原創(chuàng)：CASA 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟

2024年11月19日，在第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）開幕式上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”）正式發(fā)布9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。這一系列標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學(xué)、合理的測(cè)試與評(píng)估方法，支撐產(chǎn)品性能提升，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

李晉閩中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原所長(zhǎng)、研究員，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長(zhǎng)，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任

邱宇峰第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長(zhǎng)

徐現(xiàn)剛山東大學(xué)教授

張清純清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司董事長(zhǎng)

饒進(jìn)華為海思功率器件開發(fā)部部長(zhǎng)

李鉀東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司研發(fā)總院副總工程師

陳媛工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

萬(wàn)玉喜深圳平湖實(shí)驗(yàn)室主任

共同見(jiàn)證9項(xiàng)SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布。

在產(chǎn)業(yè)各界的關(guān)注和支持下，2021年起，為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟持續(xù)、啟動(dòng)布局了SiC MOSFET功率器件閾值電壓測(cè)試方法、開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法、柵極電荷測(cè)試方法、高溫柵偏試驗(yàn)方法、高溫反偏試驗(yàn)方法、高壓高溫高濕反偏試驗(yàn)方法、動(dòng)態(tài)柵偏試驗(yàn)方法、動(dòng)態(tài)反偏試驗(yàn)方法、動(dòng)態(tài)高溫高濕反偏試驗(yàn)方法的標(biāo)準(zhǔn)制定工作。希望能夠?yàn)楫a(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新尋求相對(duì)統(tǒng)一的產(chǎn)品評(píng)價(jià)方法，樹立應(yīng)用市場(chǎng)信心，支撐新興市場(chǎng)開拓。

所有聯(lián)盟正式發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)文本，訪問(wèn)聯(lián)盟官方網(wǎng)站
http://www.casa-china.cn/a/casas/upload/免費(fèi)下載。

T/CASAS 021—2024

SiC MOSFET閾值電壓測(cè)試方法

本文件主要起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所、南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司、揚(yáng)州國(guó)揚(yáng)電子有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、東南大學(xué)、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、浙江大學(xué)、浙江大學(xué)紹興研究院、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、是德科技（中國(guó)）有限公司、博測(cè)銳創(chuàng)半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司、北京勵(lì)芯泰思特測(cè)試技術(shù)有限公司、山東大學(xué)、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、西安交通大學(xué)、朝陽(yáng)微電子科技股份有限公司、山東閱芯電子科技有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、芯合半導(dǎo)體（合肥）有限公司、廣東能芯半導(dǎo)體科技有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：劉奧、張國(guó)斌、柏松、黃潤(rùn)華、楊勇、桂明洋、遲雷、陳媛、徐申、孫欽華、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孫承志、陳彥銳、何黎、崔瀠心、胡惠娜、王來(lái)利、裴云慶、韓冰冰、佘超群、劉宗亮、趙高鋒、趙海明、姜南、高偉。

T/CASAS 033—2024

SiC MOSFET功率器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

本文件主要起草單位：重慶大學(xué)、華潤(rùn)潤(rùn)安科技有限公司、北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司、杭州飛仕得科技有限公司、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、是德科技（中國(guó)）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麥科信科技有限公司、浙江大學(xué)、國(guó)網(wǎng)江蘇省電力有限公司經(jīng)濟(jì)技術(shù)研究院、合肥工業(yè)大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院電子工程所、蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司、泰克科技（中國(guó)）有限公司、山東閱芯電子科技有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、智新半導(dǎo)體有限公司、西安交通大學(xué)、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市新凱來(lái)技術(shù)有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：曾正、潘效飛、牛富麗、孫鵬、袁琰、劉偉、孫欽華、孫承志、毛賽君、張興杰、吳新科、孫文濤、趙爽、李俊燾、張?zhí)?、孫川、佘超群、陳媛、王丹丹、楊霏、張雷、常桂欽、李鉀、王民、王來(lái)利、陳剛、王曉萍、黃海濤、杜凱、林曉晨、唐浩銘、李本亮、高偉。

T/CASAS 037—2024

SiC MOSFET柵極電荷測(cè)試方法本文件主要起草單位：東南大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、浙江大學(xué)、西安交通大學(xué)、智新半導(dǎo)體有限公司、蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司、是德科技（中國(guó)）有限公司、芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：魏家行、曹鈞厚、劉斯揚(yáng)、孫偉鋒、陳媛、毛賽君、劉惠鵬、孫博韜、王珩宇、王來(lái)利、王民、張?zhí)?、孫承志、叢茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孫欽華、劉海軍、張雷、李鉀、麥志洪、王曉萍、周紫薇、李夢(mèng)亞、李本亮、高偉。

T/CASAS 042—2024

SiC MOSFET 高溫柵偏試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復(fù)旦大學(xué)、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江大學(xué)、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、懷柔實(shí)驗(yàn)室、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司、浙江大學(xué)紹興研究院、西安交通大學(xué)、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導(dǎo)體有限公司、東莞南方半導(dǎo)體科技有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、羅濤、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、林翰東、李雙媛、孫博韜、李鉀、王民、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、楊奉濤、張雷、唐虎、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、喬良、李本亮、高偉。

T/CASAS 043—2024

SiC MOSFET 高溫反偏試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復(fù)旦大學(xué)、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江大學(xué)、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、懷柔實(shí)驗(yàn)室、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司、浙江大學(xué)紹興研究院、西安交通大學(xué)、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導(dǎo)體有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、項(xiàng)載滿、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、解錕、任志恒、李鉀、王民、孫博韜、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、張彤宇、張雷、王陽(yáng)、唐虎、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、李本亮、徐瑞鵬。

T/CASAS 044—2024

SiC MOSFET 高壓高溫高濕反偏試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：忱芯科技(上海)公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、復(fù)旦大學(xué)、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、浙江大學(xué)、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、深圳市禾望電氣股份有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、懷柔實(shí)驗(yàn)室、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司、浙江大學(xué)紹興研究院、西安交通大學(xué)、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、上海維安電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技股份有限公司、深圳市大能創(chuàng)智半導(dǎo)體有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：毛賽君、楊書豪、陳媛、侯欣藍(lán)、羅潤(rùn)鼎、陸月明、王珩宇、李汝冠、謝峰、陳志玉、孫相超、李鉀、王民、孫博韜、陳中圓、王丹丹、周紫薇、劉紅超、郭清、林氦、王來(lái)利、張雷、王陽(yáng)、劉鵬飛、仲雪倩、謝斌、李本亮、高偉。

T/CASAS 045—2024

SiC MOSFET 動(dòng)態(tài)柵偏試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院、復(fù)旦大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、杭州三海電子科技股份有限公司、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、深圳禾望電氣股份有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、北京華峰測(cè)控技術(shù)股份有限公司、寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司、智新半導(dǎo)體有限公司、常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司、上海維安電子股份有限公司、東莞南方半導(dǎo)體科技有限公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、西安交通大學(xué)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：孫博韜、樊嘉杰、侯欣藍(lán)、羅潤(rùn)鼎、史文華、雷光寅、陳媛、左元慧、張俊然、李鉀、馮?？?、湯益丹、謝峰、崔丁元、于亮、劉惠鵬、袁琰、王民、張海濤、莊建軍、張園覽、劉鵬飛、喬良、王丹丹、萬(wàn)玉喜、陳剛、王來(lái)利、楊奉濤、劉宗亮、李本亮、徐瑞鵬。

T/CASAS 046—2024

SiC MOSFET動(dòng)態(tài)反偏(DRB)試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中國(guó)科學(xué)院電工研究所、比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳市禾望電氣股份有限公司、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、西安交通大學(xué)、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：陳媛、何亮、施宜軍、毛賽君、陳興歡、趙鵬、王宏躍、蔡宗棋、張瑾、吳海平、孫博韜、丁琪超、左元慧、張俊然、李鉀、王民、王丹丹、謝峰、閔晨、楊霏、劉昌、朱占山、張?jiān)妷?mèng)、李汝冠、王來(lái)利、張彤宇、王鐵羊、劉陸川、胡浩林、李煒鴻、趙高鋒、李本亮、高偉。

T/CASAS 047—2024

SiC MOSFET動(dòng)態(tài)高溫高濕反偏(DH3TRB)試驗(yàn)方法

本文件主要起草單位：工業(yè)和信息化部電子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中國(guó)科學(xué)院電工研究所、比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院、東風(fēng)汽車集團(tuán)有限公司、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、深圳市禾望電氣股份有限公司、杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、中國(guó)第一汽車集團(tuán)有限公司、廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司、西安交通大學(xué)、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、廣東省東莞市質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

本文件主要起草人：陳媛、施宜軍、何亮、毛賽君、陳興歡、王宏躍、趙鵬、蔡宗棋、張瑾、吳海平、孫博韜、丁琪超、左元慧、張俊然、李鉀、王民、王丹丹、謝峰、閔晨、楊霏、劉昌、暴杰、徐思晗、李汝冠、王來(lái)利、王鐵羊、劉陸川、胡浩林、李煒鴻、趙高鋒、李本亮、高偉。

審核編輯 黃宇