電子發(fā)燒友網綜合報道 近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完成。

SiC MOSFET導通電阻的降低，意味著提高器件的開關效率，降低器件在導通狀態(tài)下的功率損耗。根據Wolfspeed的數據，以100A電流為例，13mΩ 器件的導通損耗為 13W，較 16mΩ 的 16W 降低了 18.75%。

在實際使用中，更低的導通電阻直接轉化為更高的系統(tǒng)效率，特別是在像主驅逆變器這樣的高功率應用中。

根據三安半導體的資料，目前三安的1200V 13mΩ車規(guī)級SiC MOSFET是其第三代產品，通過元胞結構優(yōu)化，有效優(yōu)化了導通電阻×FoM（品質因數），顯著提升器件綜合性能。

據湖南三安介紹，目前其SiC MOSFET產品已經廣泛導入到汽車供應鏈中，車載充電機、空調壓縮機用650V 35mΩ/50mΩ、750V 11mΩ、1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET已在十余家 Tier 1或整車廠客戶處送樣驗證或實現小批量出貨。

目前，湖南三安已擁有6吋碳化硅配套產能16000片/月，8吋碳化硅襯底產能1000片/月、外延產能2000片/月，8吋碳化硅芯片產線正在建設中。

而三安光電與意法半導體合資企業(yè)安意法的SiC功率芯片產線也已經在2025年2月實現通線，首次建設產能為2000片/月。為安意法提供碳化硅襯底的配套工廠重慶三安首次建設產能同為2000片/月，目前已經開始逐步釋放產能。

今年一季度，三安光電營業(yè)收入為43.12億元，同比增長21.23%；歸母凈利潤為2.12億元，同比增長78.46%；毛利率16.33%，同比上升了1.73個百分點。

在2024年年報中，三安光電表示，湖南三安 6 吋襯底、外延的工藝及良率持續(xù)優(yōu)化，成本改善效果良好，向國際客戶出貨規(guī)模穩(wěn)健增長，8 吋襯底及外延已實現小規(guī)模量產并在客戶端驗證。公司持續(xù)推進碳化硅襯底在 AI/AR 眼鏡、熱沉散熱（應用于半導體封裝基板、5G 基站等）等方向的應用，與 AI/AR 眼鏡領域的國內外終端廠商、光學元件廠商緊密合作，已向多家客戶送樣驗證，并持續(xù)優(yōu)化光吸收率、TTV 等關鍵參數。隨著該項業(yè)務的順利突破，公司將開辟新的增長點。

湖南三安已完成 650V/1200V/1400V/1700V/2000V、1A-100A 的全電壓電流的碳化硅二極管產品梯度建設，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應用于光伏領域，產品技術性能業(yè)界領先，已實現量產出貨，主要客戶包括陽光電源、上能、德業(yè)等；第六代低正向導通電壓產品主要應用于電源領域，成本進一步優(yōu)化，具有更高的工作頻率及效率。公司已完成從 650V 到 2000V、13mΩ到 1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產品布局，應用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數據中心及AI 服務器電源等工業(yè)級市場的 1200V 20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V 27mΩ/35mΩ/50mΩ/65mΩ及1700V 1ΩSiCMOSFET 已實現量產，并已向重點客戶批量供貨，包括錦浪、華昱欣、盛能杰等光伏客戶，通合、科士達、致瞻等充電樁客戶，聯明、正浩、中恒等工業(yè)電源客戶，及臺達、光寶、長城、維諦技術等數據中心及 AI 服務器電源客戶。

另外，湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導體一期產線已實現通線，全橋功率模塊已在 2025 年一季度實現批量下線。

在功率氮化鎵領域，三安光電面向消費電子市場，迭代 650V 芯片技術平臺，以適配客戶端對高性價比的訴求，并成功導入到智能功率IC 等新型產品中。在工業(yè)應用領域，拓展了 60A 及以上大電流器件方案，導入客戶端千瓦量級高功率密度服務器電源及工業(yè)電機的應用驗證。在車用領域，公司積極與頭部車企及組件廠商共同探索 GaN 器件在汽車電子的應用潛力，完成低壓（60-200V）器件技術平臺的定型，下一步開發(fā)針對車載激光雷達、動力電池系統(tǒng)等特定應用場景的典型產品。同時，為應對人形機器人等智能終端對功率器件的需求，公司將匹配開發(fā)低壓 GaN 器件及技術方案并導入應用驗證。