電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，存儲(chǔ)行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲(chǔ)HBS。

SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)將通過一種名為垂直導(dǎo)線扇出（VFO）的封裝工藝，實(shí)現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊，這種高密度的堆疊方式將大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，為移動(dòng)設(shè)備的AI運(yùn)算提供強(qiáng)有力的存儲(chǔ)支撐。

根據(jù)早前報(bào)道，移動(dòng)HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，也同樣采用了VFO技術(shù)。SK 海力士正在開發(fā)的VFO技術(shù)選擇銅線而非銅柱。DRAM 以階梯式方式堆疊，然后將環(huán)氧樹脂注入空白處以使其硬化，來實(shí)現(xiàn)移動(dòng)DRAM芯片的堆疊，并通過垂直柱狀線/重新分布層連接到基板。

SK 海力士的 VFO 技術(shù)結(jié)合FOWLP（晶圓級(jí)封裝）和 DRAM 堆疊兩項(xiàng)技術(shù)，VFO 技術(shù)通過垂直連接，大幅縮短了電信號(hào)在多層 DRAM 間的傳輸路徑，將線路長度縮短至傳統(tǒng)內(nèi)存的 1/4 以下，將能效提高 4.9%。這種方式雖然增加1.4% 的散熱量，但是封裝厚度卻減少27%。

在移動(dòng)HBM領(lǐng)域，三星也在開發(fā)VCS技術(shù)，該技術(shù)將DRAM 芯片以臺(tái)階形狀堆疊起來，用環(huán)氧材料使其硬化，再在其上鉆孔并用銅填充。三星表示，VCS 先進(jìn)封裝技術(shù)相較于傳統(tǒng)引線鍵合，I/O 密度和帶寬分別提升 8 倍和 2.6 倍；相比 VWB 垂直引線鍵合，VCS 技術(shù)生產(chǎn)效率提升 9 倍。

與移動(dòng)內(nèi)存LPDDR5X 相比，新款移動(dòng)HBM LPW DRAM的I/O速度預(yù)計(jì)將提高166%，同時(shí)功耗降低54%。預(yù)計(jì)搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動(dòng)產(chǎn)品將在2028 年上市。

就HBS存儲(chǔ)來看，VFO封裝摒棄了傳統(tǒng)的彎曲導(dǎo)線連接方式，采用直線直接連接堆疊的DRAM和NAND芯片。這一改進(jìn)不僅大幅縮短布線距離，更有效減少信號(hào)傳輸過程中的損耗與延遲，同時(shí)還能支持更多的I/O通道，從多個(gè)維度推動(dòng)整體數(shù)據(jù)處理性能的大幅提升。

此外，HBS無需采用HBM所依賴的硅通孔TSV工藝，不僅降低制造成本，還能有效提升產(chǎn)品良率。未來HBS將采用與手機(jī)芯片組協(xié)同封裝的模式，再一同安裝到設(shè)備主板上，實(shí)現(xiàn)硬件層面的高效適配。

目前，SK海力士尚未公布 HBS 技術(shù)的具體量產(chǎn)時(shí)間表，但相關(guān)研發(fā)進(jìn)展已引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。HBS 技術(shù)的成功研發(fā)與量產(chǎn)，將為智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備帶來更強(qiáng)大的本地AI處理能力，推動(dòng)AI應(yīng)用從云端向終端普及。市場預(yù)計(jì)，隨著技術(shù)的不斷成熟與完善，HBS存儲(chǔ)有望在未來2-3 年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，成為移動(dòng)終端存儲(chǔ)的新一代標(biāo)桿產(chǎn)品。