SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統(tǒng)。

此次公告包括四個新電子模塊的發(fā)布：一個529A MOSFET模塊(GCMX003A120S7B1)，一個348A MOSFET模塊(GCMX005A120S7B1)，以及兩個低噪聲的SiC肖特基二極管半橋模塊(GHXS300A120S7D5和GHXS400A120S7D5)。這些模塊采用S7封裝，具有行業(yè)標準的62.0毫米底座面積和17.0毫米高度。

新封裝滿足了各種苛刻應用在尺寸、重量和功率方面的特定需求，包括感應加熱器、焊接設備、不間斷電源(UPS)、光伏和風能逆變器、能源存儲系統(tǒng)、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電動汽車(EV)充電系統(tǒng)。除了模塊體積小巧外，其高效率和低損耗的運行也有效地減少了系統(tǒng)中的熱量散發(fā)，從而使得使用更小的散熱器成為可能。

SemiQ的目標是提供廣泛的SiC技術(shù)，使設計人員能夠提升當前苛刻應用的效率、性能和尺寸。新增的1200V QSiC MOSFET和SiC二極管模塊系列的封裝選項拓寬了設計人員在開發(fā)新應用或提升現(xiàn)有系統(tǒng)時的選擇，而無需進行大規(guī)模重新設計。

SemiQ的模塊采用高性能陶瓷制造，使其能夠達到卓越的性能水平。這些模塊還提供了更高的功率密度，并在高頻和高功率環(huán)境下實現(xiàn)更緊湊的設計。

為了確保每個模塊具備一致的柵極閾值電壓和高質(zhì)量的柵氧化層，SemiQ在晶圓級進行柵極燒灼測試。除了燒灼測試以降低外部故障率外，還進行了多項壓力測試，以達到汽車和工業(yè)應用所需的質(zhì)量標準。這些壓力測試包括柵極壓力測試、高溫反向偏置(HTRB)漏極壓力測試，以及高濕、高電壓、高溫(H3TRB)測試。所有組件的測試電壓均超過1400伏特。