Vishay TrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET，具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通損耗以及功耗。并擁有低柵極總電荷的特性。采用PowerPAK SO-8封裝，能以三分之一的尺寸實現(xiàn)相近的效率。應(yīng)用于大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流器、太陽能微型逆變器以及電機(jī)驅(qū)動開關(guān)。

應(yīng)用框圖

特性

源漏極導(dǎo)通電阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω

柵極電荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC

持續(xù)源漏極導(dǎo)通電流(TC=25°C): 241A/ 165A

100%通過Rg和UIS測試

材料兼容Pb-free RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用領(lǐng)域

同步整流

初級側(cè)開關(guān)

DC/DC轉(zhuǎn)換器

太陽能微型逆變器

電機(jī)驅(qū)動開關(guān)

電池和負(fù)載開關(guān)