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2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

h1654155960.2120 ? 來(lái)源:h1654155960.2120 ? 作者:h1654155960.2120 ? 2024-09-18 17:18 ? 次閱讀
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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設(shè)計(jì),內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì),性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。

1 應(yīng)用領(lǐng)域:

電動(dòng)汽車,氫能源汽車,高速電機(jī)驅(qū)動(dòng),光伏風(fēng)能逆變,電網(wǎng)濾波。

2 產(chǎn)品特點(diǎn):

三項(xiàng)全橋設(shè)計(jì)

內(nèi)置 1200V SiC MOSFET,

內(nèi)置熱敏電阻

模塊雜散電感 2.5nH

超低開(kāi)關(guān)損耗

工作電源電壓大于 900V

工作節(jié)溫 175°C

Pin-Fin 底板直接水冷散熱

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模塊電路及結(jié)構(gòu)圖

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模塊及驅(qū)動(dòng)板實(shí)物圖

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