華為技術(shù)有限公司的半導(dǎo)體子公司——海思半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了驚人的飛躍。

海思半導(dǎo)體最初受到關(guān)注是在2012年2月于西班牙巴塞羅那舉行的“世界移動(dòng)通信大會(huì)（MWC）2012”上。華為在會(huì)上發(fā)布了高端智能手機(jī)“Ascend D quad”，這款智能手機(jī)配備了海思半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的四核應(yīng)用處理器“K3V2”。另外，NTT DoCoMo于2013年4月作為2013年春季機(jī)型推出的“Ascend D2 HW-03E”配備的基帶處理LSI和RF信號(hào)收發(fā)IC也都是海思半導(dǎo)體生產(chǎn)的（圖1）。

Ascend D2的外觀

對(duì)于海思的技術(shù)實(shí)力，一位長(zhǎng)期分析各公司半導(dǎo)體芯片的技術(shù)人員（以下用“技術(shù)分析員”代指）吃驚地說(shuō)：“能提供完成度如此高的芯片組的，基本上只有高通、聯(lián)發(fā)科和展訊通信?！倍?，Ascend D2是NTT DoCoMo春季款中唯一支持LTE CAT4*的。如果僅按推出時(shí)間來(lái)評(píng)價(jià)的話(huà)，已經(jīng)超過(guò)了高通。

*LTE CAT4：LTE根據(jù)利用技術(shù)的難易度分為CAT1～5。CAT4利用20MHz通信頻帶時(shí)，下行數(shù)據(jù)傳輸速度最大為150Mbit/秒。NTT DoCoMo利用15MHz，提供最大112.5Mbit/秒的服務(wù)。

不過(guò)，目前關(guān)于海思的信息非常少，該公司的實(shí)際情況是個(gè)謎。通過(guò)拆解Ascend D2來(lái)嘗試了解其實(shí)力。

圖1：設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔的“Ascend D2”

幾乎所有功能都集中在主板上，實(shí)現(xiàn)了小型化。（攝影：Fomalhaut Technology Solutions）

主要部件由臺(tái)積電制造

拆解Ascend D2后發(fā)現(xiàn)，該產(chǎn)品由主板和配備麥克風(fēng)及振動(dòng)器等的子板構(gòu)成，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔明了。

拆解組從主板上拆下了主要部件，詳細(xì)構(gòu)成示意圖見(jiàn)圖2。從圖中可以看出，作為智能手機(jī)“心臟”的移動(dòng)通信用芯片都是海思制造的。周邊芯片主要采用美國(guó)半導(dǎo)體廠(chǎng)商的產(chǎn)品。

圖2：主要芯片由海思制造

Ascend D2中，智能手機(jī)系統(tǒng)的核心部件——應(yīng)用處理器、基帶處理LSI、RF信號(hào)收發(fā)IC及電源管理IC全都是采用海思的產(chǎn)品。

那么，海思的芯片是在哪制造的呢？拆解組拆下芯片的封裝，觀察裸片（圖3）后發(fā)現(xiàn)，基帶處理LSI、應(yīng)用處理器和RF收發(fā)器IC從芯片四角的形狀來(lái)看是臺(tái)積電制造的。

圖3：主要芯片由臺(tái)積電制造

基帶處理LSI和應(yīng)用處理器采用40nm工藝技術(shù)，RF收發(fā)IC采用65nm工藝技術(shù)。從芯片的四角形狀可以推測(cè)是臺(tái)積電制造的。

制造技術(shù)的工藝方面，基帶處理LSI和應(yīng)用處理器采用的是40nm工藝，RF信號(hào)收發(fā)IC采用的是65nm工藝。英偉達(dá)的應(yīng)用處理器“Tegra 3”等也采用40nm工藝制造，因此，可以說(shuō)海思的芯片基本上采用了最尖端的制造技術(shù)。

看到布線(xiàn)圖案后，技術(shù)分析員評(píng)價(jià)說(shuō)：“非常正統(tǒng)，技術(shù)水平不遜色于高通和聯(lián)發(fā)科?！?/p>

確保大量開(kāi)發(fā)人才 對(duì)于新興廠(chǎng)商海思能開(kāi)發(fā)支持LTE的基帶處理LSI一事，技術(shù)分析員表示，“基帶處理LSI的設(shè)計(jì)并沒(méi)有那么難，這沒(méi)什么好吃驚的”。但基帶處理LSI需要與移動(dòng)通信運(yùn)營(yíng)商的基站相互連接，因此需要龐大的互連測(cè)試，這才是開(kāi)發(fā)時(shí)的瓶頸。因此，“能這么快支持LTE CAT4非常了不起”。

款速進(jìn)行互連測(cè)試的方法是，大量導(dǎo)入用于互連的試驗(yàn)裝置和人員，同時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)。因此，可以推測(cè)海思確保了大量的互連測(cè)試裝置和人手。對(duì)于海思來(lái)說(shuō)，其母公司華為是移動(dòng)通信基站領(lǐng)域的大型企業(yè)，可能為其提供了相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。

技術(shù)分析員推測(cè)：“海思基本沒(méi)公開(kāi)過(guò)企業(yè)規(guī)模等信息，員工數(shù)量是個(gè)謎，不過(guò)應(yīng)該有幾百人在開(kāi)發(fā)基帶處理LSI。”

可能還有軟件技術(shù)人員

應(yīng)用處理器方面，ARM公司提供POP（處理器優(yōu)化包），其中含有面向特定半導(dǎo)體工藝優(yōu)化IP內(nèi)核設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)所需的信息。利用該服務(wù)的話(huà)，“任何人都能制造一定程度的高性能應(yīng)用處理器”（技術(shù)分析員）。

但海思看起來(lái)不像是用了POP，因此技術(shù)分析員推測(cè)，該公司“內(nèi)部應(yīng)該有強(qiáng)大的封裝團(tuán)隊(duì)”。由此也可以推測(cè)，該公司有幾百人在從事設(shè)計(jì)等工作。

RF信號(hào)收發(fā)IC的設(shè)計(jì)必須要對(duì)模擬和數(shù)字進(jìn)行優(yōu)化，因此離不開(kāi)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)的積累。技術(shù)分析員表示，“沒(méi)想到中國(guó)廠(chǎng)商也積累了這么豐富的技術(shù)”。

另外，基帶處理LSI用和應(yīng)用處理器用電源管理IC均采用110nm工藝制造（圖4），不過(guò)不清楚是哪家廠(chǎng)商代工的。技術(shù)分析員說(shuō)：“雖然電源管理IC本身的設(shè)計(jì)不太難，但需要全面把握OS和應(yīng)用進(jìn)行電源管理，所以需要具備軟件知識(shí)?？梢?jiàn)該公司還有大量的軟件技術(shù)人員?！?/p>

圖4：電源管理IC也是海思開(kāi)發(fā)的

開(kāi)發(fā)電源管理IC的開(kāi)發(fā)需要軟件知識(shí)，估計(jì)海思也積累了這方面的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。

與華為一起飛躍？

綜上所述，可以推測(cè)海思半導(dǎo)體雇傭了大量的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和通信領(lǐng)域的技術(shù)人員以及軟件技術(shù)人員，在集中開(kāi)發(fā)特定的半導(dǎo)體芯片?！皬臍W洲和日本的大型半導(dǎo)體廠(chǎng)商進(jìn)行大規(guī)模重組的現(xiàn)狀來(lái)看，雇傭這些技術(shù)人員并不難”（技術(shù)分析員）。而且，海思制造的半導(dǎo)體基本上都被華為生產(chǎn)的智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)路由器采用，在經(jīng)營(yíng)上具有優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)分析員表示，“可以認(rèn)為，曾幾何時(shí)的日本電子廠(chǎng)商設(shè)立半導(dǎo)體制造部門(mén)制造產(chǎn)品的情況正在中國(guó)廠(chǎng)商華為身上再現(xiàn)”。今后，海思將會(huì)為華為的飛躍助一臂之力。