近期,市場對碳化硅(SiC)在高電流需求應(yīng)用中的應(yīng)用越來越感興趣,各大集成器件制造商正加速擴大SiC的產(chǎn)能投資,并推出多款新產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心、電力基礎(chǔ)設(shè)施和電動車等領(lǐng)域的需求。SiC的滲透率上升,顯著降低了系統(tǒng)成本,成為推動市場接受度提高的重要因素。
在最近的第三類半導(dǎo)體論壇上,SiC領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed指出,SiC的應(yīng)用顯著降低了系統(tǒng)成本,不僅節(jié)省了功率元件的成本,還同時減少了電力、散熱和空間需求,這些都是巨大的優(yōu)勢。據(jù)Wolfspeed預(yù)測,用SiC取代傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體,雖然增加了購買成本,但在系統(tǒng)級別可以節(jié)省數(shù)百美元,并提升了功率密度約2.5倍,節(jié)省了約45%的空間。
碳化硅模塊未來,除了數(shù)據(jù)中心、電動車和電力基礎(chǔ)設(shè)施,SiC在航空領(lǐng)域也有望更廣泛應(yīng)用,以實現(xiàn)飛行器的輕量化。
從電源供應(yīng)到機柜和散熱模塊的用電量都需要更加謹(jǐn)慎地計劃,以維持更佳的系統(tǒng)成本并實現(xiàn)更優(yōu)的碳排放表現(xiàn)。因此,除了SiC,一些低電壓領(lǐng)域可能也需要使用GaN。預(yù)計未來在AI服務(wù)器上使用寬禁帶半導(dǎo)體的數(shù)量將大幅增加。
Wolfspeed特別強調(diào),SiC技術(shù)的普及化和發(fā)展不是單一公司可以完成的,需要整個供應(yīng)鏈上下游的積極交流和合作,才能建立更加健全的生態(tài)系統(tǒng),避免未來陷入純粹的資本競爭。
通過SiC技術(shù)的廣泛應(yīng)用,可以看到未來電力電子和功率半導(dǎo)體市場的潛力和增長空間,這對整個半導(dǎo)體行業(yè)都是一個積極的信號。
-
電動車
+關(guān)注
關(guān)注
74文章
3125瀏覽量
118553 -
電力電子
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
709瀏覽量
50984 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3469瀏覽量
52369
發(fā)布評論請先 登錄
丙午烈馬與SiC碳化硅革命:2026年高頻電源產(chǎn)業(yè)技術(shù)藍皮書
功率半導(dǎo)體銷售培訓(xùn)手冊:電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
傾佳電子碳化硅SiC MOSFET驅(qū)動特性與保護機制深度研究報告
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢
傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案
麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)引領(lǐng)電力電子革命,成本優(yōu)勢顯著
評論