91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三菱電機(jī)SiC器件的發(fā)展歷程

三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 2024-07-24 10:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三菱電機(jī)從事SiC器件開(kāi)發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開(kāi)發(fā)和應(yīng)用高性能、高可靠性且高性價(jià)比的SiC器件,本篇章帶你了解三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史。

三菱電機(jī)從上世紀(jì)90年代已經(jīng)開(kāi)始啟動(dòng)SiC相關(guān)的研發(fā)工作。最初階段,SiC晶體的品質(zhì)并不理想,適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段,但研發(fā)人員堅(jiān)信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件,因此一直致力于相關(guān)研發(fā)。

三菱電機(jī)于2003年開(kāi)發(fā)出耐壓2kV的小芯片SiC MOSFET,并于2005年開(kāi)發(fā)出耐壓1200V、電流10A的SiC MOSFET樣片。對(duì)10A的SiC MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)特性評(píng)估,結(jié)果表明,與Si IGBT相比,開(kāi)關(guān)損耗可顯著降低。隨后,三菱電機(jī)繼續(xù)開(kāi)發(fā)大電流芯片、3.3kV高耐壓芯片以及集成各種功能的SiC MOSFET器件,并將持續(xù)致力于開(kāi)發(fā)高性能、高可靠性且易于使用的SiC MOSFET器件。

三菱電機(jī)集團(tuán)內(nèi)部擁有器件開(kāi)發(fā)、電力電子應(yīng)用開(kāi)發(fā)和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)等部門(mén)。利用這一優(yōu)勢(shì),三菱電機(jī)在開(kāi)發(fā)SiC芯片的同時(shí),也率先著手開(kāi)發(fā)SiC MOSFET逆變器。2007年,制造了應(yīng)用SiC MOSFET的3.7kW逆變器,結(jié)果顯示可將逆變器損耗降低50%。2009年,制造出了11kW和20kW逆變器,根據(jù)驅(qū)動(dòng)條件的不同,逆變器損耗可降低70-90%。這一時(shí)期,SiC晶圓的品質(zhì)得到加速改善,SiC工藝相關(guān)技術(shù)知識(shí)也在不斷積累,大家對(duì)SiC功率器件的實(shí)際期望也在不斷提高。然而,由于擔(dān)心柵極氧化膜的可靠性,一些制造商對(duì)SiC MOSFET仍持懷疑態(tài)度。

三菱電機(jī)很早就開(kāi)始著手SiC器件應(yīng)用的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)。2010年,三菱電機(jī)率先將采用SiC SBD的混合DIPIPM應(yīng)用到空調(diào)產(chǎn)品中并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。2011年,開(kāi)發(fā)出1200A/1700V的大功率混合SiC模塊,并將其應(yīng)用于地鐵的主逆變器中。關(guān)于SiC MOSFET,三菱電機(jī)于2013年將3.3kV全SiC模塊成功應(yīng)用于軌道車(chē)輛主逆變器中,并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。3.3kV全SiC模塊已應(yīng)用于包括高速列車(chē)在內(nèi)的眾多軌道車(chē)輛主逆變器中,并已投入商業(yè)化運(yùn)營(yíng)。此外,三菱電機(jī)分別于2015年和2016年,將SiC MOSFET成功應(yīng)用到工業(yè)用IPM和家電用DIPIPM中,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化,有助于降低系統(tǒng)的損耗。尤其是SiC MOSFET在軌道車(chē)輛主逆變器中的應(yīng)用,對(duì)行業(yè)產(chǎn)生了巨大影響,并加速了SiC MOSFET的產(chǎn)品化和普及。

79d4ba24-4961-11ef-b8af-92fbcf53809c.jpg

關(guān)于三菱電機(jī)SiC器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)線,三菱電機(jī)于2000年建立了2英寸和3英寸的生產(chǎn)線,在2009年建立了4英寸生產(chǎn)線并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化。在2010年代后期,建立了6英寸生產(chǎn)線,也是目前的主要生產(chǎn)線。未來(lái),晶圓供應(yīng)商和設(shè)備制造商都希望轉(zhuǎn)向8英寸晶圓生產(chǎn)線,三菱電機(jī)也正在開(kāi)發(fā)8英寸生產(chǎn)線,計(jì)劃于2026年開(kāi)始運(yùn)行。今后,隨著SiC器件在電動(dòng)汽車(chē)、新能源等市場(chǎng)領(lǐng)域的大幅擴(kuò)大,8英寸生產(chǎn)線的投入將有望大幅降低成本、提高生產(chǎn)效率。

<關(guān)于三菱電機(jī)>

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車(chē)、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9640

    瀏覽量

    233418
  • 三菱電機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    214

    瀏覽量

    21621
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3720

    瀏覽量

    69361

原文標(biāo)題:第2講:三菱電機(jī)SiC器件發(fā)展史

文章出處:【微信號(hào):三菱電機(jī)半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):三菱電機(jī)半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    三菱電機(jī)推出四款全新溝槽柵型SiC-MOSFET裸芯片

    三菱電機(jī)集團(tuán)于今日(2026年1月14日)宣布,將于1月21日開(kāi)始提供4款全新溝槽型1 SiC-MOSFET裸芯片(未封裝在封裝材料中的芯片),該芯片專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)(EV)主驅(qū)逆變器2,車(chē)載充電器3以及太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等可再生能源的
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:38 ?2411次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b>推出四款全新溝槽柵型<b class='flag-5'>SiC</b>-MOSFET裸芯片

    三菱電機(jī)SiC MOSFET的可靠性測(cè)試

    SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能,因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì),而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠性測(cè)試,以充分發(fā)揮其作為高性能器件
    的頭像 發(fā)表于 12-24 15:49 ?6376次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET的可靠性測(cè)試

    三菱電機(jī)攜手所高校共育電力電子創(chuàng)新人才

    11月24日至11月27日,三菱電機(jī)在中國(guó)所知名高?!迦A大學(xué)、華中科技大學(xué)和合肥工業(yè)大學(xué)舉行了三菱電機(jī)獎(jiǎng)學(xué)金頒獎(jiǎng)典禮,表彰在電力電子與
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:21 ?530次閱讀

    三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

    SiC器件具有低開(kāi)關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時(shí)可以在更高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:28 ?3541次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

    三菱電機(jī)榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

    2025海信集團(tuán)全球供應(yīng)鏈合作伙伴峰會(huì)于10月16日在青島香格里拉舉行。本屆 峰會(huì)以“智鏈全球,韌性共生”為主題,重點(diǎn)聚焦低碳創(chuàng)新與全球供應(yīng)鏈協(xié)同,強(qiáng)調(diào)智能化與供應(yīng)鏈韌性建設(shè)。在本次峰會(huì)上,三菱電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 11-04 14:55 ?1859次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b>榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

    三菱伺服電機(jī)抖動(dòng)聲響的調(diào)整

    三菱伺服電機(jī)在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其高性能和穩(wěn)定性備受認(rèn)可。然而在實(shí)際使用過(guò)程中,部分用戶可能會(huì)遇到電機(jī)運(yùn)行時(shí)出現(xiàn)抖動(dòng)或異常聲響的問(wèn)題。這類(lèi)問(wèn)題不僅影響設(shè)備運(yùn)行精度,還可能縮短電機(jī)
    的頭像 發(fā)表于 10-14 07:37 ?1726次閱讀

    三菱電機(jī)亮相2025工博會(huì):以“AI 創(chuàng)未來(lái)”共探智能制造新紀(jì)元

    、綠色低碳與本土化發(fā)展,助力中國(guó)制造業(yè)邁向高質(zhì)量、數(shù)智化、可持續(xù)的未來(lái)。 作為技術(shù)主導(dǎo)型的百年企業(yè),三菱電機(jī)集團(tuán)憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的市場(chǎng)口碑,在全球的工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、電梯
    的頭像 發(fā)表于 09-24 10:28 ?504次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b>亮相2025工博會(huì):以“AI 創(chuàng)未來(lái)”共探智能制造新紀(jì)元

    三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

    鐵路牽引變流器作為軌道交通車(chē)輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹
    的頭像 發(fā)表于 09-23 09:26 ?2236次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

    三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用(2)

    隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng),SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和
    的頭像 發(fā)表于 08-08 16:14 ?3363次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用(2)

    三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用(1)

    隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng),SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)中的
    的頭像 發(fā)表于 08-08 16:11 ?3424次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用(1)

    三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)

    三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集成
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:18 ?5605次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)

    三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(1)

    三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集成
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:15 ?3697次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b><b class='flag-5'>SiC</b> DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(1)

    三菱電機(jī)與上海共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宏圖

    量子科技、具身智能、6G等未來(lái)產(chǎn)業(yè),都依賴半導(dǎo)體技術(shù)的支撐,頭部半導(dǎo)體企業(yè)擁有長(zhǎng)期高增長(zhǎng)前景。三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部部長(zhǎng)赤田智史在接受采訪時(shí)表示,上海為外資企業(yè)的投資與運(yùn)營(yíng)提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:20 ?1094次閱讀

    三菱電機(jī)開(kāi)始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

    三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布,將于4月22日開(kāi)始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合SiC SLIMDIP
    的頭像 發(fā)表于 04-16 14:58 ?1233次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機(jī)</b>開(kāi)始提供全<b class='flag-5'>SiC</b>和混合<b class='flag-5'>SiC</b> SLIMDIP樣品

    三菱電機(jī)發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊

    三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開(kāi)始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體,專(zhuān)為軌道交通車(chē)輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 11:34 ?1388次閱讀