在輸入電壓為三相四線380V場(chǎng)合應(yīng)用的開(kāi)關(guān)電源，整流后的母線電壓近540V，考慮到30%的網(wǎng)壓波動(dòng)，其母線直流電壓可能高達(dá)700V。加上反射電壓Vor，漏感尖峰Vpk，最終在Mosfet上形成的Vds或?qū)⒊^(guò)900V。因此，傳統(tǒng)內(nèi)置1000V以下MOSFET的方案已無(wú)法滿足此類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。國(guó)芯思辰提供更完整的解決方案，擁有多款內(nèi)置900V~1500V MOSFET的電源芯片可以選擇。

內(nèi)置900V~1500V MOSFET系列電源芯片產(chǎn)品介紹：

我們有CN11015X，CN1102AX，CN1103AX，CN12039X，CN1104BX等內(nèi)置900V~1500V MOSFET的多款電源芯片，給電力市場(chǎng)的開(kāi)關(guān)電源提供了完整的解決方案，該系列芯片全部采用次級(jí)反饋結(jié)構(gòu)（SSR），輸出穩(wěn)壓精度極高，負(fù)載動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性好。輸入端搭配的高壓鉗位芯片CN16A01可以有效解決電源在復(fù)雜工況下浪涌沖擊的問(wèn)題。

引腳排列

其次產(chǎn)品中集成了頻率倍增的功能模塊，即使在發(fā)生外部磁場(chǎng)的干擾的情況下，系統(tǒng)也能正常運(yùn)行。該系列產(chǎn)品目前已應(yīng)用小功率儀表開(kāi)關(guān)電源、智能電表、系統(tǒng)輔助電源等。

主要特點(diǎn)介紹：

?內(nèi)置高壓功率MOSFET，次級(jí)反饋控制（SSR）

?內(nèi)置線電壓補(bǔ)償和斜坡補(bǔ)償

?集成頻率擴(kuò)展技術(shù)

?PWM/PFM/Burst混合控制方式

?空載功耗<50mW@230VAC,6完善的保護(hù)功能（OCP、OLP、UVLO、VDD?OVP、OTP)

選型表：

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