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電容的ESR知識匯總

m3eY_edn_china ? 來源:未知 ? 作者:鄧佳佳 ? 2018-03-01 13:43 ? 次閱讀
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ESR是Equivalent Series Resistance三個(gè)單詞的縮寫,翻譯過來就是“等效串聯(lián)電阻”。

理論上,一個(gè)完美的電容,自身不會產(chǎn)生任何能量損失,但是實(shí)際上,因?yàn)橹圃祀娙莸牟牧嫌须娮?,電容的絕緣介質(zhì)有損耗,各種原因?qū)е码娙葑兊貌弧巴昝馈薄_@個(gè)損耗在外部,表現(xiàn)為就像一個(gè)電阻跟電容串聯(lián)在一起,所以就起了個(gè)名字叫做“等效串聯(lián)電阻”。

如果覺得還是太抽象,給你個(gè)直觀的解釋。

任何一個(gè)電容都會存在ESR,在電容電極之間始終都存在著一個(gè)電氣性的電阻,如金屬引腳電阻、電極極板電阻、以及它們之間的連接電阻等等。

電解電容還包括存在于濕的電解質(zhì)溶液的電阻、以及含有高電平“水”的鋁氧化物(水合氧化鋁)中的電阻等。

下圖表示了電解電容ESR的形成因素。

導(dǎo)致ESR變化的因素

首先,管腳引腳和電容電極極板金屬的電阻可以忽略,因?yàn)樗鼈兌挤浅P ?/p>

造成高ESR的兩個(gè)常見因素是:

1)不良的電氣連接;

2)電解溶液的干枯。

對于1),新、舊電解電容都有可能出現(xiàn);

對于2)多數(shù)都是發(fā)生在舊電解電容上。

不良的電氣連接問題主要是由于連接于電容內(nèi)部的管腳引線不是鋁金屬材料,而且一直以來鋁是不可焊的材料。

對于鋁質(zhì)的電極極板材料和銅質(zhì)的管腳材料來說,其電氣連接主要采用所謂的“焊接”和機(jī)械壓接方式。但是這兩種方式都會產(chǎn)生較高的ESR。

隨著電解液水分的揮發(fā),ESR也隨之增大。

ESR與電解電容的漏電相關(guān)?

漏電是電容電極極板之間的并聯(lián)電阻。而ESR僅僅是串聯(lián)電阻,所以兩者是完全不同的,即ESR是與漏電無關(guān)的。

相反,當(dāng)ESR足夠大時(shí)還可以減少漏電電流

ESR的影響

ESR的出現(xiàn)導(dǎo)致電容的行為背離了原始的定義。

比如,我們認(rèn)為電容上面電壓不能突變,當(dāng)突然對電容施加一個(gè)電流,電容因?yàn)樽陨沓潆?,電壓會?開始上升。但是有了ESR,電阻自身會產(chǎn)生一個(gè)壓降,這就導(dǎo)致了電容器兩端的電壓會產(chǎn)生突變。無疑的,這會降低電容的濾波效果,所以很多高質(zhì)量的電源啦一類的,都使用低ESR的電容器。

同樣的,在振蕩電路等場合,ESR也會引起電路在功能上發(fā)生變化,引起電路失效甚至損壞等嚴(yán)重后果。

所以在多數(shù)場合,低ESR的電容,往往比高ESR的有更好的表現(xiàn)。

ESR與頻率之間的關(guān)系

下圖是音響輸出電路中所使用的直流隔直電容的情況(圖中紅圈是電容)。

下圖是兩個(gè)100微法電容(ESR分別為0和6歐姆)時(shí)其輸出功率隨輸出頻率變化的曲線。

在低頻端(60Hz)時(shí)兩者的差別不大,但是在高頻端(1KHz)時(shí)兩者就相差很大了。形成這一差別的主要因素就是ESR與電容的容抗之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系。

再進(jìn)一步來說。

如假設(shè)角頻率為ω,電容器的靜電容量為C,則理想狀態(tài)下電容器(圖1)的阻抗Z可用公式(1)表示。

圖 理想電容器

Z=1/jωC (1)

由公式(1)可看出,阻抗大小|Z|如下圖所示,與頻率呈反比趨勢減少。由于理想電容器中無損耗,故等價(jià)串聯(lián)電阻(ESR)為零。

圖 理想電容器的頻率特性

實(shí)際中,|Z|的頻率特性如下圖所示呈V字型(部分電容器可能會變?yōu)閁字型)曲線,ESR也顯示出與損耗值相應(yīng)的頻率特性。

圖 實(shí)際電容器

圖 實(shí)際電容器的|Z|/ESR頻率特性(例)

|Z|和ESR變?yōu)榍€的原因如下:

低頻率范圍:低頻率范圍的|Z|與理想電容器相同,都與頻率呈反比趨勢減少。ESR值也顯示出與電介質(zhì)分極延遲產(chǎn)生的介質(zhì)損耗相應(yīng)的特性。

共振點(diǎn)附近:頻 率升高,則|Z|將受寄生電感或電極的比電阻等產(chǎn)生的ESR影響,偏離理想電容器(紅色虛線),顯示最小值。|Z|為最小值時(shí)的頻率稱為自振頻率,此 時(shí)|Z|=ESR。若大于自振頻率,則元件特性由電容器轉(zhuǎn)變?yōu)殡姼?,|Z|轉(zhuǎn)而增加。低于自振頻率的范圍稱作容性領(lǐng)域,反之則稱作感性領(lǐng)域。

ESR除了受介電損耗的影響,還受電極自身抵抗行程的損耗影響。

高頻范圍:共振點(diǎn)以上的高頻率范圍中的|Z|的特性由寄生電感(L)決定。高頻范圍的|Z|可由公式(2)近似得出,與頻率成正比趨勢增加。

ESR逐漸表現(xiàn)出電極趨膚效應(yīng)及接近效應(yīng)的影響。

重要的是,頻率越高,就越不能忽視寄生成分ESR或ESL的影響。隨著電容器在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用越來越多,ESR和ESL與靜電容量值一樣,成為表示電容器性能的重要參數(shù)。

ESR與功率之間的關(guān)系

當(dāng)電容需要承載很大電流的時(shí)候即使在工作頻率較低的情況下也容易出現(xiàn)問題。比如在一些大電流開關(guān)電源里。

例如,一只工作在60Hz、5A電源里的20000微法的電容,假設(shè)它的ESR為0.5歐姆,那么按照歐姆定律P=I×I×R,則電容內(nèi)部將12.5W的功率消耗,由此而產(chǎn)生的熱量將加速電解液的干枯并使得電容失效。

而ESR也會降低濾波效果。如5V的TTL供電回路里如果存在0.5歐姆的電阻的話,將會產(chǎn)生高達(dá)2V的紋波電壓,相當(dāng)于紋波電壓達(dá)到40%的程度。

如果電容工作在高頻高電流電路中,情況將更為嚴(yán)重。

ESR也有“正能量”

ESR也不一無是處,它也會被用來做有益的事。比如在穩(wěn)壓電路中,有一定ESR的電容,在負(fù)載發(fā)生瞬變的時(shí)候,會立即產(chǎn)生波動(dòng)而引發(fā)反饋電路動(dòng)作,這個(gè)快速的響應(yīng),以犧牲一定的瞬態(tài)性能為代價(jià),獲取了后續(xù)的快速調(diào)整能力,尤其是功率管的響應(yīng)速度比較慢,并且電容器的體積/容量受到嚴(yán)格限制的時(shí)候。這種情況見于一些使用mos管做調(diào)整管的三端穩(wěn)壓或者相似的電路中。這時(shí)候,太低的ESR反而會降低整體性能。

ESR是等效“串聯(lián)”電阻,意味著,將兩個(gè)電容串聯(lián),會增大這個(gè)數(shù)值,而并聯(lián)則會減少之。

實(shí)際上,需要更低ESR的場合更多,而低ESR的大容量電容價(jià)格相對昂貴,所以很多開關(guān)電源采取的并聯(lián)的策略,用多個(gè)ESR相對高的鋁電解并聯(lián),形成一個(gè)低ESR的大容量電容。犧牲一定的PCB空間,換來器件成本的減少,很多時(shí)候都是劃算的。

和ESR類似的另外一個(gè)概念是ESL,也就是等效串聯(lián)電感。早期的卷制電容經(jīng)常有很高的ESL,而且容量越大的電容,ESL一般也越大。ESL經(jīng)常會成為ESR的一部分,并且ESL也會引發(fā)一些電路故障,比如串聯(lián)諧振等。但是相對容量來說,ESL的比例太小,出現(xiàn)問題的幾率很小,再加上電容制作工藝的進(jìn)步,現(xiàn)在已經(jīng)逐漸忽略ESL,而把ESR作為除容量之外的主要參考因素了。

順便,電容也存在一個(gè)和電感類似的品質(zhì)系數(shù)Q,這個(gè)系數(shù)反比于ESR,并且和頻率相關(guān),也比較少使用。

生產(chǎn)廠家為何不愿標(biāo)示出來ESR呢?

以電解電容為例,電解液的電阻是鋁電解電容器等效串聯(lián)電阻(ESR)的主要部分。多數(shù)鋁電解電容器生產(chǎn)廠商是不給出ESR數(shù)據(jù)的 主要原因主要是:相對于其它介質(zhì)的電容器,鋁電解電容器的ESR顯得太大。如1μF/16V的普通鋁電解電容器,其ESR一般在20Ω左右;100μF的 鋁電解電容器,其ESR也是在1.5~2Ω之間。

試想,這樣的數(shù)據(jù)寫在數(shù)據(jù)手冊里肯定會影響應(yīng)用者的應(yīng)用鋁電解電容器的信心。因此,在某種以上說,應(yīng)用鋁電解電容器是一種無奈的選擇。會影響鋁電解電容器的應(yīng)用。

對于一般應(yīng)用的鋁電解電容器,多數(shù)鋁電解電容器生產(chǎn)廠商是不給出ESR數(shù)據(jù)的,對于開關(guān)電源用的低ESR鋁電解電容器或電容量比較大的插腳式鋁電解電容器則給出這個(gè)數(shù)據(jù)。

其他

由ESR引發(fā)的電路故障通常很難檢測,而且ESR的影響也很容易在設(shè)計(jì)過程中被忽視。簡單的做法是,在仿真的時(shí)候,如果無法選擇電容的具體參數(shù),可以嘗試在電容上人為串聯(lián)一個(gè)小電阻來模擬ESR的影響,通常的,鉭電容的ESR通常都在100毫歐以下,而鋁電解電容則高于這個(gè)數(shù)值,有些種類電容的ESR甚至?xí)哌_(dá)數(shù)歐姆。

ESR值與紋波電壓的關(guān)系可以用公式V=R(ESR)×I表示。這個(gè)公式中的V就表示紋波電壓,而R表示電容的ESR,I表示電流??梢钥吹?,當(dāng)電流增大的時(shí)候,即使在ESR保持不變的情況下,紋波電壓也會成倍提高。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

原文標(biāo)題:電容的ESR知識匯總

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