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Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

Vishay威世科技快訊 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-14 15:33 ? 次閱讀
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Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù),標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的高效高功率密度解決方案。

SiHR080N60E以其小巧的PowerPAK 8 x 8 LR封裝設(shè)計(jì)脫穎而出,其僅10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm的緊湊尺寸,相較于傳統(tǒng)的D2PAK封裝,占位面積大幅減少了50.8%,同時(shí)高度降低了驚人的66%。這種小巧且高效的設(shè)計(jì),不僅節(jié)約了寶貴的空間資源,還顯著提升了系統(tǒng)的功率密度,為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入了新的活力。

隨著通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用對(duì)性能要求的不斷提高,高效、高功率密度的解決方案變得愈發(fā)重要。Vishay公司的這款新型功率MOSFET正是為了滿足這一市場(chǎng)需求而生,它將為各行各業(yè)帶來(lái)更高效、更可靠的電力控制解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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