近日，日本市場研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)表了一份研究報(bào)告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢》，總結(jié)了功率半導(dǎo)體晶圓市場的研究結(jié)果。報(bào)告稱，2024年功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將比上年增長23.4%，達(dá)到2813億日元。

盡管硅功率半導(dǎo)體硅片市場因庫存調(diào)整而較上年下滑，但SiC（碳化硅）裸片銷量的快速增長成為推動(dòng)整體市場增長的關(guān)鍵因素。SiC裸片銷量預(yù)計(jì)同比增長56.9%，超過硅片市場。：

從2025年起，隨著功率半導(dǎo)體需求的不斷增長，市場預(yù)計(jì)將進(jìn)一步擴(kuò)大。特別是，汽車電動(dòng)化帶來的需求增加將推動(dòng)SiC裸片成為長期市場驅(qū)動(dòng)力，而硅片也有望擺脫產(chǎn)量調(diào)整的影響。

隨著功率半導(dǎo)體需求的增加，晶圓的直徑也在不斷增加。除了轉(zhuǎn)向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場預(yù)計(jì)從2025年起，8英寸（200mm）晶圓將開始占據(jù)重要地位。

GaN（氮化鎵）晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開始量產(chǎn)等附加內(nèi)容也被視為未來市場發(fā)展的重要趨勢。

預(yù)計(jì)到2035年，功率半導(dǎo)體晶圓市場規(guī)模將擴(kuò)大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。這主要得益于SiC裸片、GaN晶圓和氧化鎵晶圓等技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用。