三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存，該制程將支持高達32Gb的顆粒容量，標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
展望更遠的未來，三星已鎖定2026年為最后一代10nm級工藝的里程碑，屆時將推出1d nm技術(shù)，盡管容量上限仍維持在32Gb，但這一決定預(yù)示著三星正穩(wěn)步向更先進制程邁進，為下一代內(nèi)存技術(shù)奠定堅實基礎(chǔ)。
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