiC器件為主的功率器件企業(yè)業(yè)績(jī)。

時(shí)代電氣:國(guó)內(nèi)高壓IGBT龍頭,功率器件收入大增69%

時(shí)代電氣是國(guó)內(nèi)高壓IGBT龍頭,在這一領(lǐng)域基本上是它一家獨(dú)大了。高壓IGBT一般指電壓大于2500V,主要應(yīng)用在高鐵、動(dòng)車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)功率器件廠(chǎng)商中,做高壓IGBT的比較少,僅時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)有所布局。

時(shí)代電氣建有8英寸IGBT產(chǎn)業(yè)化工廠(chǎng),它的IGBT產(chǎn)品最高電壓可達(dá)6500V。時(shí)代電氣6500V供高鐵使用的IGBT與模塊的成功推出,一舉打破了國(guó)外英飛凌、三菱對(duì)高鐵這一領(lǐng)域市場(chǎng)的長(zhǎng)期壟斷。

時(shí)代電氣IGBT模塊交付在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域市場(chǎng)份額大幅領(lǐng)先,占有率國(guó)內(nèi)第一。而且受益快速發(fā)展的新能源市場(chǎng),時(shí)代電氣的IGBT產(chǎn)品在新能源汽車(chē)占有率也迅速提升。根據(jù)NE時(shí)代統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),時(shí)代電氣2023年新能源乘用車(chē)功率模塊裝機(jī)量突破100萬(wàn)套,市占率12.5%,排名國(guó)內(nèi)第三。據(jù)說(shuō),2023年時(shí)代電氣功率模塊新獲北汽、上汽等多家客戶(hù)訂單。

此外,時(shí)代電氣集中式光伏IGBT模塊市占率也在快速提升,2023年其組串式模塊實(shí)現(xiàn)批量供貨。5W IGBT制氫電源助力國(guó)內(nèi)首個(gè)萬(wàn)噸級(jí)綠電制氫項(xiàng)目成功產(chǎn)氫。

在SiC方面,時(shí)代電氣也同樣有所布局,它有6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化工廠(chǎng),并開(kāi)發(fā)了三代產(chǎn)品,分別對(duì)應(yīng)1200V-3300V等級(jí)的軌交、電網(wǎng)市場(chǎng),以及650V-1200V的新能源汽車(chē)、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電等市場(chǎng),最新消息說(shuō)時(shí)代電氣的第三代1200V SiC MOSFET芯片已達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。

2023年時(shí)代電氣營(yíng)收突破218億元,同比增長(zhǎng)20.88%;歸母凈利潤(rùn)31.06億元,同比增長(zhǎng)21.52%。其中時(shí)代電氣的半導(dǎo)體功率器件取得收入31億元,同比增長(zhǎng)69%。新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)19億元,同比大幅增長(zhǎng)75%,表現(xiàn)亮眼。

財(cái)報(bào)顯示,2023年時(shí)代電氣半導(dǎo)體器件銷(xiāo)量為414.23萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)66.79%;庫(kù)存量?jī)H有69.71萬(wàn)只,僅同比增長(zhǎng)10.65%??梢?jiàn)靠著差異化打法的時(shí)代電氣,半導(dǎo)體器件銷(xiāo)售暢旺,庫(kù)存水位健康。

斯達(dá)半導(dǎo):IGBT模塊收入突破33億,在大幅備貨IGBT

以“英飛凌芯片+自營(yíng)封裝”模式起家的斯達(dá)半導(dǎo),近幾年在IGBT市場(chǎng)也成長(zhǎng)迅猛。財(cái)報(bào)顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)營(yíng)收36.63億元,同比增長(zhǎng)35.39%;歸母凈利潤(rùn)9.11億元,同比增長(zhǎng)11.36%。在上述七家功率器件企業(yè)中,斯達(dá)半導(dǎo)的營(yíng)收增速是最高的,表現(xiàn)出較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。

斯達(dá)半導(dǎo)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的動(dòng)能主要來(lái)自IGBT產(chǎn)品,其9成營(yíng)收都是IGBT產(chǎn)品貢獻(xiàn)的,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品共實(shí)現(xiàn)收入33.31億元,同比增長(zhǎng)49.73%。
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2020年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品收入還不到10億元,不到四年,斯達(dá)半導(dǎo)2023年IGBT就突破了33億,年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)53.63%,一路高歌猛進(jìn)。而且IGBT的盈利空間比較大,受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑影響小,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品仍保持37.72%的高毛利率,而士蘭微的發(fā)光二極管傳統(tǒng)功率器件因低價(jià)內(nèi)卷嚴(yán)重,該產(chǎn)品毛利率2023年已跌為負(fù)數(shù)。

雖然斯達(dá)半導(dǎo)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)較為單一,但靠著把IGBT這一產(chǎn)品做好做領(lǐng)先,依舊賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)在海外也取得不錯(cuò)的進(jìn)展,其產(chǎn)品在亞洲之外的其他地區(qū)收入同比大幅增長(zhǎng)200.42%。據(jù)說(shuō),斯達(dá)半導(dǎo)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線(xiàn)品牌Tier1開(kāi)始大批量交付。

斯達(dá)半導(dǎo)仍非常看好2024年IGBT在海內(nèi)外市場(chǎng)的增長(zhǎng),為此它也在大幅度地備貨IGBT。財(cái)報(bào)顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT模塊生產(chǎn)量為1373萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)49.23%;IGBT模塊庫(kù)存量為129萬(wàn)只,同比大幅增長(zhǎng)230.84%。斯達(dá)半導(dǎo)表示,“2023年度公司為了更好地滿(mǎn)足客戶(hù)需求,對(duì)IGBT模塊進(jìn)行了合理的備貨,庫(kù)存量較上年同期有所增加?!?br />
2023年,斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量,合計(jì)配套超過(guò)200萬(wàn)套新能源汽車(chē)主電機(jī)控制器。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車(chē)。

斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車(chē)型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),此外斯達(dá)半導(dǎo)還新增多個(gè)使用車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),這將為斯達(dá)半導(dǎo)2024年的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)提供不少新動(dòng)力。

士蘭微:IGBT收入同比增長(zhǎng)140%以上,加快建設(shè)IGBT芯片、碳化硅MOS產(chǎn)能

士蘭微國(guó)內(nèi)的大型功率器件廠(chǎng)商之一,2022年其收入規(guī)模進(jìn)入全球前二十功率器件廠(chǎng)商榜單。最新的財(cái)報(bào)顯示,2023全年士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入93.4億元,同比增長(zhǎng)12.77%。

不過(guò),這家國(guó)內(nèi)功率器件大廠(chǎng)在2023年卻意外出現(xiàn)虧損,歸母凈利潤(rùn)虧損0.36億元,同比減少103.40%,這是士蘭微上市20年來(lái)的首次虧損。

士蘭微的虧損主要來(lái)自?xún)煞矫妫阂皇鞘刻m微持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌,導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈收益-45227萬(wàn)元;二是受LED芯片市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響,士蘭微LED芯片價(jià)格較去年年末下降10%-15%,導(dǎo)致控股子公司士蘭明芯經(jīng)營(yíng)性虧損較上年度進(jìn)一步擴(kuò)大。

如果只看IGBT業(yè)務(wù),2023年士蘭微還是取得不錯(cuò)成績(jī)的。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,2023年士蘭微IGBT器件、IGBT大功率模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)快速,實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入已達(dá)14億元,較2022年增長(zhǎng)140%以上,業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼。

據(jù)說(shuō),士蘭微用于汽車(chē)的IGBT器件(單管)已實(shí)現(xiàn)大批量出貨,且用于光伏的IGBT器件(成品)、SiC MOS器件也已實(shí)現(xiàn)批量出貨。士蘭微自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,也已經(jīng)在比亞迪、吉利、零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長(zhǎng)安等國(guó)內(nèi)外多家客戶(hù)實(shí)現(xiàn)批量供貨。

2023年士蘭微推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案。還完成了多個(gè)電壓平臺(tái)的RC-IGBT產(chǎn)品的研發(fā),該類(lèi)產(chǎn)品今后將在汽車(chē)主驅(qū)、儲(chǔ)能、風(fēng)電、IPM模塊等領(lǐng)域中推廣使用。

盡管目前士蘭微IGBT、SiC對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)不是太大,但士蘭微的發(fā)展重心開(kāi)始有傾向這兩大功率器件的跡象,它正在加快汽車(chē)級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片的產(chǎn)能建設(shè)。士蘭微通過(guò)士蘭明鎵對(duì)SiC進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),截至目前,士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力,預(yù)計(jì)2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭微重要參股公司,士蘭集科2023年加快推進(jìn)IGBT芯片產(chǎn)能建設(shè),截至2023年底,已具備月產(chǎn)2.5萬(wàn)片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。

新潔能:IGBT業(yè)務(wù)收入意外下滑33.97%,光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域IGBT供過(guò)于求

新潔能是光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)IGBT單管龍頭。2023年,新潔能實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入14.77億元,同比減少18.46%;歸母凈利潤(rùn)為3.23億元,同比減少25.75%。在已發(fā)布2023年業(yè)績(jī)的7家功率器件企業(yè)當(dāng)中,新潔能的業(yè)績(jī)表現(xiàn)相對(duì)不理想,營(yíng)收和凈利出現(xiàn)雙雙下滑。

上述時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)和士蘭微IGBT業(yè)務(wù)均實(shí)現(xiàn)亮眼增長(zhǎng),但新潔能的IGBT業(yè)務(wù)卻意外大幅下滑。財(cái)報(bào)顯示,2023年新潔能IGBT產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入2.66億元,比去年同期下滑了33.97%,銷(xiāo)售占比也從2022年的22.33%下降到2023年的18.09%。

別人IGBT都在大幅增長(zhǎng),新潔能IGBT業(yè)務(wù)收入?yún)s下滑超3成。這主要是因?yàn)樗鼈兏髯訧GBT側(cè)重的應(yīng)用領(lǐng)域不同,新潔能的IGBT在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域應(yīng)用較多。

新潔能表示,由于2023年公司的主要下游光伏儲(chǔ)能客戶(hù)處于消化庫(kù)存階段,整體處于供大于求的狀態(tài)。公司積極調(diào)整結(jié)構(gòu)應(yīng)對(duì)下游變化,拓寬了更多的應(yīng)用領(lǐng)域,加大了對(duì)于變頻、小家電、工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)等領(lǐng)域的銷(xiāo)售力度,但受到2023年光伏儲(chǔ)能需求減弱的影響,整體IGBT產(chǎn)品的銷(xiāo)售仍然呈現(xiàn)下滑狀態(tài)。

2023年新潔能的第七代微溝槽高功率密度IGBT平臺(tái)的650V和1200V大飽和電流的中高頻系列產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)內(nèi)部測(cè)試,正在進(jìn)行客戶(hù)端導(dǎo)入測(cè)試,同系列光伏逆變應(yīng)用的業(yè)界最大電流TO-247 Plus封裝單管產(chǎn)品1200V 160A產(chǎn)品也已經(jīng)進(jìn)行客戶(hù)應(yīng)用驗(yàn)證。此外,新潔能IGBT并聯(lián)SiC二極管產(chǎn)品也已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證。

IGBT并聯(lián)SiC已經(jīng)成為功率器件行業(yè)未來(lái)發(fā)展的新方向,士蘭微也在推出SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案。




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    智能工廠(chǎng)管理方案 一、技術(shù)賦能:讓車(chē)間設(shè)備 “會(huì)思考、能聯(lián)動(dòng)” 有人物聯(lián)網(wǎng)方案整合 5G、邊緣計(jì)算、工業(yè)大數(shù)據(jù) 等硬核技術(shù),讓智能工廠(chǎng)里的機(jī)床、產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備實(shí)現(xiàn) “萬(wàn)物互聯(lián)”。設(shè)備狀態(tài)實(shí)時(shí)上云、生產(chǎn)數(shù)據(jù)毫秒級(jí)交互,就連故障預(yù)警都能提
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:48 ?648次閱讀
    我國(guó)近 8000 個(gè)智能工廠(chǎng) / 數(shù)字化車(chē)間爆發(fā),<b class='flag-5'>有人</b>物聯(lián)網(wǎng)方案才是工業(yè)智能的 “王牌玩家”

    紅外探測(cè)器“歡樂(lè)大比拼”:非制冷vs制冷,看看誰(shuí)更“牛”!

    在科技飛速發(fā)展的今天,紅外探測(cè)器就像隱藏在暗處的“超級(jí)眼睛”,在安消防、工業(yè)檢測(cè)、戶(hù)外觀(guān)測(cè)等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著不可或缺的作用。而在紅外探測(cè)器的大家族中,非制冷和制冷型這兩大“明星選手”常常被人們拿來(lái)比較,今天就讓我們來(lái)一場(chǎng)歡樂(lè)大比拼,看看它們誰(shuí)更“?!?!
    的頭像 發(fā)表于 10-16 10:21 ?1116次閱讀
    紅外探測(cè)器“歡樂(lè)<b class='flag-5'>大比拼</b>”:非制冷vs制冷,看看誰(shuí)更“?!?!

    IGBT的概念、靜態(tài)參數(shù)及測(cè)試方法

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓優(yōu)勢(shì)?。
    的頭像 發(fā)表于 09-20 16:46 ?3056次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b>的概念、靜態(tài)參數(shù)及測(cè)試方法

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:43 ?1611次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與<b class='flag-5'>IGBT</b>為例

    揚(yáng)杰IGBT七單元模塊:全封裝矩陣平替進(jìn)口,重構(gòu)國(guó)產(chǎn)化功率器件新生態(tài)

    國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中,揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案,以六大封裝矩陣精準(zhǔn)對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌,實(shí)現(xiàn)“零改
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:50 ?1098次閱讀

    什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組?特性是什么?主要應(yīng)用哪里?

    IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管) ? 電力電子領(lǐng)域核心開(kāi)關(guān)器件,
    的頭像 發(fā)表于 05-26 14:37 ?3381次閱讀

    部分外資廠(chǎng)商IGBT模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠(chǎng)商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析,并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估: 一、失效報(bào)告作假的根
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?1052次閱讀
    部分外資<b class='flag-5'>廠(chǎng)商</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊失效報(bào)告作假對(duì)中國(guó)<b class='flag-5'>功率</b>模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響

    向電源行業(yè)的功率器件專(zhuān)家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠(chǎng)商失效報(bào)告造假!

    中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專(zhuān)家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠(chǎng)商造假的事件,是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話(huà)語(yǔ)權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度,成功揭露了國(guó)外
    的頭像 發(fā)表于 04-27 16:21 ?741次閱讀
    向電源行業(yè)的<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>專(zhuān)家致敬:拆穿海外<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊<b class='flag-5'>廠(chǎng)商</b>失效報(bào)告造假!

    功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-16 08:06 ?1789次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模塊:PPS注塑加工案例