知名存儲(chǔ)品牌美光近日正式宣布，搭載其研發(fā)的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問(wèn)世，并已批量上市，成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)276層，數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到驚人的3.6 GB/s，展現(xiàn)出卓越的NAND輸入/輸出（I/O）性能，完美滿足了人工智能（AI）以及其他各類數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高速吞吐能力的嚴(yán)苛要求，為用戶帶來(lái)無(wú)與倫比的使用體驗(yàn)，無(wú)論是個(gè)人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)級(jí)應(yīng)用還是云數(shù)據(jù)中心都能游刃有余。

美光科技和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁斯科特·德博爾（Scott DeBoer）對(duì)此表示：“美光G9 NAND技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)充分展示了我們?cè)谥瞥坦に嚰夹g(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，為市場(chǎng)呈現(xiàn)出領(lǐng)先的密度水平，實(shí)現(xiàn)了更為緊湊且高效的存儲(chǔ)解決方案，為廣大消費(fèi)者和企業(yè)帶來(lái)顯著的價(jià)值回報(bào)?！?/p>

相較于市場(chǎng)上現(xiàn)有同類型NAND解決方案，G9 NAND的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別超出99%和88%，共同推動(dòng)了固態(tài)硬盤和嵌入式NAND解決方案的性能與能效的大幅提升。與前一代NAND產(chǎn)品保持一致，G9 NAND同樣采用了11.5mm x 13.5mm的緊湊封裝設(shè)計(jì)，相較同類產(chǎn)品節(jié)省了28%的占用空間，堪稱優(yōu)秀的小尺寸、高密度NAND閃存設(shè)計(jì)典范。美光通過(guò)在更小的體積中實(shí)現(xiàn)更高的密度，極大拓展了各類應(yīng)用場(chǎng)景的設(shè)計(jì)可能性。

此外，美光還推出了全新的2650系列固態(tài)硬盤產(chǎn)品，融合了最新的3D TLC NAND閃存技術(shù)。該系列產(chǎn)品采用單面芯片設(shè)計(jì)，支持PCIe 4.0×4接口，提供包括M.2 2230 / 2242 / 2280在內(nèi)的多種外形規(guī)格供用戶選擇，最高順序讀取和順序?qū)懭胨俣确謩e達(dá)到7000 MB/s和6000 MB/s，最高4K隨機(jī)讀取/寫入均達(dá)到1M IOPS，同時(shí)提供256GB、512GB和1TB三種容量版本，對(duì)應(yīng)的總寫入字節(jié)數(shù)（TBW）分別為200TB、300TB和600TB。據(jù)悉，與同類競(jìng)品相比，美光2650系列固態(tài)硬盤的連續(xù)讀取性能提高了70%，連續(xù)寫入性能飆升103%，隨機(jī)讀取性能更是躍升156%，隨機(jī)寫入性能也提升了85%。除面向客戶端OEM市場(chǎng)外，G9 NAND還將廣泛應(yīng)用于客戶端組件和英睿達(dá)（Crucial）的固態(tài)硬盤消費(fèi)類產(chǎn)品之中。