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芯片流片的基礎(chǔ)知識(shí)

芯長(zhǎng)征科技 ? 來(lái)源:芯長(zhǎng)征科技 ? 2024-12-24 09:39 ? 次閱讀
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在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時(shí)代,半導(dǎo)體芯片的創(chuàng)新已成為推動(dòng)各行各業(yè),尤其是汽車行業(yè)進(jìn)步的關(guān)鍵力量。隨著智能駕駛技術(shù)的興起,對(duì)高性能芯片的需求正迅速增長(zhǎng)。

7月27日,蔚來(lái)汽車公司在NIO IN創(chuàng)新科技日上宣布了一項(xiàng)重大突破:他們成功流片了全球首顆5納米工藝的車規(guī)級(jí)智能駕駛芯片——“神璣NX9031”。這一成就不僅標(biāo)志著蔚來(lái)在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的突破,也預(yù)示著即將到來(lái)的測(cè)試和驗(yàn)證階段。一旦性能和質(zhì)量達(dá)到設(shè)計(jì)要求,這款芯片將進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn),并最終實(shí)現(xiàn)商用,為蔚來(lái)汽車的智能駕駛技術(shù)提供強(qiáng)大動(dòng)力。

“神璣NX9031”芯片的成功流片,不僅展現(xiàn)了蔚來(lái)在自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新方面的強(qiáng)大實(shí)力,而且推動(dòng)了汽車芯片國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程,為全球汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)了中國(guó)智慧和中國(guó)力量。預(yù)計(jì)在2025年第一季度,這款芯片將首次搭載在蔚來(lái)的旗艦轎車ET9上,為智能駕駛技術(shù)的發(fā)展開啟新的篇章。

芯片流片(Tape Out)技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的核心環(huán)節(jié),將設(shè)計(jì)圖案精確轉(zhuǎn)移至硅片上,是設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的關(guān)鍵橋梁。本文全面探討了芯片流片技術(shù),從設(shè)計(jì)、流片準(zhǔn)備到技術(shù)實(shí)施、設(shè)備與材料應(yīng)用,分析了流片過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)與挑戰(zhàn)。研究發(fā)現(xiàn),芯片流片的成功直接影響芯片設(shè)計(jì)的可制造性和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本控制是主要挑戰(zhàn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),建議采用高效設(shè)計(jì)工具、優(yōu)化工藝參數(shù)和材料選擇等策略。

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階段 詳細(xì)解釋
Technology Process
(技術(shù)工藝)
選擇和定義芯片制造所需的工藝技術(shù)。工藝技術(shù)包括晶體管的尺寸、材料的選擇以及制造流程的詳細(xì)規(guī)范。不同的工藝技術(shù)適用于不同類型的芯片,如高性能處理器、低功耗設(shè)備等。
PDK
(Process Design Kit,工藝設(shè)計(jì)套件)
為芯片設(shè)計(jì)人員提供的一組工具和文件,包含工藝技術(shù)的詳細(xì)信息、設(shè)計(jì)規(guī)則和驗(yàn)證方法。設(shè)計(jì)人員使用PDK來(lái)確保他們的設(shè)計(jì)符合制造工藝的要求,保證芯片能夠正確制造。
IP Portfolio
(知識(shí)產(chǎn)權(quán)庫(kù))
包括預(yù)先設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的功能模塊(如處理器核心、存儲(chǔ)器模塊、接口電路等)。設(shè)計(jì)人員可以使用這些模塊來(lái)加速芯片設(shè)計(jì)過(guò)程,并減少設(shè)計(jì)中的風(fēng)險(xiǎn)和錯(cuò)誤。
Chip Design
(芯片設(shè)計(jì))
根據(jù)需求和PDK中的規(guī)范進(jìn)行芯片的詳細(xì)設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)包括邏輯設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)和電路布局等。設(shè)計(jì)完成后,需要進(jìn)行仿真和驗(yàn)證,以確保芯片功能和性能符合要求。
Tape Out
(流片)
將最終設(shè)計(jì)的芯片版圖數(shù)據(jù)提交給制造廠商進(jìn)行生產(chǎn)。這是芯片制造流程中的重要里程碑,意味著設(shè)計(jì)階段的結(jié)束和制造階段的開始。
Fab-Out Assembly
晶圓制造和封裝)
包括晶圓制造和芯片封裝。晶圓制造過(guò)程涉及一系列復(fù)雜的工藝步驟,如光刻、刻蝕、離子注入等。制造完成后,晶圓被切割成單個(gè)芯片,然后進(jìn)行封裝,以保護(hù)芯片并提供電氣連接。
Testing Debug
(測(cè)試和調(diào)試)
制造和封裝完成后,芯片進(jìn)入測(cè)試和調(diào)試階段。測(cè)試包括功能測(cè)試、性能測(cè)試和可靠性測(cè)試,確保芯片在各種條件下都能正常工作。如果發(fā)現(xiàn)問(wèn)題,需要進(jìn)行調(diào)試和修復(fù)。

此外,文章展望了芯片流片技術(shù)的市場(chǎng)應(yīng)用與未來(lái)趨勢(shì),指出其在消費(fèi)電子、通信、汽車和醫(yī)療等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用前景,以及技術(shù)進(jìn)步帶來(lái)的高精度、低成本流片需求的持續(xù)增長(zhǎng)。

#01

引 言

1.1 芯片流片的定義

芯片流片是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),指將設(shè)計(jì)好的芯片圖案從計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為實(shí)際硅片上的物理結(jié)構(gòu)的過(guò)程。這個(gè)過(guò)程包含光刻、刻蝕、離子注入、金屬沉積等精密工藝,確保在硅片上精確構(gòu)建設(shè)計(jì)的集成電路。

芯片流片不僅是連接設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的橋梁,還需要嚴(yán)格的質(zhì)量控制,以保證最終產(chǎn)品的性能和可靠性。任何工藝失誤可能導(dǎo)致芯片失效,因此對(duì)工藝精度和操作環(huán)境的要求極高。有時(shí)需要通過(guò)聚焦離子束(FIB)編輯技術(shù)對(duì)芯片進(jìn)行物理修改,以糾正設(shè)計(jì)錯(cuò)誤或滿足客戶需求,從而減少研發(fā)成本和時(shí)間。

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*聚焦離子束(Focused Ion Beam, FIB)技術(shù)是一種利用高能離子束進(jìn)行微觀加工和分析的技術(shù)。

項(xiàng)目 詳細(xì)解釋
技術(shù)原理 聚焦離子束技術(shù)使用高能離子束(通常是Ga+離子)聚焦在樣品表面,通過(guò)離子的物理撞擊和濺射作用,對(duì)樣品進(jìn)行納米級(jí)的加工和分析。
主要組成部分 1. 離子源:產(chǎn)生高能離子束,常用的是液態(tài)金屬離子源(LMIS)。
2. 聚焦系統(tǒng):使用電場(chǎng)和磁場(chǎng)將離子束聚焦到樣品表面。
3. 樣品臺(tái):用于固定和移動(dòng)樣品,實(shí)現(xiàn)對(duì)特定區(qū)域的加工和分析。
應(yīng)用領(lǐng)域 1. 半導(dǎo)體制造:用于電路修復(fù)、故障分析和截面制作。
2. 材料科學(xué):用于納米級(jí)加工、材料表面改性和截面分析。
3. 生命科學(xué):用于生物樣品的精細(xì)加工和分析。
主要功能 1. 納米加工:通過(guò)精確控制離子束,可以在樣品表面進(jìn)行納米級(jí)的雕刻和切割。
2. 截面制備:用于制作樣品的精細(xì)截面,方便后續(xù)的顯微分析。
3. 元素分析:結(jié)合能量色散X射線光譜(EDX),可進(jìn)行元素成分分析。
優(yōu)勢(shì) 1. 高精度:能夠進(jìn)行納米級(jí)的加工和分析。
2. 多功能:集成了加工、分析和成像功能。
3. 非接觸:離子束與樣品無(wú)直接接觸,避免了機(jī)械損傷。
局限性 1. 損傷效應(yīng):高能離子束可能會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生損傷和污染。
2. 材料選擇:某些材料對(duì)離子束的響應(yīng)不佳,可能影響加工效果。
3. 成本高:設(shè)備和操作成本較高。
最新進(jìn)展 近年來(lái),聚焦離子束技術(shù)在高分辨率加工和無(wú)損分析方面取得了顯著進(jìn)展。新的離子源材料和聚焦系統(tǒng)的改進(jìn),使得FIB的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,特別是在納米科技和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,芯片流片工藝不斷創(chuàng)新。例如,微型立銑刀技術(shù)簡(jiǎn)化了微通道芯片的制造流程,降低了生產(chǎn)成本。芯片流片的成功依賴多方面的技術(shù)合作,如中芯國(guó)際與燦芯半導(dǎo)體合作實(shí)現(xiàn)了40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9雙核測(cè)試芯片流片,展示了設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試環(huán)節(jié)的緊密協(xié)作。

全球范圍內(nèi),芯片流片技術(shù)的應(yīng)用案例層出不窮,如中國(guó)成功流片的首個(gè)自主研發(fā)5G微基站射頻芯片,體現(xiàn)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造技術(shù)的突破,并支持了5G通信技術(shù)的發(fā)展。

芯片流片技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的重要性不可忽視。它不僅是實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié),也是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心動(dòng)力。隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng),芯片流片技術(shù)將繼續(xù)發(fā)揮其不可或缺的作用。

1.2 芯片流片的重要性

芯片流片在半導(dǎo)體制造中占據(jù)著重要地位,不僅是將芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié),也是連接設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的橋梁。以下是其重要性的幾個(gè)方面:

實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)落地:流片過(guò)程是將設(shè)計(jì)好的芯片圖案通過(guò)一系列精密制造步驟轉(zhuǎn)移到硅片上,形成具有特定功能的集成電路。流片的成功意味著設(shè)計(jì)的芯片可以順利轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)上的實(shí)體產(chǎn)品,直接影響芯片產(chǎn)品的問(wèn)世和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

工藝優(yōu)化和成本控制:流片過(guò)程中的工藝優(yōu)化和成本控制對(duì)芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,芯片制造的復(fù)雜性和成本也在上升。通過(guò)工藝優(yōu)化可以降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率,從而使芯片產(chǎn)品更具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí),嚴(yán)格的成本控制確保了芯片產(chǎn)品的盈利能力。

推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步:流片技術(shù)的不斷進(jìn)步為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了有力支撐。隨著摩爾定律的推進(jìn),集成電路的集成度提高,對(duì)流片技術(shù)提出了更高的要求。采用更先進(jìn)的制程技術(shù)、引入新材料和工藝,這些技術(shù)進(jìn)步不僅提升了芯片產(chǎn)品的性能,還拓展了半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用領(lǐng)域和市場(chǎng)空間。

總之,芯片流片不僅是實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)向產(chǎn)品轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié),更是影響芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展的核心因素。提升流片技術(shù)水平和成功率,對(duì)促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的繁榮和創(chuàng)新具有重要意義。

#02

芯片設(shè)計(jì)與流片準(zhǔn)備

2.1 芯片設(shè)計(jì)流程

芯片設(shè)計(jì)流程是一個(gè)復(fù)雜且精細(xì)的過(guò)程,涵蓋從功能定義到物理版圖生成的多個(gè)環(huán)節(jié),通常分為前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)兩大階段。

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a.RTL設(shè)計(jì),即寄存器傳輸級(jí)(Register Transfer Level)設(shè)計(jì),是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵階段。在這個(gè)階段,設(shè)計(jì)師使用硬件描述語(yǔ)言(HDL),如Verilog或VHDL,來(lái)描述數(shù)字電路的行為和結(jié)構(gòu)。

b.DFT(Design for Testability),即“可測(cè)試性設(shè)計(jì)”,是集成電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要概念,旨在提高芯片的測(cè)試效率和準(zhǔn)確性。

前端設(shè)計(jì)(Front End,也稱邏輯設(shè)計(jì))是芯片設(shè)計(jì)的起始點(diǎn),主要目標(biāo)是定義芯片的功能和架構(gòu)。在這一階段,設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行詳盡的需求分析,明確芯片需要實(shí)現(xiàn)的具體功能,并編寫RTL(寄存器傳輸級(jí))代碼。RTL代碼描述了芯片內(nèi)部的邏輯結(jié)構(gòu),包括數(shù)據(jù)通路和控制通路,以及各個(gè)組件之間的交互方式。為了確保設(shè)計(jì)的正確性,前端設(shè)計(jì)階段還會(huì)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,通過(guò)模擬芯片在實(shí)際工作環(huán)境中的行為來(lái)檢查是否滿足設(shè)計(jì)要求。

后端設(shè)計(jì)(Backend,也稱物理設(shè)計(jì))在前端設(shè)計(jì)完成后展開,主要任務(wù)是將邏輯描述轉(zhuǎn)換為實(shí)際的物理版圖。后端設(shè)計(jì)人員進(jìn)行布局規(guī)劃,確定各功能模塊在芯片上的位置,以優(yōu)化性能和減少功耗。接著進(jìn)入布線階段,確保信號(hào)能夠準(zhǔn)確無(wú)誤地在各模塊之間傳遞。時(shí)序分析和信號(hào)完整性分析也是關(guān)鍵環(huán)節(jié),確保芯片在各種工作條件下保持穩(wěn)定性能。經(jīng)過(guò)這些步驟,后端設(shè)計(jì)最終生成完整的物理版圖,為芯片制造奠定基礎(chǔ)。

前后端設(shè)計(jì)的緊密協(xié)作是確保芯片設(shè)計(jì)準(zhǔn)確性和可靠性的關(guān)鍵。前端設(shè)計(jì)人員提供清晰、準(zhǔn)確的邏輯描述,而后端設(shè)計(jì)人員將其轉(zhuǎn)換為高效的物理實(shí)現(xiàn)。整個(gè)設(shè)計(jì)流程中不斷的迭代和優(yōu)化是必不可少的,以確保最終芯片產(chǎn)品滿足市場(chǎng)需求和性能指標(biāo)。

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總結(jié)而言,芯片設(shè)計(jì)流程通過(guò)前后端設(shè)計(jì)的緊密合作和不斷優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)從功能定義到物理版圖生成的轉(zhuǎn)化,確保最終芯片產(chǎn)品的性能和可靠性。

2.2 流片前準(zhǔn)備

在芯片設(shè)計(jì)完成后,即進(jìn)入緊張的流片前準(zhǔn)備階段。這一階段的工作至關(guān)重要,因?yàn)樗苯雨P(guān)系到芯片流片的成功與否。

設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC):這是首要環(huán)節(jié),目的是驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否滿足制造工藝的要求。例如,在布局布線過(guò)程中,必須確保所有設(shè)計(jì)元素符合制造廠規(guī)定的尺寸和間距規(guī)則,以避免潛在的制造問(wèn)題。

版圖驗(yàn)證(LVS):這一步驟通過(guò)對(duì)比設(shè)計(jì)版圖和原理圖來(lái)確保兩者一致,防止設(shè)計(jì)上的失誤或偏差。

寄生參數(shù)提?。河捎趯?dǎo)線電阻、電容等寄生參數(shù)的存在,芯片的實(shí)際性能可能會(huì)與設(shè)計(jì)預(yù)期產(chǎn)生偏差。因此,這一階段需要精確提取這些寄生參數(shù),并在設(shè)計(jì)中進(jìn)行相應(yīng)的補(bǔ)償,以確保流片后的芯片性能符合預(yù)期。

與流片廠商的溝通:確定具體的工藝參數(shù),如摻雜濃度、氧化層厚度等,這些都是影響芯片性能的關(guān)鍵因素。材料選擇也至關(guān)重要,不同材料的物理和化學(xué)特性直接影響芯片的性能和可靠性。

測(cè)試方案制定:決定如何對(duì)流片后的芯片進(jìn)行全面的性能和可靠性測(cè)試,以確保芯片滿足設(shè)計(jì)要求。

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類別 子類別 描述
前端設(shè)計(jì)
(Front-End Design)
HDL編碼/原理圖設(shè)計(jì) Verilog/HDL RTL Coding(Digital):使用硬件描述語(yǔ)言編寫寄存器傳輸級(jí)代碼。
Schematic input(Analog):使用原理圖輸入工具繪制電路圖。
前仿真驗(yàn)證 使用仿真工具驗(yàn)證RTL代碼或原理圖功能,確保設(shè)計(jì)滿足規(guī)格要求。
邏輯綜合/靜態(tài)時(shí)序分析/形式驗(yàn)證 邏輯綜合:HDL代碼轉(zhuǎn)門級(jí)網(wǎng)表。
靜態(tài)時(shí)序分析:分析電路時(shí)序特性。
形式驗(yàn)證:數(shù)學(xué)方法證明設(shè)計(jì)滿足規(guī)范。
后端物理設(shè)計(jì)
(Back-End Design)
物理布局布線 使用工具將門級(jí)網(wǎng)表轉(zhuǎn)物理布局并完成布線。
物理版圖驗(yàn)證 檢查物理版圖是否符合設(shè)計(jì)規(guī)則和版圖與原理圖一致性。
寄生參數(shù)提取 從物理版圖中提取寄生參數(shù),影響電路性能。
后仿真 考慮寄生參數(shù),仿真設(shè)計(jì)性能。
生產(chǎn)測(cè)試
(Manufacturing and Test)
流片(tapeout) 設(shè)計(jì)版圖送晶圓代工廠生產(chǎn)。
生產(chǎn)(Production) 完成圓片生產(chǎn)后的切割、測(cè)試和分類。
芯片封裝與測(cè)試
(Packaging and Testing)
芯片封裝并進(jìn)行功能和性能測(cè)試,確保質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。

流片前的準(zhǔn)備工作涉及多個(gè)方面,需要設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)與制造廠商的緊密合作,確保每個(gè)環(huán)節(jié)都得到充分的驗(yàn)證和優(yōu)化。雖然這階段工作繁瑣且耗時(shí),但它是確保芯片流片成功的關(guān)鍵所在。任何疏忽都可能導(dǎo)致流片失敗,進(jìn)而造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失和時(shí)間浪費(fèi)。因此,設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)必須高度重視這一階段的工作,確保每一項(xiàng)準(zhǔn)備都細(xì)致入微,為后續(xù)的流片過(guò)程奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

#03

芯片流片技術(shù)詳解

3.1 設(shè)計(jì)檢查與版圖驗(yàn)證

在進(jìn)行芯片流片之前,設(shè)計(jì)檢查與版圖驗(yàn)證是不可或缺的環(huán)節(jié),這兩個(gè)步驟對(duì)于確保流片的成功至關(guān)重要。

設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC):這一過(guò)程的主要目的是對(duì)芯片版圖進(jìn)行細(xì)致審查,確認(rèn)其是否嚴(yán)格遵循制造工藝規(guī)則。這涵蓋了線寬、間距、層疊等關(guān)鍵參數(shù)的檢查。通過(guò)高精度的軟件工具,版圖可以自動(dòng)掃描,識(shí)別任何可能違反制造工藝規(guī)則的設(shè)計(jì)元素。一旦發(fā)現(xiàn)違規(guī)行為,設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)會(huì)立即收到反饋并進(jìn)行調(diào)整。預(yù)防性檢查機(jī)制顯著提高了芯片制造的良率,降低了因設(shè)計(jì)錯(cuò)誤導(dǎo)致的生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

版圖驗(yàn)證(LVS):這一步驟確保芯片版圖與原始電路設(shè)計(jì)之間高度一致。驗(yàn)證工具對(duì)照電路圖和版圖,逐一比對(duì)每個(gè)元件和連接關(guān)系,確保版圖精確反映電路設(shè)計(jì)的意圖,保證功能實(shí)現(xiàn)和性能表現(xiàn)達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。

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設(shè)計(jì)檢查與版圖驗(yàn)證并非一次性任務(wù)。在設(shè)計(jì)和流片過(guò)程中,這兩個(gè)步驟可能多次迭代進(jìn)行,以確保設(shè)計(jì)的不斷完善和優(yōu)化,每次修改都能通過(guò)嚴(yán)格的驗(yàn)證流程。迭代式驗(yàn)證方法提高了設(shè)計(jì)的可靠性,為后續(xù)的芯片測(cè)試和量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步,設(shè)計(jì)檢查與版圖驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)也在增加。芯片集成度提高,版圖中元件數(shù)量和復(fù)雜度增加,要求驗(yàn)證工具具備更高處理能力和精度。同時(shí),新材料的引入和工藝的創(chuàng)新對(duì)驗(yàn)證流程提出新的要求。業(yè)界不斷投入研發(fā)力量,以開發(fā)更高效和精準(zhǔn)的驗(yàn)證工具和方法。

設(shè)計(jì)檢查與版圖驗(yàn)證在芯片流片過(guò)程中占據(jù)舉足輕重的地位。它們不僅是確保芯片設(shè)計(jì)正確性和可制造性的關(guān)鍵步驟,也是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新的重要基石。通過(guò)不斷優(yōu)化和完善這兩個(gè)驗(yàn)證環(huán)節(jié),可以為市場(chǎng)提供高性能、高可靠性的芯片產(chǎn)品,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)進(jìn)步和發(fā)展。

3.2 版圖布線與光罩(掩模版)制作

版圖布線作為芯片設(shè)計(jì)的核心環(huán)節(jié),其復(fù)雜性不言而喻。在這一過(guò)程中,設(shè)計(jì)者需要精心規(guī)劃每一條線路,確保其既能滿足功能需求,又能達(dá)到最佳的性能指標(biāo)。

信號(hào)完整性:布線過(guò)程中必須考慮的重要因素之一,關(guān)系到芯片在實(shí)際運(yùn)行中能否穩(wěn)定、準(zhǔn)確地傳輸信號(hào)。

時(shí)序問(wèn)題:合理的時(shí)序設(shè)計(jì)能夠確保芯片在高速運(yùn)行時(shí)不會(huì)出現(xiàn)時(shí)序混亂或信號(hào)延遲等問(wèn)題。

功耗控制:現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中越來(lái)越受關(guān)注的方面,有效的功耗管理不僅可以提高芯片的能效比,還能延長(zhǎng)其使用壽命。

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圖名 內(nèi)容 備注
布圖規(guī)劃完成效果圖 最外一圈為I0PAD,是芯片與外界連接的接口。
圖中灰色和綠色的大模塊是主要IP。

圖中紅色和藍(lán)色的線是power stripe,用于連接整個(gè)芯片各個(gè)位置元件和模塊的電源信號(hào)和地信號(hào),一般比較寬。
布圖規(guī)劃是整個(gè)后端流程中作重要的一步,但也是彈性最大的一步。因?yàn)闆](méi)有標(biāo)準(zhǔn)的最佳方案,但又有很多細(xì)節(jié)需要考量。

布局布線的目標(biāo):優(yōu)化芯片的面積,時(shí)序收斂,穩(wěn)定,方便走線。
布局完成效果圖 圖中灰色和綠色部分為主要IP。

其余藍(lán)色部分為standard cell(標(biāo)準(zhǔn)單元),通過(guò)軟件自動(dòng)布局填充出來(lái)的效果。
其中軟件會(huì)自動(dòng)留有合適的空間用于下一步的布線。
布局即擺放標(biāo)準(zhǔn)單元,I/O pad,宏單元來(lái)實(shí)現(xiàn)個(gè)電路邏輯。

布局目標(biāo):利用率越高越好,總線長(zhǎng)越短越好,時(shí)序越快越好。

但利用率越高,布線就越困難;總線長(zhǎng)越長(zhǎng),時(shí)序就越慢。因此要做到以上三個(gè)參數(shù)的最佳平衡。
布線完成效果圖 紅色和黃色的金屬線由軟件自動(dòng)布在standard cell上。 布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束條件下,根據(jù)電路的連接關(guān)系,將各單元和I/O pad用互連線連接起來(lái)。
GDSII效果版圖 與之前相比主要是為了完成時(shí)序要求和DRC、LVS要求,重新進(jìn)行了部分區(qū)域的布局布線。"
"加入了filler,即填充物以滿足設(shè)計(jì)規(guī)則中關(guān)于金屬層密度的要求。"
Clock Tree Synthesis,時(shí)鐘樹綜合,簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)就是時(shí)鐘的布線。

由于時(shí)鐘信號(hào)在數(shù)字芯片的全局指揮作用,它的分布應(yīng)該是對(duì)稱式的連到各個(gè)寄存器單元,從而使時(shí)鐘從同一個(gè)時(shí)鐘源到達(dá)各個(gè)寄存器時(shí),時(shí)鐘延遲差異最小。這也是為什么時(shí)鐘信號(hào)需要單獨(dú)布線的原因。

LVS(Layout Vs Schematic)驗(yàn)證:簡(jiǎn)單說(shuō),就是版圖與邏輯綜合后的門級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證;

DRC(Design Rule Checking):設(shè)計(jì)規(guī)則檢查,檢查連線間距,連線寬度等是否滿足工藝要求;

ERC(Electrical Rule Checking):電氣規(guī)則檢查,檢查短路和開路等電氣規(guī)則違例;
實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析,以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM可制造性設(shè)計(jì))問(wèn)題等。

物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠(稱為Foundry)在晶圓硅片上做出實(shí)際的電路。

*來(lái)源:干貨 | 一顆芯片的從無(wú)到有-電子工程專輯 (eet-china.com)

在完成版圖布線后,接下來(lái)的光罩制作環(huán)節(jié)同樣至關(guān)重要。

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名詞 作用
客戶需求(Customer Requirements) 定義芯片的功能、性能、接口、電源需求等詳細(xì)規(guī)格,為后續(xù)的設(shè)計(jì)工作提供指導(dǎo)。
可測(cè)性設(shè)計(jì)(Design for Testability, DFT) 在設(shè)計(jì)階段就考慮電路的可測(cè)試性,以便在制造后能夠有效地檢測(cè)和診斷缺陷。
低功耗設(shè)計(jì)(Design for Low Power, DLP) 在設(shè)計(jì)階段采用特定的技術(shù)來(lái)降低芯片的功耗,以滿足節(jié)能或電池壽命的要求。
動(dòng)態(tài)測(cè)試矢量生成(Dynamic Test Vector Generation) 在芯片制造后,生成用于測(cè)試芯片的動(dòng)態(tài)測(cè)試矢量,這些矢量會(huì)在芯片的實(shí)際測(cè)試階段使用。
規(guī)格制定(Specification) 定義芯片的功能、性能、接口、電源需求等詳細(xì)規(guī)格,為后續(xù)的設(shè)計(jì)工作提供指導(dǎo)。
單元庫(kù)和IP內(nèi)核(Cell Library & IP Cores) 提供了設(shè)計(jì)芯片所需的基本構(gòu)建塊和預(yù)先設(shè)計(jì)好的、可重用的設(shè)計(jì)組件。
邏輯設(shè)計(jì)(Logic Design) 使用硬件描述語(yǔ)言(HDL)編寫代碼,實(shí)現(xiàn)芯片的功能邏輯。
布局規(guī)劃(Floorplanning) 確定芯片上各個(gè)模塊的位置和大小,以及它們之間的連接方式,為布局布線打下基礎(chǔ)。
綜合(Synthesis) 將HDL代碼轉(zhuǎn)換成門級(jí)網(wǎng)表,這是將抽象的硬件描述轉(zhuǎn)換成具體電路表示的過(guò)程。門級(jí)網(wǎng)表(Gate-Level Netlist)詳細(xì)描述電路中的邏輯門及其連接方式,為物理設(shè)計(jì)和時(shí)序分析提供輸入。
電路模擬(Circuit Simulation) 使用仿真工具對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行模擬,以驗(yàn)證電路的功能和性能是否符合預(yù)期。
物理布局布線(Layout & Routing) 將門級(jí)網(wǎng)表轉(zhuǎn)換成實(shí)際的物理布局,并完成布線,確保信號(hào)在芯片上的正確連接。
版圖生成與驗(yàn)證(Mask Generation & Verification) 生成用于制造芯片的光罩(掩模)圖案,并進(jìn)行驗(yàn)證,確保版圖與設(shè)計(jì)規(guī)格一致。
光罩制作(Mask Making) 根據(jù)驗(yàn)證后的版圖制作光罩,這些光罩將在后續(xù)的芯片制造過(guò)程中用于圖案轉(zhuǎn)移。

光罩(掩模版),作為將設(shè)計(jì)圖案從虛擬世界轉(zhuǎn)移到現(xiàn)實(shí)硅片的橋梁,其制作精度直接關(guān)系到芯片的最終質(zhì)量。

下游應(yīng)用市場(chǎng) 產(chǎn)品類型 產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域 下游應(yīng)用代表廠商 市場(chǎng)占比
半導(dǎo)體掩模版 邏輯電路制造、模擬電路制造、功率器件制造、MEMS傳感器制造、IC封裝等 半導(dǎo)體制造行業(yè) 臺(tái)積電、英特爾、中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、中芯集成、士蘭微、積塔半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、立昂微、燕東微、高德紅外、長(zhǎng)電科技等 60%
平板顯示掩模版 LCD顯示屏制造、OLED顯示屏制造等 顯示技術(shù)行業(yè) 京東方、天馬微電子、華星光電、中電熊貓、惠科等 28%
電路板(PCB、FPC)制造、觸控屏(TP)制造、光學(xué)器件制造等 電路板制造、觸控屏制造、光學(xué)器件制造等 電子制造行業(yè) 藍(lán)思科技、紫翔電子等 12%

注:掩模版下游應(yīng)用市場(chǎng)占比數(shù)據(jù)來(lái)源于SEMI、Omdia。其中,半導(dǎo)體掩模板數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)的為獨(dú)立第三方半導(dǎo)體掩模版市場(chǎng)規(guī)模,不包括晶圓廠自行配套的掩模版市場(chǎng)規(guī)模。

*來(lái)源:什么是掩模版?掩模版(光罩MASK)—半導(dǎo)體芯片的母板設(shè)計(jì)-電子發(fā)燒友網(wǎng) (elecfans.com)

光刻技術(shù)在這一環(huán)節(jié)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,它利用光的衍射和干涉原理,將版圖上的精細(xì)圖案精確地投影到硅片上。隨后,通過(guò)蝕刻等工藝步驟,將這些圖案轉(zhuǎn)化為實(shí)際的物理結(jié)構(gòu),從而完成芯片的制作。

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,版圖布線和光罩制作所面臨的挑戰(zhàn)也在日益加劇。

布線密度和復(fù)雜度增加:隨著芯片集成度的不斷提高,給設(shè)計(jì)者帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。

光罩制作的精度和效率要求提高:隨著市場(chǎng)對(duì)芯片性能要求的不斷提升,光罩制作面臨著更高的要求。

因此,不斷探索和創(chuàng)新成為了推動(dòng)這兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵動(dòng)力。

總的來(lái)說(shuō),版圖布線和光罩制作是芯片流片過(guò)程中不可或缺的環(huán)節(jié),它們的技術(shù)水平和實(shí)施效果直接關(guān)系到芯片的最終性能和質(zhì)量。因此,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,對(duì)這兩個(gè)環(huán)節(jié)的研究和優(yōu)化一直是一個(gè)熱點(diǎn)和難點(diǎn)問(wèn)題。未來(lái),隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和應(yīng)用,我們有理由相信,這兩個(gè)環(huán)節(jié)將會(huì)迎來(lái)更多的突破和創(chuàng)新,為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新的活力。

#04

設(shè)備與材料

4.1 關(guān)鍵設(shè)備

在芯片流片過(guò)程中,關(guān)鍵設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。這些設(shè)備不僅保證了流片過(guò)程的順利進(jìn)行,還直接影響著芯片的質(zhì)量和性能。

光刻機(jī):作為流片過(guò)程中的核心設(shè)備,其精度和穩(wěn)定性對(duì)芯片圖形的轉(zhuǎn)移質(zhì)量有著決定性的影響?,F(xiàn)代光刻機(jī)采用先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)和精密的機(jī)械結(jié)構(gòu),能夠?qū)鎴D圖案以極高的分辨率投影到硅片上,從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)圖形的精確刻畫。光刻機(jī)還配備先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),確保每一次曝光都能準(zhǔn)確無(wú)誤地與硅片上的已有圖形對(duì)齊,保證芯片結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)確性和一致性。

蝕刻設(shè)備:在流片過(guò)程中,蝕刻設(shè)備通過(guò)化學(xué)或物理方法去除硅片表面的特定材料,形成所需的溝槽、孔洞或微細(xì)結(jié)構(gòu)。蝕刻設(shè)備的性能直接影響芯片的尺寸精度和表面粗糙度,進(jìn)而影響芯片的電學(xué)性能和可靠性。在選擇蝕刻設(shè)備時(shí),需要充分考慮其蝕刻速率、選擇性、均勻性以及對(duì)硅片表面的損傷程度等因素。

沉積設(shè)備:用于在硅片表面沉積各種薄膜材料的關(guān)鍵設(shè)備。這些薄膜材料包括金屬、氧化物、氮化物等,它們?cè)跇?gòu)建芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和實(shí)現(xiàn)特定功能方面發(fā)揮著重要作用。沉積設(shè)備的性能直接影響薄膜材料的成分、結(jié)構(gòu)、厚度以及均勻性,從而影響芯片的性能和穩(wěn)定性。在選擇沉積設(shè)備時(shí),需要考慮其沉積速率、成分控制、厚度均勻性以及工藝穩(wěn)定性等因素。

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除了上述關(guān)鍵設(shè)備外,芯片流片過(guò)程中還涉及到許多其他輔助設(shè)備和工藝步驟,如清洗設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備等。這些設(shè)備和工藝步驟共同構(gòu)成了一個(gè)完整的流片生產(chǎn)線,確保了芯片從設(shè)計(jì)到實(shí)際產(chǎn)品的順利轉(zhuǎn)化。

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總的來(lái)說(shuō),關(guān)鍵設(shè)備在芯片流片過(guò)程中發(fā)揮著舉足輕重的作用。它們的性能和穩(wěn)定性不僅影響著流片過(guò)程的順利進(jìn)行,還直接決定著芯片的質(zhì)量和性能。因此,在半導(dǎo)體制造行業(yè)中,對(duì)關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)和優(yōu)化一直是一個(gè)重要的研究方向。通過(guò)不斷提升設(shè)備的性能和穩(wěn)定性,可以進(jìn)一步提高芯片流片的成功率和產(chǎn)品良率,從而推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。

4.2 材料使用

在芯片流片過(guò)程中,材料的選擇和使用是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。不同的材料具有不同的物理和化學(xué)性質(zhì),這些性質(zhì)直接影響著芯片的性能和可靠性。因此,對(duì)材料的精心挑選和嚴(yán)謹(jǐn)使用是確保芯片流片成功的關(guān)鍵。

光刻膠:作為芯片制造中的核心材料之一,其性能直接關(guān)系到圖形轉(zhuǎn)移的精度和分辨率。優(yōu)質(zhì)的光刻膠應(yīng)具有良好的光敏性、粘附性和耐腐蝕性,以確保在光刻過(guò)程中能夠精確地形成所需的圖形掩膜。同時(shí),光刻膠的去除也需要精確控制,以避免對(duì)硅片表面造成損傷或殘留。

蝕刻氣體:在芯片流片中發(fā)揮著去除多余材料、形成精細(xì)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵作用。不同的蝕刻氣體對(duì)不同的材料具有選擇性,因此需要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的蝕刻氣體。此外,蝕刻過(guò)程中的溫度、壓力和時(shí)間等參數(shù)也需要精確控制,以確保蝕刻的均勻性和準(zhǔn)確性。

薄膜材料:在芯片內(nèi)部電路和互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建中扮演著重要角色。金屬、氧化物等薄膜材料的沉積需要精確控制厚度、均勻性和純度等參數(shù),以確保芯片內(nèi)部的電路連接和信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。同時(shí),薄膜材料的性質(zhì)和穩(wěn)定性也直接影響著芯片的可靠性和壽命。

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半導(dǎo)
體材料
細(xì)分材料 主要用途 主要應(yīng)用環(huán)節(jié) 發(fā)展趨勢(shì)
制造材料 硅片 全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基底 貫穿制造環(huán)節(jié) 硅片各技術(shù)的發(fā)展方
光刻膠及配套試劑 用于顯影,刻蝕等工藝,將微細(xì)圖形從掩模板轉(zhuǎn)移到待加工基襯底 顯影、刻蝕 光刻分辨率提高,KrF、ArF、EUV占據(jù)主流。
電子氣體 薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散等 薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散 電路線寬不斷縮短,對(duì)電子氣體的純度要求不斷提高。
濺射靶材 半導(dǎo)體濺射薄膜沉積 薄膜沉積 銅、鉭靶材由于12寸晶圓比重上升,逐步替代鋁、鈦靶材。
高純?cè)噭?/td> 芯片的清洗、刻蝕 清洗、刻蝕 等級(jí)要求從G3、G4上升到G4、G5。
CMP IC硅片拋光 化學(xué)機(jī)械拋光 CMP拋光步驟隨芯片尺寸的減小而不斷增加。
光掩膜版 "底片"轉(zhuǎn)移用的高精密工具 光刻 掩模板精細(xì)化、大型化。
封裝材料 封裝基板 主要對(duì)芯片起到固定、支撐、散熱以及連接下層電路板的作用 貼片、重組晶圓、切筋/成型 先進(jìn)封裝占比將逐步超越傳統(tǒng)封裝,先進(jìn)封裝材料成為主流。
封裝基板已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)引線框架成為主流封裝。
封裝基板正朝著高密度化方向發(fā)展。
引線框架 承托芯片和外引管腳,連接芯片焊點(diǎn)和引線框架或基板 裝片、引線鍵合
鍵合絲 鏈接芯片焊點(diǎn)和引線框架或基板,以實(shí)現(xiàn)芯片和外電路的電氣連接 引線鍵合
塑封材料 對(duì)芯片和引線框架起到密封和保護(hù)的作用 塑封
芯片粘結(jié)材料 將芯片與承載體連接的材料,以起到固定芯片的作用 貼片、塑封

*資料來(lái)源:千際投行,資產(chǎn)信息網(wǎng),中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)

材料使用在芯片流片過(guò)程中具有舉足輕重的地位。光刻膠、蝕刻氣體和薄膜材料等關(guān)鍵材料的選擇和使用都需要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的篩選和測(cè)試,以確保芯片的性能和可靠性達(dá)到設(shè)計(jì)要求。同時(shí),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,新型材料的研發(fā)和應(yīng)用也將為芯片流片技術(shù)帶來(lái)更多的可能性和挑戰(zhàn)。

#05

流片的挑戰(zhàn)與解決方案

5.1 設(shè)計(jì)與成本挑戰(zhàn)

在芯片的設(shè)計(jì)與流片過(guò)程中,設(shè)計(jì)與成本的挑戰(zhàn)日益凸顯,成為制約行業(yè)發(fā)展的重要因素。

設(shè)計(jì)復(fù)雜性:隨著摩爾定律的延續(xù),芯片上的晶體管數(shù)量不斷增加,導(dǎo)致電路規(guī)模的擴(kuò)大。這不僅增加了版圖驗(yàn)證和布線優(yōu)化的工作量和技術(shù)難度,還要求性能的提升和功耗控制的更高標(biāo)準(zhǔn)?;ミB線的長(zhǎng)度和密度的上升,也使得設(shè)計(jì)和驗(yàn)證變得更加復(fù)雜。

工藝技術(shù)進(jìn)步:高精度要求推動(dòng)了從深亞微米到納米級(jí)工藝的技術(shù)跨越。這對(duì)設(shè)備精度和材料性能提出了更高要求,導(dǎo)致設(shè)備成本上升和材料研發(fā)、采購(gòu)的難度增加。同時(shí),高精度工藝需要更為嚴(yán)格的質(zhì)量控制,以確保每一個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)的穩(wěn)定性和可靠性,進(jìn)一步增加了流片的整體成本。

應(yīng)對(duì)策略:

設(shè)計(jì)環(huán)節(jié):通過(guò)引入更高效的設(shè)計(jì)工具和方法,如高級(jí)綜合、自動(dòng)布線等,提高設(shè)計(jì)效率并降低人為錯(cuò)誤。采用層次化設(shè)計(jì)、模塊化設(shè)計(jì)等思想,將復(fù)雜系統(tǒng)分解為更易于管理的子模塊,從而降低設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。

成本控制:優(yōu)化工藝參數(shù)和材料選擇是關(guān)鍵。深入研究工藝原理和材料性能,找到性價(jià)比更高的工藝方案和材料組合。提高設(shè)備利用率、降低廢品率等方式也是降低成本的有效途徑。加強(qiáng)與供應(yīng)鏈合作伙伴的溝通與協(xié)作,確保材料供應(yīng)的穩(wěn)定性和價(jià)格合理性。

設(shè)計(jì)與成本的挑戰(zhàn)是芯片流片過(guò)程中不可回避的問(wèn)題。通過(guò)不斷創(chuàng)新和優(yōu)化設(shè)計(jì)與流片流程中的各個(gè)環(huán)節(jié),可以有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)并推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

5.2 流片失敗的應(yīng)對(duì)措施

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,流片失敗可能帶來(lái)嚴(yán)重的后果,包括資金損失、時(shí)間延誤,甚至可能影響整個(gè)項(xiàng)目的成敗。因此,采取有效的應(yīng)對(duì)措施至關(guān)重要。

加強(qiáng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證和測(cè)試:在設(shè)計(jì)階段進(jìn)行詳盡和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)姆抡鏈y(cè)試,以及在實(shí)際流片前進(jìn)行嚴(yán)格的版圖驗(yàn)證和時(shí)序分析,可以盡可能在設(shè)計(jì)階段發(fā)現(xiàn)并修正潛在問(wèn)題,從而顯著提高流片的成功率。

與流片廠商的緊密溝通:流片過(guò)程中可能遇到各種工藝和設(shè)備問(wèn)題,建立與流片廠商的定期溝通機(jī)制,及時(shí)反饋和解決問(wèn)題,對(duì)于確保流片的順利進(jìn)行至關(guān)重要。

建立完善的失敗分析和改進(jìn)機(jī)制:即使做了充分的預(yù)防和準(zhǔn)備工作,流片失敗的可能性仍然存在。通過(guò)對(duì)失敗原因的深入剖析,可以找出問(wèn)題的根源,并據(jù)此優(yōu)化設(shè)計(jì)和流片流程,從而避免類似問(wèn)題的再次發(fā)生。

降低流片失敗的風(fēng)險(xiǎn)需要從多個(gè)方面入手,包括加強(qiáng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證和測(cè)試、與流片廠商的緊密溝通,以及建立完善的失敗分析和改進(jìn)機(jī)制。這些措施的實(shí)施,不僅可以提高流片的成功率,還可以為半導(dǎo)體制造行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新提供有力保障。

#06

市場(chǎng)應(yīng)用與趨勢(shì)

6.1 應(yīng)用領(lǐng)域

芯片技術(shù)的不斷進(jìn)步使得流片工藝在多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用,為智能設(shè)備的高性能、低功耗和小型化提供了有力支持。以下是幾個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域:

智能設(shè)備:智能手機(jī)、平板電腦、智能家居等設(shè)備中的處理器、存儲(chǔ)器和傳感器都依賴于先進(jìn)的芯片流片技術(shù)。這些技術(shù)確保了設(shè)備的高性能和低功耗,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更小的物理尺寸。

通信領(lǐng)域:隨著5G和6G等新一代通信技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)芯片的性能和可靠性提出了更高要求。流片技術(shù)的創(chuàng)新為通信基站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和移動(dòng)終端提供了高性能的芯片解決方案,推動(dòng)了通信行業(yè)的迅猛發(fā)展。

汽車領(lǐng)域:汽車行業(yè)正經(jīng)歷電動(dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化的變革。芯片作為汽車電子系統(tǒng)的核心部件,其重要性日益增加。流片技術(shù)的進(jìn)步使車載芯片具備更高的集成度、更強(qiáng)的處理能力和更佳的安全性能,助力汽車產(chǎn)業(yè)向智能化和綠色化方向發(fā)展。

醫(yī)療領(lǐng)域:芯片流片技術(shù)在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用廣泛,從控制系統(tǒng)到生物傳感器的微型化,再到遠(yuǎn)程醫(yī)療和可穿戴設(shè)備的普及,芯片技術(shù)提供了強(qiáng)大的支持。流片工藝的進(jìn)步為醫(yī)療行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展提供了技術(shù)保障。

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總的來(lái)說(shuō),芯片流片技術(shù)已經(jīng)滲透到現(xiàn)代社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,成為推動(dòng)科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵力量。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng),芯片流片技術(shù)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間和應(yīng)用前景。

6.2 市場(chǎng)現(xiàn)狀與趨勢(shì)

全球流片市場(chǎng)目前正處于快速發(fā)展和持續(xù)變革的階段。隨著科技的飛速進(jìn)步,尤其是5G、物聯(lián)網(wǎng)人工智能等新興技術(shù)的崛起,對(duì)高性能、低功耗芯片的需求不斷增加,推動(dòng)了流片市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展。

1. 市場(chǎng)現(xiàn)狀

主要需求地區(qū):北美、歐洲和亞洲。這些地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá),擁有眾多知名的芯片設(shè)計(jì)公司和先進(jìn)的制造工廠。

亞洲的崛起:隨著全球電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)遷移,尤其是中國(guó),正在逐漸成為全球流片服務(wù)的重要市場(chǎng)和供應(yīng)基地。

2. 未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

技術(shù)升級(jí):隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜性和集成度的提高,流片技術(shù)將朝著更高精度和更高效能方向發(fā)展。這要求流片服務(wù)商不斷升級(jí)其工藝和設(shè)備,以滿足日益嚴(yán)格的技術(shù)要求。

綠色流片:環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展理念的深入將推動(dòng)綠色流片技術(shù)的發(fā)展,包括采用更環(huán)保的材料和優(yōu)化工藝流程以減少能源消耗和廢棄物排放。

全球協(xié)作:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的深度融合和協(xié)同發(fā)展將成為流片市場(chǎng)的重要特征。跨國(guó)合作和資源共享將有助于降低生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)效率,并推動(dòng)全球流片市場(chǎng)的持續(xù)繁榮。

全球流片市場(chǎng)正面臨著前所未有的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。服務(wù)商需要不斷創(chuàng)新,緊跟技術(shù)潮流,并滿足客戶需求,才能在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。

6.3 服務(wù)提供商與機(jī)遇

在中國(guó),隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,芯片流片服務(wù)提供商的數(shù)量和技術(shù)水平都顯著提升。這些服務(wù)提供商包括傳統(tǒng)國(guó)有大型企業(yè)和眾多新興民營(yíng)科技企業(yè),共同推動(dòng)了國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)的協(xié)同發(fā)展。

1. 主要流片服務(wù)提供商

中芯國(guó)際:作為中國(guó)大陸最大的芯片代工廠商,中芯國(guó)際在技術(shù)實(shí)力和生產(chǎn)規(guī)模上位居國(guó)內(nèi)前列。

華虹半導(dǎo)體:專注于CMOS影像傳感器的研發(fā)與生產(chǎn),擁有多項(xiàng)核心專利技術(shù)。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ):主要研發(fā)和生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,致力于打破國(guó)外技術(shù)壟斷,提升國(guó)產(chǎn)芯片的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

2. 發(fā)展機(jī)遇

國(guó)家政策扶持:國(guó)家出臺(tái)了一系列鼓勵(lì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施,包括設(shè)立專項(xiàng)基金、建設(shè)產(chǎn)業(yè)園區(qū)、推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研合作等,為芯片流片行業(yè)提供了良好的發(fā)展環(huán)境和資金支持。

市場(chǎng)需求旺盛:隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)高性能、低功耗芯片的需求日益增加,為芯片流片行業(yè)帶來(lái)了廣闊的市場(chǎng)空間。

全球產(chǎn)業(yè)格局變化:隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重構(gòu)和轉(zhuǎn)移,越來(lái)越多的國(guó)際芯片設(shè)計(jì)公司將目光投向中國(guó)市場(chǎng),尋求與國(guó)內(nèi)流片服務(wù)提供商的合作。這為國(guó)內(nèi)企業(yè)提供了與國(guó)際先進(jìn)水平接軌的機(jī)會(huì),提升技術(shù)實(shí)力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

中國(guó)芯片流片行業(yè)在服務(wù)提供商的共同努力下,正迎來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。未來(lái),隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)大,國(guó)內(nèi)流片企業(yè)有望在國(guó)際半導(dǎo)體舞臺(tái)上扮演更加重要的角色。

6.4 挑戰(zhàn)與政策支持

中國(guó)芯片流片行業(yè)近年來(lái)取得了顯著發(fā)展,但仍面臨著一系列挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)主要來(lái)自技術(shù)、資金、人才和國(guó)際市場(chǎng)環(huán)境等多個(gè)方面。

1. 技術(shù)挑戰(zhàn)

盡管中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)能力在逐步提升,但與國(guó)際先進(jìn)水平相比仍存在一定差距,尤其是在高端芯片領(lǐng)域,如處理器和存儲(chǔ)器等關(guān)鍵技術(shù)上。流片技術(shù)的復(fù)雜性和高精度要求使得技術(shù)突破成為一項(xiàng)長(zhǎng)期而艱巨的任務(wù)。

2. 資金挑戰(zhàn)

芯片流片需要大量資金投入,包括研發(fā)經(jīng)費(fèi)、設(shè)備購(gòu)置和維護(hù)費(fèi)用等。然而,中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)整體上尚未形成穩(wěn)定的盈利模式,許多企業(yè)在資金籌措上面臨困難。

工藝類型 流片一次的花費(fèi)(網(wǎng)傳)
40nm工藝 80萬(wàn)美元
28nm工藝 200萬(wàn)美元
14nm工藝 500萬(wàn)美元
7nm工藝 1500萬(wàn)美元
5nm工藝 4725萬(wàn)美元

*來(lái)源:摩爾精英

3. 人才挑戰(zhàn)

中國(guó)雖然擁有龐大的勞動(dòng)力市場(chǎng),但具備專業(yè)芯片設(shè)計(jì)和流片技術(shù)的人才相對(duì)匱乏,這在一定程度上限制了芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度和質(zhì)量。

4. 政府支持措施

為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),中國(guó)政府采取了一系列政策措施支持芯片流片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,包括:

財(cái)政補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠:降低企業(yè)運(yùn)營(yíng)成本,提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

人才培養(yǎng)和引進(jìn):通過(guò)與高校和研究機(jī)構(gòu)合作,培養(yǎng)更多專業(yè)技能人才。

產(chǎn)學(xué)研用深度融合:鼓勵(lì)企業(yè)加強(qiáng)與國(guó)際先進(jìn)企業(yè)的合作和交流,引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn)。

這些措施旨在提升中國(guó)芯片流片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平和創(chuàng)新能力,推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。

5. 未來(lái)展望

中國(guó)芯片流片行業(yè)在政府政策支持和產(chǎn)業(yè)界共同努力下,有望實(shí)現(xiàn)更大突破和發(fā)展。通過(guò)加強(qiáng)自主研發(fā)、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、拓寬融資渠道、加強(qiáng)人才培養(yǎng)和引進(jìn)等措施,中國(guó)芯片流片產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間和市場(chǎng)機(jī)遇。

#06

結(jié) 論

本文全面探討了芯片流片技術(shù)及其在半導(dǎo)體制造中的重要性。通過(guò)詳細(xì)討論芯片設(shè)計(jì)與流片準(zhǔn)備、流片技術(shù)的具體細(xì)節(jié)、設(shè)備與材料的使用,以及流片過(guò)程中的挑戰(zhàn)與解決方案,揭示了流片技術(shù)的復(fù)雜性和關(guān)鍵性。同時(shí),市場(chǎng)應(yīng)用與趨勢(shì)的分析展示了芯片流片技術(shù)在全球范圍內(nèi)的廣泛應(yīng)用和持續(xù)發(fā)展。

在分析中國(guó)芯片流片的現(xiàn)狀與未來(lái)時(shí),本文介紹了主要流片服務(wù)提供商及行業(yè)面臨的機(jī)遇,討論了挑戰(zhàn)以及政府的政策支持。通過(guò)成功和失敗案例的對(duì)比分析,總結(jié)了流片過(guò)程中的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn),為未來(lái)項(xiàng)目提供了寶貴參考。

總體而言,芯片流片技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的核心技術(shù),其發(fā)展不僅影響芯片設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn),也直接關(guān)系到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)格局。隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求增長(zhǎng),芯片流片技術(shù)將在未來(lái)發(fā)揮更加重要的作用,推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展。

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    視覺(jué)工程師必須知道的工業(yè)相機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)

    工業(yè)相機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)概述。
    的頭像 發(fā)表于 09-19 17:04 ?1335次閱讀
    視覺(jué)工程師必須知道的工業(yè)相機(jī)<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    英偉達(dá)下一代Rubin芯片

    為進(jìn)入市場(chǎng)做準(zhǔn)備,Rubin架構(gòu)將會(huì)有6個(gè)芯片,這些芯片都已經(jīng)。這一消息在半導(dǎo)體和人工智能領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,預(yù)示著英偉達(dá)在芯片技術(shù)上的
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:15 ?1709次閱讀

    芯片的封合工藝有哪些

    原理及操作流程:以PDMS基片微芯片為例,先制備帶有微通道的PDMS基片,將其與蓋對(duì)準(zhǔn)貼合,然后把對(duì)準(zhǔn)貼合的二者置于160 - 200℃溫度下保溫一段時(shí)間。這種方法利用高溫使材料發(fā)生一定的物理變化來(lái)實(shí)現(xiàn)封裝。推薦設(shè)備:汶
    的頭像 發(fā)表于 06-13 16:42 ?811次閱讀

    芯片首次成功率僅14%?合科泰解析三大破局技術(shù)

    你知道嗎?把設(shè)計(jì)好的芯片圖紙變成實(shí)物,這個(gè)關(guān)鍵步驟叫“”。但最近行業(yè)曝出一個(gè)驚人數(shù)據(jù):2025年,芯片第一次
    的頭像 發(fā)表于 06-03 17:50 ?1101次閱讀

    最易讀懂的理工科基礎(chǔ)叢書——圖解電機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)入門

    本書深人淺出地介紹了電動(dòng)機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí)、應(yīng)用和發(fā)展,其內(nèi)容包括電動(dòng)機(jī)的用途、電動(dòng)機(jī)的基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用、電流和磁場(chǎng)的關(guān)系、直流電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)和作用、交流電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)和作用、特殊電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)和作用
    發(fā)表于 04-07 18:28

    1-半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)(童詩(shī)白、華成英主編)

    介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),二極管,三極管。
    發(fā)表于 03-28 16:12

    芯片失敗都有哪些原因

    最近和某行業(yè)大佬聊天的時(shí)候聊到芯片失敗這件事,我覺(jué)得這是一個(gè)蠻有意思的話題,遂在網(wǎng)上搜集了一些芯片
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:03 ?2487次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>流</b><b class='flag-5'>片</b>失敗都有哪些原因

    效果器的基礎(chǔ)知識(shí)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《效果器的基礎(chǔ)知識(shí).doc》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-26 14:30 ?7次下載