密歇根大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新型的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備因其卓越的耐高溫特性而有望成為計(jì)算機(jī)內(nèi)存的關(guān)鍵替代選項(xiàng)。與常規(guī)的硅基存儲(chǔ)技術(shù)相比，這種創(chuàng)新設(shè)備能夠在超過(guò) 600°C 的極端高溫條件下進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和重寫(xiě)，這一溫度水平甚至超越了金星表面的溫度以及鉛的熔點(diǎn)。

密歇根大學(xué)材料科學(xué)與工程系的助理教授，同時(shí)也是本研究的主要通訊作者 Yiyang Li 指出：“目前我們已成功開(kāi)發(fā)出一種能夠存儲(chǔ)單比特?cái)?shù)據(jù)的設(shè)備，其性能與其他高溫計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)相當(dāng)。隨著進(jìn)一步的研究和資金投入，理論上該設(shè)備具備擴(kuò)展到兆字節(jié)或千兆字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的能力。”

盡管研究顯示，向這種新型存儲(chǔ)器寫(xiě)入信息需要250°C以上的高溫，但通過(guò)使用加熱器可以解決這一問(wèn)題，從而使設(shè)備在更低的溫度下也能正常運(yùn)作。

與傳統(tǒng)基于硅的存儲(chǔ)技術(shù)相比，這種新型設(shè)備具有顯著的優(yōu)勢(shì)。它利用帶負(fù)電的氧原子來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非依賴(lài)電子。當(dāng)溫度超過(guò)150°C時(shí)，傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體會(huì)開(kāi)始導(dǎo)通不可控制的電流，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)信息的丟失。然而，由于沒(méi)有這種限制，即使在600°C以上的高溫下，這種新型設(shè)備仍然能夠穩(wěn)定地保存數(shù)據(jù)。

這項(xiàng)研究是與桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室合作完成的，并已在《Device》雜志上發(fā)表。