91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      三星擬應(yīng)用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝

      微云疏影 ? 來源：綜合整理 ? 作者：綜合整理 ? 2024-04-30 15:09 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      據(jù)韓國(guó)媒體TheElec報(bào)導(dǎo)，三星已著手在下一代DRAM極紫外線（EUV）光刻工藝中引入金屬氧化物抗蝕劑（MOR）技術(shù)。

      據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進(jìn)芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強(qiáng)抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無法滿足當(dāng)前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

      因此，三星計(jì)劃在第6代10納米DRAM（1c DRAM）中采用MOR技術(shù)，并在六至七層運(yùn)用EUV PR。預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品將在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

      此外，三星還計(jì)劃從多家供應(yīng)商處采購(gòu)EUV MOR光刻膠材料，包括Inpria、杜邦、東進(jìn)半導(dǎo)體以及三星SDI等公司均在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)與測(cè)試工作。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 光刻膠
        +關(guān)注

        關(guān)注

        10

        文章

        354

        瀏覽量

        31780
      • 晶圓制造
        +關(guān)注

        關(guān)注

        7

        文章

        310

        瀏覽量

        25286
      • 三星
        +關(guān)注

        關(guān)注

        1

        文章

        1766

        瀏覽量

        34198
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        光刻膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性？橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

        光刻膠（亦稱光致抗蝕劑）是集成電路制造中的關(guān)鍵材料，其純度直接決定光刻圖形的質(zhì)量與芯片良率。隨著光刻
        的頭像 發(fā)表于 02-09 18:01 ?359次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻</b>膠涂層如何實(shí)現(xiàn)納米級(jí)均勻性？橢偏儀的<b class='flag-5'>工藝</b>控制與缺陷分析

        貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理

        什么是光刻：光刻是IC制造業(yè)中最為重要的一道工藝,占據(jù)了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通?？捎?/div>
        的頭像 發(fā)表于 02-04 11:12 ?97次閱讀
        貼片晶振超高頻<b class='flag-5'>光刻工藝</b>基本原理

        澤攸科技 | EBL和EUV光刻機(jī)有何區(qū)別？如何影響半導(dǎo)體行業(yè)？

        從技術(shù)路徑上看，電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問題的解法。電子束光刻本質(zhì)上是一種直接寫入技術(shù)，利用聚焦電子束在抗
        的頭像 發(fā)表于 01-06 16:49 ?748次閱讀
        澤攸科技 | EBL和<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)有何區(qū)別？如何影響半導(dǎo)體行業(yè)？

        TDK SIOV-S10K***K11金屬氧化物壓敏電阻：小尺寸大作用

        TDK SIOV-S10K***K11金屬氧化物壓敏電阻：小尺寸大作用 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，過壓保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán)。金屬氧化物壓敏電阻（MOV）作為一種常用的過壓保護(hù)元件，能夠在電壓
        的頭像 發(fā)表于 12-26 14:40 ?256次閱讀

        TDK SIOV-S07K系列金屬氧化物壓敏電阻：高性能與可靠性的完美結(jié)合

        TDK SIOV-S07K系列金屬氧化物壓敏電阻：高性能與可靠性的完美結(jié)合 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，過壓保護(hù)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。金屬氧化物壓敏電阻（MOV）作為一種常用的過壓保護(hù)元件，能
        的頭像 發(fā)表于 12-26 14:35 ?267次閱讀

        【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

        一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═TV）是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo)，其厚度
        的頭像 發(fā)表于 10-09 16:29 ?743次閱讀
        【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在<b class='flag-5'>光刻工藝</b>中的反饋控制優(yōu)化研究

        3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

        光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
        的頭像 發(fā)表于 08-05 17:46 ?1190次閱讀
        3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻工藝</b>的表征應(yīng)用

        ROBOT之鼻金屬氧化物半導(dǎo)體氣體傳感器靜電浪涌防護(hù)技術(shù)

        講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）氣體傳感器構(gòu)成的“電子鼻”，核心原理是利用金屬氧化物（如SnO?、ZnO等）表面對(duì)氣體的吸附-脫附特性。當(dāng)目標(biāo)氣體與
        的頭像 發(fā)表于 07-31 18:26 ?1138次閱讀
        ROBOT之鼻<b class='flag-5'>金屬</b><b class='flag-5'>氧化物</b>半導(dǎo)體氣體傳感器靜電浪涌防護(hù)技術(shù)

        金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

        物的應(yīng)用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬
        的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?763次閱讀
        <b class='flag-5'>金屬</b>低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離液組合<b class='flag-5'>物</b>應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

        光刻工藝中的顯影技術(shù)

        一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
        的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?2789次閱讀

        光刻膠的類型及特性

        光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料
        的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9491次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻</b>膠的類型及特性

        三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

        三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
        發(fā)表于 04-18 10:52

        【「芯片通識(shí)課：一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

        ，三合一工藝平臺(tái)，CMOS圖像傳感器工藝平臺(tái)，微電機(jī)系統(tǒng)工藝平臺(tái)。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感
        發(fā)表于 03-27 16:38

        光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

        光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，
        的頭像 發(fā)表于 03-27 09:21 ?3744次閱讀
        <b class='flag-5'>光刻工藝</b>的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

        半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)

        光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由
        的頭像 發(fā)表于 03-18 13:59 ?4070次閱讀
        半導(dǎo)體材料介紹 | <b class='flag-5'>光刻</b>膠及生產(chǎn)<b class='flag-5'>工藝</b>重點(diǎn)企業(yè)