Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
這款新型MOSFET采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客戶選擇。這一靈活的封裝和多樣化規(guī)格滿足了不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
Nexperia在2023年底發(fā)布的兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件基礎(chǔ)上，進(jìn)一步豐富了其SiC MOSFET產(chǎn)品組合。此次推出的新品不僅擴(kuò)展了RDson值的范圍（包括17、30、40、60和80 mΩ），還提供了更加靈活的封裝選擇。
Nexperia的持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，將進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅MOSFET在電力電子、新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用和發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9640瀏覽量
233444 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52322 -
Nexperia
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
796瀏覽量
59735
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南
基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅（SiC）MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)（包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ）
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝，在提升功率密度的同時(shí)顯著增強(qiáng)產(chǎn)
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過(guò)AQG324認(rèn)證，采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料，集成NTC
森國(guó)科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管
深圳市森國(guó)科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管，這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力。
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎(jiǎng)
作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)與 1200V 工業(yè)級(jí)、
onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P：高效電力轉(zhuǎn)換的理想之選
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天，我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅
探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來(lái)深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅
Wolfspeed發(fā)布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET
Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級(jí) 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺(tái)開發(fā)，為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸
Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)交付近200萬(wàn)顆，為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體現(xiàn)在以下核心維度。
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能
面對(duì)大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、超快的開關(guān)速度以及超強(qiáng)的短路耐受性，是電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器以及電
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論