三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，采用290層雙重堆疊技術(shù)
近日，三星半導(dǎo)體宣布已順利實(shí)現(xiàn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)，單芯片容量較前代提升近50%，同時(shí)通過新型通道孔蝕刻技術(shù)提升了生產(chǎn)效益。
作為九代V-NAND的核心技術(shù)，雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解，三星計(jì)劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，層數(shù)有望達(dá)到驚人的430層，從而大幅提升NAND密度，鞏固并擴(kuò)大其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。
市場研究機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測(cè)，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來38.1%的反彈。為抓住這一市場機(jī)遇，三星承諾加大對(duì)NAND業(yè)務(wù)的投入力度。
值得注意的是，三星高層曾表示，公司計(jì)劃在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
云計(jì)算
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
8021瀏覽量
144425 -
人工智能
+關(guān)注
關(guān)注
1817文章
50099瀏覽量
265440 -
NAND芯片
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
24瀏覽量
10397
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
消息稱英偉達(dá)HBM4訂單兩家七三分，獨(dú)缺這一家
的相關(guān)產(chǎn)品。 三星電子HBM4 采用1c DRAM 和 4nm 制程工藝，其數(shù)據(jù)處理速度超過了JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps，最高可達(dá)11.7Gbps，比上一
每塊GPU對(duì)應(yīng)16TB SSD，英偉達(dá)KV緩存虹吸高性能TLC SSD
額外配置16TB TLC SSD，花旗預(yù)計(jì)2026年、2027年將分別帶來占全球NAND需求總量2.8%、9.3%的新增需求。 ? 三星電子在 2025Q4 財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，除了計(jì)
今日看點(diǎn)：鎧俠：300元1TB SSD時(shí)代結(jié)束；蘇大維格：常州維普產(chǎn)品已進(jìn)入頭部晶圓廠和掩膜版廠商量產(chǎn)線
鎧俠：300元1TB SSD時(shí)代結(jié)束 日前，鎧俠存儲(chǔ)器事業(yè)部執(zhí)行董事中戸浩介（Shunsuke Nakato）在韓國接受采訪時(shí)表示花7000日元就買到1TB SSD時(shí)代已經(jīng)結(jié)束了，而且這波AI誘發(fā)
發(fā)表于 01-22 17:54
?472次閱讀
PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費(fèi)級(jí)市場
固態(tài)硬盤9100 PRO系列。三星 9100 PRO 8TB采用了 PCIe 5.0 x4 接口設(shè)計(jì)，支持 NVMe 2.0 協(xié)議，搭配三星自研控制器、
索尼展示三層堆疊圖像傳感器技術(shù)，性能全方位提升
。這項(xiàng)技術(shù)是索尼長期發(fā)展計(jì)劃的一部分，基于現(xiàn)有兩層堆疊傳感器（如索尼a1 II相機(jī)中使用的）進(jìn)行升級(jí)。 ? 現(xiàn)有的雙層堆疊傳感器，分為像素
發(fā)表于 08-15 09:53
?2246次閱讀
蘋果iPhone18系列有望配2億相機(jī)傳感器：三星供應(yīng)，全球首次應(yīng)用
《金融時(shí)報(bào)》8 月 7 日發(fā)布博文，報(bào)道稱蘋果將攜手三星公司，在三星位于得克薩斯州奧斯汀的半導(dǎo)體工廠內(nèi)，合作研發(fā)和量產(chǎn)創(chuàng)新芯片技術(shù)，將為 iPhone 18 提供
采用第九代QLC NAND的美光2600 NVMe SSD介紹
美光一直在QLC市場占有優(yōu)勢(shì)，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢(shì)地位。
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲(chǔ)器開始送樣
融合現(xiàn)有存儲(chǔ)單元與先進(jìn)的 CMOS 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D
發(fā)表于 07-28 15:30
?720次閱讀
突破堆疊瓶頸：三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合
今日看點(diǎn)丨NAND Flash Q3將漲價(jià)超15%；阿斯麥警告 2026 年增長目標(biāo)堪憂；蘋果折疊手機(jī)將采用三星無折痕方案
1、NAND Flash第三季度將漲價(jià)超15% 據(jù)業(yè)界最新預(yù)測(cè)，第三季NAND Flash漲價(jià)已成定局，其中，512Gb以下
發(fā)表于 07-17 10:13
?2897次閱讀
看點(diǎn)：三星電子Q2利潤預(yù)計(jì)重挫39% 星動(dòng)紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資
）這意味著三星電子預(yù)計(jì)其第二季度營業(yè)利潤暴跌39%。這也是三星六個(gè)季度以來的最低業(yè)績水平，同時(shí)，這也意味著三星業(yè)績連續(xù)第四個(gè)季度下滑。 業(yè)界分析師認(rèn)為銷售限制持續(xù)存在，而且三星尚未開始
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論