5月28日，青島佳恩半導體有限公司與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學與技術局領導、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局領導以及青島膠州灣綜合保稅區(qū)管委共同見證了這一歷史時刻。西安電子科技大學毛教授與青島佳恩半導體有限公司總經(jīng)理王丕龍先生在戰(zhàn)略合作協(xié)議上簽字，標志雙方的合作全面進入一個新的階段，對雙方來說，這都是具有里程碑意義的一件大事。

青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設計、開發(fā)、制造及銷售，作為新一代的功率半導體設計公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導體核心技術，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和自主品牌。此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN（氮化鎵）功率器件結(jié)構(gòu)設計與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對氮化鎵功率器件特點，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究，此次強強聯(lián)合，是佳恩半導體開展功率器件研發(fā)的關鍵一步。

佳恩半導體將繼續(xù)以“中國芯”的社會責任為己任，不斷變革創(chuàng)新，為節(jié)能減排、推動新舊動能轉(zhuǎn)化做出貢獻，同時進一步推動“中國芯”的發(fā)展進程，努力創(chuàng)建并成為中國功率半導體行業(yè)尤其是IGBT芯片行業(yè)的領軍企業(yè)。