SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。

此次“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”由韓國特許廳主辦，旨在表彰那些通過創(chuàng)新發(fā)明為國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出突出貢獻的人士。

SK海力士的宋清基TL憑借在下一代HBM1產(chǎn)品研發(fā)、混合鍵合2（Hybrid Bonding）技術(shù)驗證及專利布局、集成PIM3技術(shù)的GDDR6-AiM4開發(fā)與專利化、推動DRAM技術(shù)在國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化組織（JEDEC）的標(biāo)準(zhǔn)化進程，促進 CXL5原型產(chǎn)品的開發(fā)與專利布局，以及積極開展公司內(nèi)外存儲器半導(dǎo)體技術(shù)培訓(xùn)工作方面做出的卓越貢獻，榮獲銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。

1高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開發(fā)，HBM4E（第 7 代）是目前正在開發(fā)的新品。

2混合鍵合(Hybrid Bonding) ：一種無需凸點便可將芯片直接連接在一起從而實現(xiàn)更高帶寬和容量的技術(shù)。通過這一措施，芯片整體厚度將變得更薄，可以實現(xiàn)更高堆疊。目前該技術(shù)正在考慮用于16層及以上的HBM產(chǎn)品。

3PIM（Processing-In-Memory) ：一種在存儲器中增加計算功能，解決AI和大數(shù)據(jù)處理中數(shù)據(jù)傳輸瓶頸，并大幅提升速度性能的新一代存儲技術(shù)。

4AiM(Accelerator-in-Memory) ：SK海力士采用了PIM技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括GDDR6-AiM。

5CXL （Compute Express Link）：新一代接口，可在計算機系統(tǒng)中高效鏈接存儲器、存儲設(shè)備和處理器，靈活擴展容量和帶寬。

宋TL于2005年加入SK海力士，在存儲器設(shè)計研究領(lǐng)域深耕20余年，從DDR2開發(fā)起，先后參與了多項DRAM產(chǎn)品的研發(fā)工作。在此期間，他不僅推動了由JEDEC規(guī)定的存儲器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化進程，還成功申請并注冊了300余項專利，覆蓋HBM及新一代存儲器技術(shù)等多個領(lǐng)域。

目前，多款基于這些專利技術(shù)的產(chǎn)品已實現(xiàn)商業(yè)化，正在持續(xù)創(chuàng)造經(jīng)濟效益。同時，多項前沿技術(shù)構(gòu)想被業(yè)界廣泛視為是搶占未來市場先機的關(guān)鍵創(chuàng)新。

SK海力士表示：“宋TL在專利開發(fā)與普及應(yīng)用方面所做的努力，為提升國家與企業(yè)的競爭力提供了重要支撐”。同時強調(diào)：”我們將繼續(xù)積極支持成員們的研發(fā)工作，進一步鞏固韓國半導(dǎo)體行業(yè)長期以來積累的領(lǐng)先地位?！?/p>

本文采訪了宋清基TL，深入了解他研發(fā)的心路歷程以及本次獲獎感言。

從下一代HBM到PIM與CXL技術(shù)，為存儲器技術(shù)創(chuàng)新做出重要貢獻

“我認為這份榮譽應(yīng)該屬于所有致力于推進前瞻性技術(shù)開發(fā)的SK海力士成員。正如公司長期以來引領(lǐng)市場一樣，我期待今后我們的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力也能繼續(xù)保持?！?/p>

宋清基TL此次榮獲銅塔產(chǎn)業(yè)勛章的核心功績之一在于，他在新一代HBM開發(fā)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。尤為值得一提的是，他還主導(dǎo)提出了針對全球大型科技客戶定制化設(shè)計需求的定制化（Custom）HBM相關(guān)的技術(shù)方案。

“可以預(yù)見，在不久的將來，滿足客戶需求的定制化HBM時代將正式到來。這不僅關(guān)乎提升產(chǎn)品性能，更是在重新定義存儲器與邏輯半導(dǎo)體之間的界限?！?/p>

對此，宋TL提出在連接HBM與邏輯半導(dǎo)體的基礎(chǔ)裸片（Base-die）中，引入支持高速運行功能并兼容LPDDR等異構(gòu)存儲器的新一代接口技術(shù)。他成功申請了多項專利，包括集成存儲控制器和電源管理技術(shù)等。同時，他還提出了可提升下一代HBM帶寬的技術(shù)方案，為產(chǎn)品性能突破提供了新的技術(shù)路徑。

此外，宋TL還在實現(xiàn)下一代高容量HBM產(chǎn)品的“混合鍵合（Hybrid Bonding）”技術(shù)開發(fā)方面做出了重要貢獻。

“為了創(chuàng)建更高層數(shù)的HBM，我們必須突破傳統(tǒng)堆疊工藝的局限性。我們需要開發(fā)一種超越單純堆疊技術(shù)的全新堆疊結(jié)構(gòu)，同時要綜合考慮電信號的穩(wěn)定性與散熱控制。為此，我們進行了大量的模擬分析和實驗研究。”

他在新一代半導(dǎo)體技術(shù)——PIM和CXL領(lǐng)域持續(xù)開展前沿性研究工作，相關(guān)技術(shù)成果已在多項國際權(quán)威學(xué)術(shù)大會上展示，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

“PIM是一種集成自身計算能力的存儲器，我們開發(fā)的GDDR6-AiM正是基于這一技術(shù)的首個成功實踐。當(dāng)存儲器本身具備自主運算能力時，可大幅減少傳統(tǒng)系統(tǒng)中存在的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸問題。新一代存儲器正從被動存儲單元向融合運算與互聯(lián)的靈活架構(gòu)演進。我們認為PIM與CXL將成為引領(lǐng)這一變革的關(guān)鍵技術(shù)。”

300余項專利申請的意義：“保護技術(shù)創(chuàng)新價值與創(chuàng)新本身同等重要”

推動SK海力士主力產(chǎn)品DRAM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化工作，也是宋TL的重要貢獻之一。從DDR2到DDR6，他深度參與了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化進程的推進，并主導(dǎo)了多項功能定義與驗證工作。

“標(biāo)準(zhǔn)化工作與新技術(shù)開發(fā)一樣，是一個困難而復(fù)雜的過程。它不僅需要在產(chǎn)品性能與穩(wěn)定性之間尋求平衡，還需要與全球各產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調(diào)各方的技術(shù)路線。正是由于這樣的努力，公平競爭與產(chǎn)業(yè)協(xié)作才得以實現(xiàn)。我認為，標(biāo)準(zhǔn)化工作是確保我們創(chuàng)新成果獲得應(yīng)有認可的必要環(huán)節(jié)。”
“專利是我們辛勤付出的有力證明，更是保護已掌握核心技術(shù)的最可靠途徑。隨著半導(dǎo)體行業(yè)競爭日益激烈，專利的重要性愈發(fā)凸顯。我認為，獲得專利不僅關(guān)乎SK海力士的企業(yè)利益，更有利于維護韓國的技術(shù)主權(quán)。此次榮獲銅塔產(chǎn)業(yè)勛章，是對我們長期努力的高度認可，我感到非常高興。”

此外，宋TL極致力于在公司內(nèi)外進行技術(shù)傳播。憑借豐富的開發(fā)經(jīng)驗，他不僅在公司內(nèi)部提供指導(dǎo)，還面向特許廳審查員開展講座，積極分享技術(shù)保護和戰(zhàn)略性專利方面的知識與經(jīng)驗。

最后，他將此次獲獎稱為“責(zé)任的新起點”，并表達了自己對未來的愿景。

“獲得銅塔產(chǎn)業(yè)勛章對我來說是莫大的榮譽，同時也讓我再次深刻感受到技術(shù)所肩負的重要使命。未來，我將繼續(xù)全力以赴，專注技術(shù)研發(fā)，并努力將其傳承給下一代?！?/p>