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深度解析:Air780E模組之SIM卡接口電路的設計原理

青山老竹農(nóng) ? 來源:jf_82863998 ? 作者:jf_82863998 ? 2024-11-04 14:32 ? 次閱讀
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?SIM卡接口用于連接SIM卡并讀取SIM卡信息,以便在注冊4G網(wǎng)絡時進行鑒權(quán)身份驗證,是4G通信系統(tǒng)的必要功能。

合宙低功耗4G模組經(jīng)典型號Air780E支持兩路SIM卡,支持雙卡切換,便于設備靈活選擇,切換網(wǎng)絡。接下來,我們詳細介紹SIM卡接口功能及其電路設計相關(guān)注意事項,希望對您的應用有幫助。

一、SIM卡接口功能簡介

Air780E模組支持2路USIM接口,支持雙卡單待功能,均符合ETSI和IMT-2000規(guī)范。

  • USIM1接口:
    自適應支持1.8V和3.3V USIM卡;
  • USIM2接口:
    支持USIM卡的電平與模組GPIO電平配置相同。模組GPIO電平配置為1.8V時,USIM2只支持1.8V的USIM卡;模組GPIO電平配置為3.3V時,USIM2只支持3.3V的USIM卡。

1.1 SIM卡相關(guān)管腳

Air780E模組SIM卡信號相關(guān)管腳,詳見下方圖表:

圖片?

圖片?

1.2 SIM卡電氣特性

1)支持SIM卡類型:

  • USIM1接口:1.8V/3.3V USIM卡;
  • USIM2接口:
    與模組GPIO電平配置有關(guān)。模組GPIO電平配置為1.8V時,只支持1.8V的USIM卡;模組GPIO電平配置為3.3V時,只支持3.3V的USIM卡。

2)SIM卡在位檢測: USIM1支持;USIM2不支持。

3)支持協(xié)議: ETSI / IMT-2000

4)雙卡特性: 雙卡單待

圖片?

1.3 SIM卡時序

激活時序:

當SIM卡的觸點接通序列結(jié)束后(RST處于低電平,VCC穩(wěn)定供電,ME的I/O處于接收狀態(tài),VPP被置為空閑狀態(tài),CLK提供適當?shù)?、穩(wěn)定的時鐘),SIM卡準備復位。

如下圖所示:

圖片?

t2≤200/fi;400/fi≤t1≤40000/fi;40000/fi≤t3。

  • 時鐘信號在T0時刻加到CLK觸點,I/O總線在時鐘信號加到CLK觸點200個時鐘周期(T0時刻之后的t2時間段)之內(nèi)應該處于高阻狀態(tài);
  • 內(nèi)部復位的SIM卡,在幾個時鐘周期之后開始復位,復位應答應該在400~40000個時鐘周期內(nèi)開始(T0時刻之后的t1時間段之內(nèi));
  • 低電平復位的SIM卡的復位信號至少在40000個時鐘周期內(nèi)RST觸點維持低電平(T0之后的t3時間段內(nèi)),如果在40000個時鐘周期內(nèi)沒有復位應答,則RST觸點被置為高電平;
  • I/O端的復位應答必須在RST上升沿開始的400~40000個時鐘周期內(nèi)開始(T1時刻之后的t1時間段之內(nèi));
  • 如果復位應答在400~40000個時鐘周期內(nèi)沒有開始(T1時刻之后的t3時間段之內(nèi)),則RST觸點的電平將被置為低電平(在T2時刻),觸點也將被ME釋放。

1.4 SIM卡切換功能

Air780E支持雙卡單待,同一時間只能使用其中一個SIM通道??梢酝ㄟ^相應的AT指令或者LuatOS相應的API,進行SIM卡通道切換。

相關(guān)特性如下:

1)對于內(nèi)置貼片SIM卡的雙卡應用場景,建議將貼片SIM卡置于SIM2通道,外置插拔SIM卡座置于SIM1通道,以實現(xiàn)優(yōu)先使用外置插拔SIM卡的效果。

2)由于Air780E是雙卡單待模式,因此同時只能有一張SIM卡在工作,系統(tǒng)在切換SIM卡時,會重新注冊網(wǎng)絡。

3)模組開機會默認檢測SIM1通道,在SIM1通道檢測到SIM卡不在位的情況下,才會去檢測SIM2通道。

4)USIM_DET信號為SIM卡插拔檢測管腳,上下邊沿電平觸發(fā)中斷,觸發(fā)系統(tǒng)進行SIM1通道的卡在位檢測。而SIM2通道不支持SIM卡插拔檢測。

二、SIM卡接口電路設計

常用的SIM卡參考設計如下:

USIM1通道:

?

USIM2通道:

圖片?

設計注意事項:

1)SIM卡座與模組距離擺件不能太遠,越近越好,盡量保證SIM卡信號線布線不超過20cm。

2)SIM卡信號線布線遠離RF線和VBAT電源線。

3)為了防止可能存在的USIM_CLK信號對USIM_DATA信號的串擾,兩者布線不要太靠近,在兩條走線之間增加地屏蔽。且對USIM_RST_N信號也需要地保護。

4)為了保證良好的ESD保護,建議加TVS管,并靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大于50pF。在模組和SIM卡之間也可以串聯(lián)22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI,增強ESD防護。SIM卡的外圍電路必須盡量靠近SIM卡座。

5)在需要模組進入休眠的場景,SIM_DET禁止用VDD_EXT上拉,否則會造成無法休眠的問題;建議用VREF_VOLT上拉。

6)USIM2通道由于是與普通GPIO口復用,因此無法自適應1.8V/3.3V USIM卡,USIM2的電平只能與VDD_EXT保持一致,也就是與模組GPIO電平保持一致。

7)USIM_DET只支持USIM1通道,通過中斷觸發(fā)系統(tǒng)查詢SIM卡是否在位,因此,USIM_DET只要是電平變化就能觸發(fā)中斷,無論是高電平或是低電平。

8)USIM2_DAT和USIM2_RST在模組內(nèi)部被4.7K上拉到USIM_VDD;USIM2_CLK通過100K上拉到RefVolt。因此如果要使用這三個管腳復用GPIO,要注意上拉電阻對外設的影響。

9)USIM1_VDD和USIM2_VDD共用同一個電源,內(nèi)部是同一個網(wǎng)絡,因此USIM1_VDD和USIM2_VDD總是同時上下電,即使USIM2通道不使用。

三、SIM卡常見問題

在出現(xiàn)SIM卡不識別卡時,測量SIM卡供電VDD_SIM,總是發(fā)現(xiàn)VDD_SIM為低電平?

原因解析:

SIM卡在初始化時,系統(tǒng)會嘗試4次與SIM卡交互。此時VDD_SIM也會打開4次,分別在1.8V和3.3V交替檢測,若檢測不到SIM卡,VDD_SIM卡就會關(guān)閉,如下圖:

圖片?

因此在檢測不到SIM卡的情況下,USIM_VDD總是低電平。

設計建議:

VDD_SIM不輸出不是SIM卡不識別的原因,而是結(jié)果;SIM卡上任何一個信號異常,均會導致VDD_SIM自動關(guān)閉。

?
審核編輯 黃宇

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