隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現(xiàn)有的傳統(tǒng)非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經(jīng)難以滿足這些需要了。同傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有一些獨(dú)一無二的特性，因此受到很大關(guān)注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關(guān)的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應(yīng)用。

一、鐵電存儲器的定義

鐵電存儲器(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨機(jī)存取存儲器，它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結(jié)合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術(shù)。

二、鐵電存儲器的工作原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。鐵電效應(yīng)是指在鐵晶體上施加一定電場時，晶體中心原子在電場的作用下移動，達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài);當(dāng)電場從晶體中移除時，中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階，當(dāng)沒有獲得外部能量時，中心原子不能超過高能階到達(dá)另一個穩(wěn)定位置。因此，F(xiàn)RAM不需要電壓來保持?jǐn)?shù)據(jù)，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。

FRAM的特點(diǎn)是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數(shù)的問題。然而，受鐵晶體特性的限制，F(xiàn)RAM的訪問次數(shù)仍然最多。

三、鐵電存儲器應(yīng)用

由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲，因此有望廣泛應(yīng)用于消費(fèi)者的小型設(shè)備中，如個人數(shù)字助理(PDA)、手機(jī)、電源表、智能卡和安全系統(tǒng)。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應(yīng)用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，成為未來無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。

以上就是關(guān)于鐵電存儲器的原理與應(yīng)用，以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應(yīng)用的全部內(nèi)容分享，相信大家看完之后對高壓放大器以及鐵電存儲器有了更深的了解，更多精彩歡迎持續(xù)關(guān)注我們。

功率放大器在鐵電材料極化測試中的應(yīng)用

對于鐵電材料極化測試，我們的ATA-7000系列高壓放大器能很好地勝任此工作，在鐵電材料極化測試中也有著良好應(yīng)用，它是一款理想的可放大交、直流信號的高壓放大器。單端輸出20kVp-p（±10kVp）高壓，可以驅(qū)動高壓型負(fù)載。電壓增益數(shù)控可調(diào)，一鍵保存常用設(shè)置，為您提供了方便簡潔的操作選擇，參數(shù)指標(biāo)可進(jìn)行個性化定制。

圖：ATA-7100高壓放大器指標(biāo)參數(shù)

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審核編輯 黃宇