據(jù)媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預(yù)計將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同時，展望未來五年，該領(lǐng)域有望實現(xiàn)15%至20%的年均復(fù)合成長率。

大摩的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師詹家鴻進(jìn)一步透露，三星已計劃在2026年將HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)任務(wù)轉(zhuǎn)交給臺積電。面對市場需求的強(qiáng)勁增長，臺積電正加速其產(chǎn)能擴(kuò)張步伐，并預(yù)計在2025年將資本支出提升至380億美元。

此外，在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域需求的強(qiáng)勁推動下，臺積電原本計劃在2026年將CoWoS技術(shù)的產(chǎn)能擴(kuò)大至每月8萬片。然而，由于英偉達(dá)對該技術(shù)的需求異常旺盛，臺積電已決定將這一產(chǎn)能擴(kuò)充計劃提前至2025年底前完成。因此，臺積電在未來五年內(nèi)有望實現(xiàn)15%至20%的年均復(fù)合成長率。