在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術。同時，他透露，競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。

然而，Siwoo Lee強調，盡管取得了這一顯著成就，但三星目前并未計劃立即進行大規(guī)模生產。相反，公司正專注于研究3D DRAM或垂直堆疊單元陣列晶體管（VS-CAT）技術的可行性和潛在應用。他強調，這項技術可能在未來對DRAM市場的格局產生深遠影響。

Siwoo Lee去年加入三星，此前他在美光負責未來存儲芯片的研發(fā)。他豐富的行業(yè)經驗和深厚的技術背景為三星在DRAM領域的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略布局提供了有力支持。隨著3D DRAM技術的不斷發(fā)展，我們有理由期待三星將在這一領域取得更多突破。