英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
該新品尤其適用于即將普及的48V板網(wǎng)應(yīng)用，如電動(dòng)汽車的直流-直流轉(zhuǎn)換器、48V電機(jī)控制（如EPS系統(tǒng)）以及48V電池開關(guān)等。此外，它也滿足電動(dòng)兩輪車、三輪車等高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性的需求。
OptiMOS? 7 80 V的推出，展現(xiàn)了英飛凌科技在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，以及對(duì)汽車等高要求應(yīng)用市場(chǎng)的深度理解。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
英飛凌
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
2518瀏覽量
142882 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9674瀏覽量
233523
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
深入解析CSD19503KCS 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET
深入解析CSD19503KCS 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天，我們就來詳細(xì)探討
深入解析CSD19502Q5B 80V N - Channel NexFET? Power MOSFET
深入解析CSD19502Q5B 80V N - Channel NexFET? Power MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換和功率控制電路中
IAR與英飛凌共同推出DRIVECORE軟件包及AURIX? RISC?V調(diào)試方案，全面加速SDV開發(fā)進(jìn)程
本次重點(diǎn)呈現(xiàn)與英飛凌在DRIVECORE軟件評(píng)估包產(chǎn)品系列的深度戰(zhàn)略合作，并正式預(yù)告面向英飛凌AURIX? RISC?V系列推出的全新調(diào)試功能。
CSD19505KTT 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET：特性、應(yīng)用與技術(shù)解析
至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入探討德州儀器（TI）推出的CSD19505KTT 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET。 文件下載： csd19505ktt.pdf 一
新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET
新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長(zhǎng)的趨勢(shì)，英飛凌推出XHP
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用
，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來了諸多驚喜。今天，我們就來深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineo
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體
探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能
探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（In
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析
。今天就來詳細(xì)聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2，也就是型號(hào)為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載：
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的
英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V
英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2：性能全面升級(jí)，工業(yè)應(yīng)用的理想選擇！
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全
英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC
發(fā)表于 07-02 15:00
?1710次閱讀
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。
英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論