MPW流片

上海工研院(SITRI) 聯(lián)合中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、上海交通大學(xué)等國內(nèi)硅基光電子領(lǐng)域知名研究機(jī)構(gòu)，建立硅基光電子器件工藝平臺(tái)，擁有近5000平米潔凈室，具備90nm高精度光刻、晶體外延、介質(zhì)薄膜生長、干法及濕法刻蝕、摻雜、金屬互連和在線工藝檢測等成套關(guān)鍵工藝能力，可以通過MPW、定制化流片、聯(lián)合研發(fā)等多種方式為各類高校、科研院所和企業(yè)提供服務(wù)，滿足客戶研發(fā)、中試、封裝等多樣化需求。

經(jīng)過多年沉淀積累，上海工研院硅光平臺(tái)的服務(wù)能力持續(xù)穩(wěn)定提升，日趨成熟，獲得了行業(yè)的高度認(rèn)可。2023年，90納米硅基光電子技術(shù)入選《2023年上海市科技進(jìn)步報(bào)告》，并在2024年入選中國光學(xué)工程學(xué)會(huì)“硅基光電子三年優(yōu)秀成果展”。隨著強(qiáng)烈的市場需求，為確保每一位合作伙伴都能及時(shí)把握住研發(fā)創(chuàng)新的先機(jī)，我們正積極調(diào)配資源，優(yōu)化流程，確保在2025年為客戶提供更加緊湊、高效的流片周期。

在此，我們誠摯邀請各界同仁，無論是致力于前沿探索的學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)，還是追求技術(shù)創(chuàng)新的企業(yè)伙伴，盡早規(guī)劃，把握時(shí)機(jī)，加入我們的流片計(jì)劃。2025年，讓我們攜手并進(jìn)，在硅基光電子的廣闊天地中，共同書寫屬于未來的輝煌篇章！

90nm SOI無源工藝

目前，SOI無源集成工藝流片的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm，具備三步硅刻蝕、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連和深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力，可實(shí)現(xiàn)各種高性能的硅光無源器件。

180nm SiN無源工藝

SiNonSOI無源集成工藝流片，Si的最小工藝節(jié)點(diǎn)為90nm，SiN的最小工藝節(jié)點(diǎn)為200nm，具備了三步硅刻蝕、LPCVD氮化硅、TiN金屬加熱電極、單層鋁互連以及深硅刻蝕等關(guān)鍵工藝能力。該工藝結(jié)合了氮化硅和SOI平臺(tái)的優(yōu)點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)高性能的硅光子和氮化硅無源器件。