
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用
該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設(shè)計(jì),內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V,工作頻率可達(dá)30kHz,輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì),性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
1 應(yīng)用領(lǐng)域:
電動(dòng)汽車,氫能源汽車,高速電機(jī)驅(qū)動(dòng),光伏風(fēng)能逆變,電網(wǎng)濾波。
2 產(chǎn)品特點(diǎn):
三項(xiàng)全橋設(shè)計(jì)
內(nèi)置 1200V SiC MOSFET,
內(nèi)置熱敏電阻
模塊雜散電感 2.5nH
超低開(kāi)關(guān)損耗
工作電源電壓大于 900V
工作節(jié)溫 175°C
銅 Pin-Fin 底板直接水冷散熱

模塊電路及結(jié)構(gòu)圖



模塊及驅(qū)動(dòng)板實(shí)物圖
-
模塊
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
2837瀏覽量
53303 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9683瀏覽量
233678 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3729瀏覽量
69450
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
SiC半橋模塊構(gòu)建2.5MW 功率輸出的ANPC儲(chǔ)能變流器 (PCS)
基于SiC半橋模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)設(shè)計(jì)驗(yàn)證工程
1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái):設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析
6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
XM3半橋電源模塊系列CREE
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證
兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析如下(聚焦工商業(yè)儲(chǔ)能PCS場(chǎng)景)
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
評(píng)論