經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出，由于部分供應商在2024年盈利后著手規(guī)劃新增產(chǎn)能，預計2025年整個DRAM產(chǎn)業(yè)的位元產(chǎn)出將實現(xiàn)25%的年度增長，這一增幅相較于2024年更為顯著。

TrendForce集邦咨詢的最新調查顯示，DRAM產(chǎn)業(yè)結構正變得越來越復雜。除了現(xiàn)有的PC、服務器（Server）、移動設備（Mobile）、圖形（Graphics）和消費級（Consumer）DRAM之外，還新增了高帶寬存儲器（HBM）這一品類。吳雅婷強調，在三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品的強勁表現(xiàn)而大幅提升了利潤，并計劃在2025年增加最多的新產(chǎn)能。整體來看，2025年DRAM產(chǎn)業(yè)的位元產(chǎn)出預計將增加25%。

HBM已成為DRAM產(chǎn)業(yè)的重要驅動力，這主要得益于人工智能（AI）的需求增長。如果不考慮HBM產(chǎn)品，2025年傳統(tǒng)DRAM（Conventional DRAM）的位元產(chǎn)出預計將實現(xiàn)20%的年度增長。而僅從三大原廠的傳統(tǒng)DRAM位元產(chǎn)出來看，明年預計將增長15%，這一增速在歷年情況中屬于偏低水平。傳統(tǒng)DRAM包括DDR5、DDR4、LPDDR4、LPDDR5、圖形和消費級DRAM。

TrendForce集邦咨詢指出，2025年DRAM產(chǎn)業(yè)的位元供給將十分充足。如果市場需求不如預期，供應商將面臨較大的跌價壓力。其中，LPDDR4x和DDR4這兩項產(chǎn)品的價格壓力將明顯高于其他類別。此外，明年HBM的供貨將持續(xù)緊張，尤其是HBM3e的情況最為嚴重。