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SK海力士在CES 2025展示面向人工智能的存儲技術(shù)

SK海力士 ? 來源:SK海力士 ? 2025-01-07 16:20 ? 次閱讀
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SK海力士重返拉斯維加斯,參加2025年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(Consumer Electronics Show,以下簡稱“CES”),并展示其顛覆行業(yè)的面向人工智能的存儲創(chuàng)新技術(shù)。CES 2025于1月7日至10日舉行,匯聚了全球領(lǐng)先科技公司的頂尖人才與突破性技術(shù),共同引領(lǐng)未來科技的發(fā)展潮流。

本年度活動的主題為“探索(Dive In)”,旨在邀請與會者深入體驗下一代技術(shù)進(jìn)步的浪潮。SK海力士與SK電訊、SKC以及SK Enmove共同參與了此次盛會,并以“以AI創(chuàng)新技術(shù)構(gòu)建可持續(xù)未來(Innovative AI, Sustainable Tomorrow)”為主題,通過展示領(lǐng)先的面向人工智能的存儲技術(shù),強(qiáng)調(diào)SK海力士在推動這一浪潮中所承擔(dān)的重要角色。

開創(chuàng)性的存儲技術(shù)推動人工智能時代的變革

SK海力士在CES 2025上重申了其在面向人工智能的存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

通過“創(chuàng)新之門”進(jìn)入SK集團(tuán)展區(qū),迎接參觀者的是一段動態(tài)的波浪視覺視頻,象征著人工智能的無窮力量。視頻生動地展示了二進(jìn)制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為波浪的奇妙過程,這些波浪在展覽空間中如潮水般涌動,深刻體現(xiàn)了數(shù)據(jù)與人工智能如何引領(lǐng)各行各業(yè)的變革與創(chuàng)新。

繼續(xù)深入展區(qū),便來到了SK海力士的核心展示區(qū)域——人工智能數(shù)據(jù)中心。該區(qū)域展示了公司在推動人工智能時代進(jìn)步方面所推出的變革性存儲器產(chǎn)品。其展出的尖端面向人工智能的存儲技術(shù)包括SK海力士的HBM1、服務(wù)器DRAM、eSSD、CXL2及PIM3產(chǎn)品。

1高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory):一種高附加值、高性能存儲器,通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片。HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本,是繼HBM、HBM2和HBM2E之后的第四代。

2CXL(Compute Express Link):可有效連接高性能計算系統(tǒng)中的CPUGPU、存儲器等的下一代接口,有效提高高性能計算系統(tǒng)的性能。

3PIM(Processing-In-Memory):一種在存儲器中增加計算功能,解決AI和大數(shù)據(jù)處理中數(shù)據(jù)傳輸瓶頸的新一代存儲技術(shù)。

48GB 16層HBM3E在人工智能數(shù)據(jù)中心展區(qū)

占據(jù)核心地位

公司開創(chuàng)性的16層HBM3E樣品在活動中備受矚目,彰顯了SK海力士在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。作為全球容量最大的HBM產(chǎn)品,48GB 16層HBM3E專門針對人工智能學(xué)習(xí)和推理進(jìn)行了優(yōu)化。目前,該產(chǎn)品仍處于開發(fā)階段。參觀者還可以了解DDR5 RDIMM和MCR DIMM,這兩款高速服務(wù)器DRAM模塊是專為數(shù)據(jù)中心環(huán)境量身定制的,能夠提供快速的數(shù)據(jù)處理能力和大容量內(nèi)存支持。

SK海力士全方位展示其尖端的面向人工智能的存儲技術(shù)

隨著數(shù)據(jù)存儲在人工智能領(lǐng)域的重要性日益凸顯,SK海力士特別展示了其創(chuàng)新的eSSD解決方案,包括PS1010、PEB110和PE9010。這些產(chǎn)品專為數(shù)據(jù)中心量身定制,具備應(yīng)對人工智能應(yīng)用所產(chǎn)生的大規(guī)模數(shù)據(jù)所需的卓越可靠性與快速的讀寫速度。此外,SK海力士還展示了其前沿的CXL技術(shù),如CMM-DDR54和CMM-Ax5,這些技術(shù)正在引領(lǐng)內(nèi)存接口的發(fā)展趨勢,以提升人工智能系統(tǒng)的靈活性與可擴(kuò)展性。與此同時,還展出了PIM解決方案,包括GDDR6-AiM和AiMX6,這是一種高速且低功耗的加速卡,能夠執(zhí)行復(fù)雜計算功能,從而徹底革新人工智能環(huán)境中的數(shù)據(jù)處理效率。

4CMM-DDR5(CXL Memory Module-DDR5):采用CXL技術(shù)的下一代DDR5內(nèi)存模塊,可有效提高AI、云和高性能計算的帶寬和性能。

5CMM-Ax(CXL Memory Module-Ax):一種針對計算工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化的高性能內(nèi)存模塊,可提高人工智能和數(shù)據(jù)中心的效率。

6AiMX (Accelerator-in-Memory based Accelerator):SK海力士為使用GDDR6-AiM芯片的大型語言模型處理量身定制的專用加速卡。

參觀者可以通過創(chuàng)新產(chǎn)品的展示深入探索人工智能服務(wù)的無限可能

同時,SK海力士還展示了其端側(cè)AI解決方案7,以彰顯其產(chǎn)品在人工智能服務(wù)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。這些創(chuàng)新產(chǎn)品包括LPCAMM28、移動端NAND閃存解決方案ZUFS9 4.0,以及業(yè)界領(lǐng)先的用于端側(cè)AI PC的最高性能固態(tài)硬盤PCB01。通過這一系列展示,SK海力士強(qiáng)調(diào)了這些技術(shù)如何憑借卓越的能效實現(xiàn)極致性能,為從移動AI到消費(fèi)電子等多元化應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支持。

7端側(cè)AI(On-Device AI):在設(shè)備本身上實時AI運(yùn)行,而非依賴云計算??商嵘鼳I功能的反應(yīng)速度、提供個性化服務(wù)。

8LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2):基于LPDDR5X的模組解決方案產(chǎn)品,能在降低功耗的同時具備高性能,且節(jié)省空間。它提供了相當(dāng)于兩個DDR5 SODIMs的性能水平,是端側(cè)AI的最佳選擇。

9ZUFS(Zoned Universal Flash Storage): 一種先進(jìn)的通用閃存存儲(UFS)規(guī)格,通過將數(shù)據(jù)分類存儲到不同區(qū)域中,來提高數(shù)據(jù)管理效率,以優(yōu)化操作系統(tǒng)與存儲設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸。

可持續(xù)未來的先鋒

隨著CES 2025的盛大開幕,SK海力士的參展再次鞏固了其在面向人工智能的存儲器解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。通過一系列創(chuàng)新的產(chǎn)品和前瞻性視野,公司再一次證明了存儲技術(shù)在不斷演進(jìn)的人工智能生態(tài)系統(tǒng)中所扮演的重要角色。在CES 2025上,SK不僅展示了其尖端產(chǎn)品,更讓人們展望到人工智能推動各行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的美好未來。展望未來,SK海力士CEO郭魯正分享了公司的愿景,他表示:“在技術(shù)不斷革新以及為人工智能時代量身定制的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容驅(qū)動下,SK海力士正朝著成為全方位面向人工智能的存儲器供應(yīng)商這一目標(biāo)邁進(jìn)?!?/p>

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原文標(biāo)題:SK海力士在CES 2025展示人工智能驅(qū)動的創(chuàng)新成果,助力可持續(xù)未來

文章出處:【微信號:SKhynixchina,微信公眾號:SK海力士】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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