電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近，湖南三安半導(dǎo)體舉行了碳化硅芯片上車(chē)儀式，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅主驅(qū)芯片實(shí)現(xiàn)從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車(chē)的里程碑突破。此次三安 1200V 13mΩ SiC MOSFET 芯片成功搭載理想高壓平臺(tái)車(chē)型，不僅驗(yàn)證了其在性能、可靠性與批量交付能力上的市場(chǎng)認(rèn)可度，更通過(guò)與理想汽車(chē)的深度協(xié)同，構(gòu)建起 “芯片自主 + 模塊自研” 的國(guó)產(chǎn)新能源汽車(chē)核心動(dòng)力解決方案。

作為國(guó)內(nèi)為數(shù)不多具備 SiC 全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合能力的企業(yè)，三安半導(dǎo)體此次上車(chē)的碳化硅芯片背后，是覆蓋長(zhǎng)晶、襯底制備、外延生長(zhǎng)、芯片制造的全流程技術(shù)積淀。該 1200V 13mΩ 車(chē)規(guī)級(jí) SiC MOSFET 作為第三代產(chǎn)品，通過(guò)元胞結(jié)構(gòu)優(yōu)化，將導(dǎo)通損耗較前代產(chǎn)品降低 18.75%，在 100A 工作電流下導(dǎo)通損耗僅為 13W，顯著提升電驅(qū)系統(tǒng)效率。其核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)源于三安在 8 英寸襯底領(lǐng)域的突破，湖南基地目前已實(shí)現(xiàn) 8 英寸襯底月產(chǎn)能 1000 片、外延月產(chǎn)能 2000 片，低缺陷密度工藝為芯片性能穩(wěn)定性提供了關(guān)鍵保障。

依托 IATF16949 體系認(rèn)證與 AEC-Q101 車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品認(rèn)證，三安碳化硅芯片已累計(jì)出貨超 3 億顆，服務(wù)全球超 800 家客戶(hù)，規(guī)模化制造經(jīng)驗(yàn)確保了對(duì)理想汽車(chē)的穩(wěn)定供應(yīng)。湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍強(qiáng)調(diào)，全產(chǎn)業(yè)鏈模式讓企業(yè)在產(chǎn)品迭代、質(zhì)量管控與交付效率上形成獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，此次上車(chē)正是 “車(chē)規(guī)化、平臺(tái)化、高效能、全鏈自主” 核心戰(zhàn)略的實(shí)踐成果。

此次芯片成功裝車(chē)，是雙方自 2022 年啟動(dòng)合作以來(lái)的重要里程碑。當(dāng)年，三安與理想合資成立蘇州斯科半導(dǎo)體有限公司，投資 10 億元建設(shè)碳化硅功率模塊研發(fā)生產(chǎn)基地，規(guī)劃年產(chǎn)能 240 萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊，形成 “芯片制造 - 模塊集成 - 整車(chē)應(yīng)用” 的閉環(huán)布局。2024 年底，合資公司一期產(chǎn)線(xiàn)正式通線(xiàn)，為此次規(guī)模化裝車(chē)奠定產(chǎn)能基礎(chǔ)；2025 年 6 月，理想在 TMC2025 年會(huì)上發(fā)布自研 LPM 功率模塊后，雙方加速芯片與模塊的適配優(yōu)化，最終實(shí)現(xiàn)核心部件的同步落地。

理想汽車(chē)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)研發(fā)副總裁劉強(qiáng)表示，三安在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，為理想純電產(chǎn)品的技術(shù)迭代提供了關(guān)鍵支撐。在技術(shù)交流中，雙方團(tuán)隊(duì)圍繞碳化硅芯片在電驅(qū)系統(tǒng)、充電效率及平臺(tái)化應(yīng)用的深度探討，進(jìn)一步明確了基于三安 8 英寸襯底技術(shù)，將為理想高壓平臺(tái)車(chē)型開(kāi)發(fā)提供持續(xù)助力。儀式上，湖南三安贈(zèng)送的8英寸 SiC MOSFET 芯片成品，既彰顯了技術(shù)自信，更預(yù)示著合作向更深層次推進(jìn)。

三安碳化硅芯片的卓越性能，在理想自研 LPM 功率模塊中得到充分釋放。這款歷時(shí) 3 年半研發(fā)的模塊，以系統(tǒng)級(jí)能效優(yōu)化為核心，通過(guò)四大技術(shù)創(chuàng)新將等效串聯(lián)電感（ESL）降至 10nH，較行業(yè)平均水平降低 50%，配合三安芯片的低損耗特性，共同實(shí)現(xiàn)整車(chē)?yán)m(xù)航提升 7%。其中芯片本身貢獻(xiàn) 6%（約 40 公里）提升，模塊優(yōu)化額外帶來(lái) 1%（約 7 公里）增益。

理想 LPM 模塊的革命性設(shè)計(jì)尤為亮眼：其獨(dú)創(chuàng)內(nèi)部開(kāi)窗架構(gòu)，徹底取消外露功率端子與螺栓連接，通過(guò)高精度 AMB 直接激光焊工藝實(shí)現(xiàn)電容與銅排的精準(zhǔn)嵌套，使模塊占地面積縮減 50%，Y 向尺寸減小 40mm，為后排乘客釋放寶貴空間。這種跨層級(jí)集成設(shè)計(jì)，需要芯片性能與模塊結(jié)構(gòu)的深度適配，而三安芯片的穩(wěn)定輸出與靈活定制能力，為該創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。此外，模塊搭載的封閉銅冷板、全自動(dòng)化組裝工藝及 72 項(xiàng)極端工況驗(yàn)證，進(jìn)一步保障了三安芯片在整車(chē)場(chǎng)景下的可靠性。

此次合作的落地，不僅打破了國(guó)際廠商在高端車(chē)載碳化硅芯片領(lǐng)域的壟斷，更構(gòu)建了車(chē)企與半導(dǎo)體企業(yè)深度協(xié)同的國(guó)產(chǎn)創(chuàng)新模式。三安通過(guò) 8 英寸產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)能爬坡與良率提升，持續(xù)降低碳化硅器件成本，而理想的模塊自研則推動(dòng)核心技術(shù)向應(yīng)用端高效轉(zhuǎn)化，兩者形成的合力正在加速 800V 高壓平臺(tái)的普及。數(shù)據(jù)顯示，搭載該方案的理想車(chē)型可支持 300 千瓦以上超快充功率，實(shí)現(xiàn) 10 分鐘補(bǔ)能 500 公里的用戶(hù)體驗(yàn)。

展望未來(lái)，三安半導(dǎo)體計(jì)劃在未來(lái)三至五年持續(xù)加大車(chē)規(guī)級(jí) SiC MOSFET 與 GaN 研發(fā)投入，重慶基地 2000片/月的 8 英寸襯底產(chǎn)能也將逐步釋放；理想汽車(chē)則將在純電車(chē)型中全系應(yīng)用該技術(shù)方案，并深化與三安在下一代芯片與模塊集成上的合作。隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從材料、芯片到模塊應(yīng)用的全面成熟，中國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)正實(shí)現(xiàn)核心動(dòng)力部件的自主可控。