美國政府?dāng)M為博世加州晶圓廠改造項目提供 2.25 億美元補貼
12 月 16 日消息，根據(jù)美國商務(wù)部當(dāng)?shù)貢r間 13 日公告，美國政府已同博世就一份《CHIPS》法案補貼達成不具約束力的初步備忘錄，計劃向博世的加州晶圓廠改造項目提供 2.25 億美元直接資金和 3.5 億美元（當(dāng)前約 25.49 億元人民幣）貸款。
博世在 2023 年收購了 TSI Semiconductors，取得 TSI 加州羅斯維爾 8 英寸（200mm）晶圓廠所有權(quán)，并表示將把該晶圓廠改造為 SiC 碳化硅生產(chǎn)設(shè)施，目標(biāo) 2026 年投產(chǎn)。 加州羅斯維爾晶圓廠是博世在美首個半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。該改造項目耗資 19 億美元（當(dāng)前約 138.37 億元人民幣），將導(dǎo)入最先進的碳化硅生產(chǎn)工藝。美國商務(wù)部表示，該晶圓廠滿載時有望生產(chǎn)博世絕大部分碳化硅半導(dǎo)體，并占到美國碳化硅器件總產(chǎn)能的 40% 以上。 除直接資金和貸款以外，博世還計劃向美國財政部申請相當(dāng)于合格資本支出額 25% 的先進制造投資抵免。
審核編輯 黃宇
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