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存儲DRAM:擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

晶芯觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:黃晶晶 ? 2025-05-10 00:58 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱,HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長,甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據(jù)CFM閃存市場的分析數(shù)據(jù),2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領(lǐng)域的絕對優(yōu)勢,終結(jié)三星長達(dá)四十多年的市場統(tǒng)治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。

當(dāng)前國際存儲大廠轉(zhuǎn)向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,疊加關(guān)稅出口等這些因素對存儲的后續(xù)市場產(chǎn)生影響。

HBM重構(gòu)DRAM市場格局,HBM仍是投入重點

CFM閃存市場指出,從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經(jīng)開始減小,在4Q23和1Q24他們還保持有11%的份額差距,而到4Q24已經(jīng)減小到1%;與之相對應(yīng)的是,在HBM市場份額上,SK海力士與三星從最初的幾乎五五分,到2025年一季度已經(jīng)擴(kuò)大到兩倍以上的差距。

另一方面,HBM市場滲透率已經(jīng)從2023年的9%翻倍躍升至2024年的18%。經(jīng)歷數(shù)代的HBM產(chǎn)品演進(jìn),當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要聚焦于HBM3E的競爭,預(yù)計到2025年隨著這三家存儲廠商HBM4量產(chǎn)落地,HBM產(chǎn)品在全部DRAM產(chǎn)業(yè)中的占比將接近30%,市場將達(dá)到2880億Gb當(dāng)量,并且在服務(wù)器內(nèi)存消耗方面,其應(yīng)用還在持續(xù)增長。

SK海力士2025財年第一季度財報顯示,公司2025財年第一季度結(jié)合并收入為17.6391萬億韓元,營業(yè)利潤為7.4405萬億韓元,凈利潤為8.1082萬億韓元。2025財年第一季度營業(yè)利潤率為42%,凈利潤率為46%。公司本季度的收入和營業(yè)利潤是在繼前一季度創(chuàng)下歷史最高業(yè)績后,達(dá)到了第二高的業(yè)績水平。營業(yè)利潤率環(huán)比改善了1個百分點,增至42%,并以連續(xù)八個季度呈現(xiàn)出穩(wěn)健上升趨勢。

SK海力士表示:“第一季度,受人工智能開發(fā)競爭加劇和庫存補充需求等影響,存儲器市場情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢,公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷售。”

SK海力士認(rèn)為,全球不確定性加劇,導(dǎo)致需求前景的多變性增加。為滿足客戶要求,公司決定加強(qiáng)與供應(yīng)鏈的協(xié)作。

公司針對HBM需求,因其產(chǎn)品特性,通常需要提前一年與客戶進(jìn)行供應(yīng)量協(xié)商。預(yù)計今年該產(chǎn)品將持續(xù)保持同比增長約一倍。因此,12層HBM3E的銷售將穩(wěn)步增長,預(yù)計在第二季度其銷售將占整個HBM3E比重的一半以上。

財報顯示,2024年三星電子公司實現(xiàn)收入300.9萬億韓元 (約1.52萬億元人民幣),同比增長16%;而歸母凈利潤則飆升至33.6萬億韓元 (約1692.43億元人民幣),同比增長131%。其中,三星內(nèi)存業(yè)務(wù)成為主要增長引擎,銷售額達(dá)84.5萬億韓元,同比增長91%,HBM及DDR5產(chǎn)品貢獻(xiàn)顯著。

三星電子Q1存儲營收為19.1萬億韓元(約合133.8億美元),環(huán)比減少17%,同比增長9%;存儲業(yè)務(wù)所在的DS部門Q1經(jīng)營利潤為1.1萬億韓元(約合7.7億美元),環(huán)比減少62%,同比減少42%。

對于存儲業(yè)務(wù),三星表示,營收同比實現(xiàn)增長主要得益于服務(wù)器 DRAM 銷售的擴(kuò)大以及市場價格觸底反彈下滿足了額外的NAND需求。然而,由于平均售價(ASP)下降、AI 芯片出口管制和對即將推出的增強(qiáng)型 HBM3E 產(chǎn)品需求延遲導(dǎo)致HBM 銷售下降,從而影響了整體盈利。

第二季度預(yù)期與新產(chǎn)品規(guī)劃

SK海力士表示,從今年第一季度開始,公司向部分PC領(lǐng)域客戶供應(yīng)面向人工智能PC的高性能存儲器模塊LPCAMM2。LPCAMM2(Low-Power Compression Attached Memory Module 2)是基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品,其性能表現(xiàn)相當(dāng)于兩個現(xiàn)有DDR5 SODIMM的性能水平,同時能夠有效節(jié)省空間,且具備低功耗、高性能特性。

同時,公司也計劃與客戶緊密合作,在需求正式啟動時,及時供應(yīng)面向人工智能服務(wù)器的低功耗DRAM模塊SOCAMM。SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)是一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模組,特別適用于AI服務(wù)器。

就NAND閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域,公司將積極響應(yīng)高容量企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)的市場需求,同時秉持謹(jǐn)慎的投資基調(diào),持續(xù)實施以盈利為導(dǎo)向的運營策略。

展望二季度,三星電子預(yù)計AI服務(wù)器需求將強(qiáng)勁,將通過以服務(wù)器為中心的產(chǎn)品組合,加強(qiáng)在高附加值市場的地位,并加大增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E的產(chǎn)能以滿足初期需求。在NAND方面,致力于加速所有應(yīng)用向第八代V-NAND的過渡,以增強(qiáng)成本競爭力。

另外,據(jù)公開報道,2025年,三星將HBM3E產(chǎn)能提升三倍,并將QLC SSD的市場占比目標(biāo)設(shè)定為30%,相比2024年的15%大幅提高。

對于下半年,三星電子表示,隨著新款GPU的上市,預(yù)計AI相關(guān)需求將持續(xù)保持高位;將擴(kuò)大高附加值產(chǎn)品的銷售,包括增強(qiáng)型12層堆疊HBM3E產(chǎn)品和128GB及以上的高密度DDR5模塊。

在Mobile和PC市場,預(yù)計終端設(shè)備AI將得到普及,三星電子計劃通過其業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps LPDDR5x產(chǎn)品積極響應(yīng)市場環(huán)境的轉(zhuǎn)變。

部分存儲產(chǎn)品停產(chǎn)

此前,市場傳三星電子通知客戶于2025年4月終止1z制程8Gb LPDDR4存儲器生產(chǎn)(End of Life),并要求客戶在6月前完成最后買進(jìn)訂單,預(yù)計最遲于10月前出貨,主要原因是國內(nèi)手機(jī)LPDDR4存儲芯片訂單轉(zhuǎn)到本土工廠制造,三星將聚焦LPDDR5以上的高端產(chǎn)品。對此傳聞,三星半導(dǎo)體回應(yīng)稱,不評論業(yè)界傳言,生產(chǎn)在按序進(jìn)行。另外,消息稱,公司計劃減少超過20%的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能,轉(zhuǎn)向生產(chǎn)LPDDR5x及HBM等高端產(chǎn)品。
近期,國際存儲大廠紛紛停產(chǎn)DDR3、DDR4,退出的市場無疑將為中小容量的存儲廠商帶來機(jī)會。

而另一方面,從數(shù)據(jù)來看,韓國銷往中國的半導(dǎo)體占比持續(xù)下降。韓國貿(mào)易協(xié)會(KITA)數(shù)據(jù)顯示,中國大陸和中國香港2024年占韓國半導(dǎo)體出口的比率為51.7%,低于2020年的61.6%。其中,出口到中國內(nèi)地的份額從2020年的40.2%降至33.3%,出口到中國香港的份額從20.9%降至18.4%。

韓國貿(mào)易部發(fā)布的報告顯示,2月韓國芯片對中國大陸(包括中國香港)的出口額同比下降31.8%,這一降幅大于1月份報告的22.5%的降幅。同時,韓國對越南、美國的出口有所增加。也有韓國產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士認(rèn)為,由于中國企業(yè)半導(dǎo)體技術(shù)和生產(chǎn)能力的提高,韓國以DRAM為主的出口大幅減少。

可以看到,當(dāng)前SK海力士、美光、三星主要投入到HBM的競爭,此前HBM需求旺、價格上漲等讓廠商們收益頗豐,未來HBM也將是它們的重點。隨之而來的是對DRAM產(chǎn)能的重新分配、停產(chǎn)部分DDR產(chǎn)品等舉措。同時,從進(jìn)出口數(shù)據(jù)以及關(guān)稅對整個產(chǎn)業(yè)造成的不確定性來看,存儲大廠留下的市場空間給了其他存儲廠商更多的發(fā)展機(jī)會。

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