盡管機(jī)械硬盤(pán)近年來(lái)在技術(shù)方面取得了一些進(jìn)展，但固態(tài)硬盤(pán)正在成為企業(yè)存儲(chǔ)解決方案的首要選擇。由于固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格高于機(jī)械硬盤(pán)，在過(guò)去的幾年中阻礙了其廣泛的應(yīng)用，但在2018年，這種情況將會(huì)像專家所預(yù)測(cè)的那樣有所改變。

二級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的特點(diǎn)是主要使用3.5英寸大容量機(jī)械硬盤(pán)。這是因?yàn)榇蟛糠钟脩魧?duì)于硬盤(pán)的價(jià)格比較敏感，并不是以性能為導(dǎo)向。由于過(guò)去五年來(lái)機(jī)械硬盤(pán)的容量增長(zhǎng)，目前其仍然是市場(chǎng)的應(yīng)用主流。

機(jī)械硬盤(pán)的容量增長(zhǎng)已經(jīng)停滯不前。西部數(shù)據(jù)公司在去年10月宣布推出迄今為止容量最大的硬盤(pán)，其容量超過(guò)14TB，但目前很難在技術(shù)上進(jìn)行突破。而獲得更大容量存儲(chǔ)的常見(jiàn)方法是采用熱輔助磁記錄(HAMR)技術(shù)，其中使用激光來(lái)加熱“軟化”該區(qū)域以寫(xiě)入數(shù)據(jù)。例如，硬盤(pán)供應(yīng)商承諾在8年內(nèi)達(dá)到100TB的容量，但是由于技術(shù)問(wèn)題，也許無(wú)法大量生產(chǎn)。

西部數(shù)據(jù)公司表示，正在采用另一種技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)更大的容量，通過(guò)使用微波來(lái)實(shí)現(xiàn)軟化MAMR。該公司承諾在2019年推出其首款MAMR產(chǎn)品，這可能有點(diǎn)樂(lè)觀。而這兩種方法所面臨的問(wèn)題是，人們目前可以使用尺寸為2.5英寸的最大容量為32TB的固態(tài)硬盤(pán)，其體積實(shí)際上是這些大容量機(jī)械硬盤(pán)的一半。

隨著3D NAND、芯片堆疊和QLC單元架構(gòu)等技術(shù)的發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)的生產(chǎn)也加快了速度，這將在2018年迅速降低價(jià)格，并提供更大的容量。人們當(dāng)然可以預(yù)計(jì)2018年將推出64TB 的固態(tài)硬盤(pán)，甚至可能會(huì)看到幾家廠商承諾推出的100TB的產(chǎn)品。

這些大容量固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格在一段時(shí)間內(nèi)可能會(huì)比機(jī)械硬盤(pán)容量要高出很多，基本每TB字節(jié)是高出1美元，但是其容量的增加和尺寸的減小意味著需要更少的存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)次要的冷數(shù)據(jù)。而且，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了非傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(例如英特爾的長(zhǎng)條形M2刀片式服務(wù)器)，用戶可以在1U設(shè)備中部署32個(gè)32TB的刀片式服務(wù)器，當(dāng)這種技術(shù)與數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)結(jié)合使用時(shí)，1U設(shè)備中可以部署5PB的存儲(chǔ)容量。

人們對(duì)固態(tài)硬盤(pán)成本的認(rèn)識(shí)受到了以下影響：SSD硬盤(pán)主存儲(chǔ)的吞吐量可能更大，這意味著運(yùn)行給定工作負(fù)載所需的服務(wù)器更少，從而節(jié)省的成本超過(guò)了硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器額外的成本。此外，NVMe閃存驅(qū)動(dòng)器的成本已經(jīng)接近SAS和SATA的硬盤(pán)定價(jià)，這促使NVMe協(xié)議接口成為服務(wù)器甚至臺(tái)式機(jī)的首選接口。

與此同時(shí)，基于固態(tài)硬盤(pán)的全閃存存儲(chǔ)陣列(AFA)已經(jīng)取代了RAID存儲(chǔ)陣列，成為網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)的首選方案。在這里，由于可用的高帶寬，全閃存存儲(chǔ)陣列(AFA)支持它們所存儲(chǔ)的主要數(shù)據(jù)的壓縮以及輔助數(shù)據(jù)流被卸載到其他存儲(chǔ)設(shè)備的壓縮。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，壓縮會(huì)獲得原始容量的5倍的增值。由于機(jī)械硬盤(pán)的主存儲(chǔ)速度太慢，所以對(duì)于RAID陣列來(lái)說(shuō)，壓縮并不是一個(gè)可行的選擇。

超融合基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展是固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展的第三大趨勢(shì)。超融合架構(gòu)最初基于固態(tài)硬盤(pán)，已經(jīng)采用NVMe接口的固態(tài)硬盤(pán)可以獲得更快的響應(yīng)時(shí)間和更大的吞吐量。由Excelero公司引領(lǐng)的超融合架構(gòu)的下一步發(fā)展是將NVMe接口的固態(tài)硬盤(pán)直接連接到節(jié)點(diǎn)集群的RDMA以太網(wǎng)結(jié)構(gòu)，消除延遲并提供非常高的吞吐量。Excelero公司的方法開(kāi)放了直接將未來(lái)的NVMe以太網(wǎng)驅(qū)動(dòng)器連接到集群的結(jié)構(gòu)，允許在集群存儲(chǔ)設(shè)計(jì)大量的并行性。

所有這些趨勢(shì)的結(jié)果是，今年的市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪戰(zhàn)正在升溫，固態(tài)硬盤(pán)將在企業(yè)級(jí)驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域中遙遙領(lǐng)先。與此同時(shí)，基于SAN的主存儲(chǔ)設(shè)備銷售額正在下滑，RAID陣列銷售額將逐季下滑。

那么臺(tái)式機(jī)的應(yīng)用能支撐機(jī)械硬盤(pán)市場(chǎng)一段時(shí)間嗎?游戲玩家通常會(huì)追求速度，尤其是當(dāng)NVMe硬盤(pán)的價(jià)格與SATA硬盤(pán)相同的時(shí)候更是如此，因此機(jī)械硬盤(pán)的前景并不看好。

固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展道路面臨的困難是閃存芯片的生產(chǎn)能力。2018年上半年，供應(yīng)商轉(zhuǎn)向3D NAND的難度比預(yù)期的要大，這將造成供應(yīng)短缺。隨著這個(gè)問(wèn)題逐漸解決，以及近期3D NAND芯片堆疊創(chuàng)新的實(shí)際產(chǎn)能增長(zhǎng)，2018年將看到其供應(yīng)量將會(huì)滿足市場(chǎng)需求。而市場(chǎng)對(duì)于NAND芯片的需求仍然很高，所以在機(jī)械硬盤(pán)的轉(zhuǎn)換過(guò)程中可能會(huì)持續(xù)短缺。

而根據(jù)以上這幾個(gè)因素，人們預(yù)測(cè)機(jī)械硬盤(pán)的應(yīng)用將逐步消亡，但這樣的改變需要花費(fèi)十年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間才能完成，甚至最終還會(huì)存在一個(gè)傳統(tǒng)系統(tǒng)的市場(chǎng)。