91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-11 11:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計(jì)。這款評(píng)估板為工程師們提供了一個(gè)快速、便捷的測(cè)試平臺(tái),以評(píng)估基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的性能特性。

EVAL-FFXMR20KM1HDR的核心在于其采用的EiceDRIVER? 1ED38x0Mc12M數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路,這一創(chuàng)新技術(shù)使得評(píng)估板的參數(shù)設(shè)置變得極為靈活。工程師們可以通過(guò)I2C-BUS接口輕松調(diào)整各項(xiàng)參數(shù),從而更精準(zhǔn)地模擬實(shí)際工作環(huán)境,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

這款評(píng)估板的推出,不僅簡(jiǎn)化了碳化硅MOSFET模塊的測(cè)試流程,還提高了測(cè)試效率,為工程師們節(jié)省了大量寶貴的時(shí)間。英飛凌的這一創(chuàng)新產(chǎn)品,無(wú)疑將推動(dòng)碳化硅MOSFET技術(shù)的發(fā)展,為半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    2518

    瀏覽量

    142880
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264105
  • 評(píng)估板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    931

    瀏覽量

    31180
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 英飛凌XHP? 2系列2300V CoolSiC? 碳化硅MOSFET

    新品英飛凌XHP2系列2300VCoolSiC碳化硅MOSFET為順應(yīng)可再生能源領(lǐng)域中1500V直流母線應(yīng)用日益增長(zhǎng)的趨勢(shì),英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 02-26 17:06 ?1216次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>英飛凌</b>XHP? <b class='flag-5'>2</b>系列2300V CoolSiC? <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>

    Q-DPAK Full Bridge V2.1評(píng)估:解鎖碳化硅MOSFET性能新可能

    概述 Q-DPAK Full Bridge V2.1評(píng)估(ISPN: EVAL_QDPAK_FB_V2_1)是一個(gè)專門用于評(píng)估
    的頭像 發(fā)表于 12-18 11:50 ?575次閱讀

    雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估

    、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:48 ?679次閱讀
    雙脈沖測(cè)試技術(shù)解析報(bào)告:國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>模塊</b>替代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的驗(yàn)證與性能<b class='flag-5'>評(píng)估</b>

    傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

    汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,分銷代理BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:04 ?2387次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>特性與保護(hù)機(jī)制深度研究報(bào)告

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    傾佳電子碳化硅MOSFET高級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取
    的頭像 發(fā)表于 10-18 21:22 ?707次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>高級(jí)柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>設(shè)計(jì):核心原理與未來(lái)趨勢(shì)綜合技術(shù)評(píng)述

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1212次閱讀
    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋<b class='flag-5'>模塊</b>Pcore <b class='flag-5'>2</b>系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1465次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>推出</b>34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋<b class='flag-5'>模塊</b>

    基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:26 ?652次閱讀

    SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:57 ?1523次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>時(shí)代的<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片

    碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:22 ?1067次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全橋<b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1056次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?880次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    茜 微信&手機(jī):13266663313 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?695次閱讀
    基于國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    的真相(誤區(qū)一見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp,電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?945次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>性能評(píng)價(jià)的真相

    傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)供電與米勒鉗位解決方案

    SiC-MOSFET,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:21 ?1135次閱讀
    傾佳電子提供SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>正負(fù)壓<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>供電與米勒鉗位解決方案