如果你正在設(shè)計(jì)一款用于5G基站或精密雷達(dá)的振蕩器,單純靠一種方法是不夠的。你需要“SC切割晶體 + 四點(diǎn)封裝”作為基礎(chǔ),配合“電子補(bǔ)償”電路來應(yīng)對(duì)動(dòng)態(tài)環(huán)境,同時(shí)輔以“超低噪聲電源”和“精密溫控”。這套組合拳,就是目前業(yè)界公認(rèn)的“硬核”降噪方案。
發(fā)表于 01-16 16:38
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什么是浮點(diǎn)數(shù)
浮點(diǎn)數(shù)是指一種既包含小數(shù)又包含整數(shù)的數(shù)據(jù)類型。
浮點(diǎn)型變量分類
浮點(diǎn)型分為單精度(float型)和雙精度(double型)。浮點(diǎn)型變量使用定義。如下:
float a; // 聲明
發(fā)表于 01-07 06:28
在宏的第一個(gè)分號(hào)后便結(jié)束。即 a = b 和 b = tmp 均不受控制語句所作用。
因此,在工程中,一般使用三種方式來對(duì)函數(shù)宏進(jìn)行封裝,分別為 {}、do{...}while(0
發(fā)表于 12-29 07:34
CW32芯片的三種工作模式是什么?
發(fā)表于 12-26 06:48
。下面列出APx500軟件包含的至少10種方法都可以進(jìn)行頻響曲線的測(cè)量:FrequencyResponseContinuousSweepAcousticRespo
發(fā)表于 11-14 11:29
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摘要:變頻技術(shù)作為現(xiàn)代電力電子的核心技術(shù),集現(xiàn)代電子、信息和智能技術(shù)于一體。而SPW(正弦波脈寬調(diào)制)波的產(chǎn)生和控制則是變頻技術(shù)的核心之一。本文對(duì)SPI波形生成的三種算法-對(duì)稱規(guī)則采樣法、不對(duì)稱規(guī)則
發(fā)表于 07-31 13:34
在集成MEMS芯片的環(huán)境溫度測(cè)量領(lǐng)域,熱阻、熱電堆和PN結(jié)原理是三種主流技術(shù)。熱阻是利用熱敏電阻,如金屬鉑或注入硅的溫度電阻系數(shù)恒定,即電阻隨溫度線性變化的特性測(cè)溫,電阻變化直接對(duì)應(yīng)絕對(duì)溫度,需恒流源供電。
發(fā)表于 07-16 13:58
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在生產(chǎn)環(huán)境中,為了確保數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)的連續(xù)可用性、降低故障恢復(fù)時(shí)間以及實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的無縫切換,高可用(High Availability, HA)方案至關(guān)重要。本文將詳細(xì)介紹三種常見的 MySQL 高可用
發(fā)表于 05-28 17:16
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本文介紹了測(cè)量噪聲系數(shù)的三種方法:增益法、Y系數(shù)法和噪聲系數(shù)測(cè)試儀法。這三種方法的比較以表格的形式給出。
在無線通信系統(tǒng)中,噪聲系數(shù)(NF)或者相對(duì)應(yīng)的噪聲因數(shù)(F)定義了噪聲性能和對(duì)接
發(fā)表于 05-07 10:18
信號(hào)隔離器是一種重要的信號(hào)隔離裝置,其供電方式主要有獨(dú)立供電、回路供電和輸出回路供電三種。以下是這三種供電方式的詳細(xì)區(qū)別: 一、獨(dú)立供電 1. 定義:獨(dú)立供電是指信號(hào)隔離器需要單獨(dú)配備DC24V或
發(fā)表于 04-17 16:23
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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是雙極型三極管放大電路的三種基本組態(tài)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載包括了:共集電極放大電路,共基極放大電路,三種基本組態(tài)的比較
輸入信號(hào)ui 和輸出信號(hào)uo 的公共端是集電極。
發(fā)表于 04-11 16:39
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在Redis中提供的集群方案總共有三種(一般一個(gè)redis節(jié)點(diǎn)不超過10G內(nèi)存)。
發(fā)表于 03-31 10:46
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在我用photodiode工具選型I/V放大電路的時(shí)候,系統(tǒng)給我推薦了AD8655用于I/V,此芯片為CMOS工藝
但是查閱資料很多都是用FET工藝的芯片,所以請(qǐng)教下用于光電信號(hào)放大轉(zhuǎn)換(主要考慮信噪比和帶寬)一般我們用哪種工藝的芯片,
CMOS,Bipolar,F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
發(fā)表于 03-25 06:23
高效能圖騰柱無橋PFC閉環(huán)控制方案——為EE工程師量身打造的革新設(shè)計(jì) *附件:圖騰柱無橋PFC(功率因數(shù)校正)電路的三種閉環(huán)控制方法.pdf 在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等高功率密度場景中, 圖騰柱無橋PFC
發(fā)表于 03-24 20:53
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如果想要說明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
發(fā)表于 03-14 18:05
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評(píng)論