近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7 SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項(xiàng)，RDSon值分別為30、40、60和80 mΩ，進(jìn)一步豐富了公司的SiC MOSFET產(chǎn)品線。

Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiC MOSFET產(chǎn)品組合的快速擴(kuò)展。此前，該公司已于2023年末發(fā)布了兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的獨(dú)立SiC MOSFET。新產(chǎn)品系列將覆蓋RDSon值為17至80 mΩ的廣泛范圍，并提供多種封裝選項(xiàng)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

RDSon作為SiC MOSFET的關(guān)鍵性能特征，直接決定了傳導(dǎo)期間的功率損耗。Nexperia注意到，盡管市場上許多SiC器件在標(biāo)稱值上表現(xiàn)出色，但當(dāng)器件工作溫度升高時(shí)，RDSon可能增加100%以上，導(dǎo)致顯著的傳導(dǎo)損耗。

為了解決這一問題，Nexperia憑借其先進(jìn)的工藝技術(shù)，確保新型SiC MOSFET具有出色的溫度穩(wěn)定性。測試顯示，在25°C至175°C的溫度范圍內(nèi)，這些MOSFET的RDSon標(biāo)稱值僅增加38%，這一性能在行業(yè)中處于領(lǐng)先地位。

新發(fā)布的SiC MOSFET——NSF0xx120D7A0，滿足了市場對D2PAK-7等SMD封裝高性能SiC開關(guān)日益增長的需求。這些開關(guān)因其卓越的性能和可靠性，在電動汽車充電、不間斷電源、太陽能及儲能系統(tǒng)逆變器等工業(yè)應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。

隨著新能源和清潔能源技術(shù)的不斷發(fā)展，SiC MOSFET作為高性能電力電子器件，在電力轉(zhuǎn)換和能量管理領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。