三星否認(rèn)HBM芯片發(fā)熱問題，與全球合作伙伴開展測試
據(jù)報(bào)道，據(jù)傳三星最新款HBM芯片尚未通過英偉達(dá)測試，原因是芯片存在發(fā)熱和功耗問題。
但三星電子發(fā)表聲明予以否認(rèn)，堅(jiān)稱正與多家全球合作伙伴順利開展HBM芯片測試工作，并持續(xù)與其他商業(yè)伙伴緊密合作，保證產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性。
值得關(guān)注的是，三星近期已經(jīng)大量生產(chǎn)其第五代HBM芯片——容量為24GB（8-Hi）或36GB（12-Hi）的HBM3E產(chǎn)品。
然而，與競爭對手SK海力士及美光相比，三星并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是繼續(xù)沿用1a nm顆粒，因此在能耗方面略顯不足。
再加上此次引發(fā)的質(zhì)疑，部分分析師對三星能否迅速從SK海力士手中搶回市場份額產(chǎn)生疑慮。
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